干刻蚀机
干刻蚀机是一种用于材料科学领域的工艺试验仪器，于2014年6月11日启用。
干刻蚀机基本信息
| 中文名 | 干刻蚀机 | 产 地 | 日本 |
|---|---|---|---|
| 学科领域 | 材料科学 | 启用日期 | 2014年6月11日 |
| 所属类别 | 工艺试验仪器 > 电子工艺实验设备 > 半导体集成电路工艺实验设备 | ||
设备主要用于金属薄膜或绝缘薄膜的刻蚀，以图形化出需要的图形。 该设备使用等离子体状态下气体的化学活性要比在常态下强很多倍的特点，根据刻蚀材料的不同，选择不同的气体，就能很快与被刻蚀材料进行反应，从而实现刻蚀的目的。
干刻蚀机造价信息
本设备能精确控制刻蚀速率、适用于对均匀性要求高的刻蚀和不易湿法刻蚀的薄膜： 1. 选择比（刻蚀速率比）： SiOx/Mo5，SiOx/Al20，SiOx/ITO＞20，SiOx/SiNx＞1，SiNx/SiOx＞5，a-Si/光刻胶1， SiOx/光刻胶1， SiNx/光刻胶1； 2. ★ 刻蚀速率：SiO2 ＞80 nm/min，SiNx＞150 nm/min，a-Si＞150 nm/min，p-Si＞100 nm/min，ITO＞30 nm/min，光刻胶灰化速率＞300 nm/min； 3。
干刻蚀机常见问题
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一般按张来算，一张多少钱加工费。
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应该是用的吧，能和玻璃的主要成分二氧化硅反应。要能腐蚀玻璃的才行，B能与玻璃中的SiO2反应。烧碱碱反应很慢，而且光滑的表面还不能腐蚀。其他的不能反应。希望我的回答对你有帮助
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通常所指蚀刻也称光化学蚀刻（photochemical etching），指通过曝光制版、显影后，将要蚀刻区域的保护摸去处，在蚀刻时接触化学溶液，达到溶解腐蚀的作用，形成凹凸或者镂空成型的效果。最早可...
干刻蚀机文献
干法刻蚀工艺总结
干法刻蚀工艺总结 离子束刻蚀机（ IBE-150A） 背景 : 利用辉光放电原理将氩气分解为氩离子， 氩离子经过阳极电场的加速对样品表面 进行物理轰击， 以达到刻蚀的作用。 把 Ar、Kr 或 Xe之类惰性气体充入离子源放 电室并使其电离形成等离子体， 然后由栅极将离子呈束状引出并加速， 具有一定 能量的离子束进入工作室， 射向固体表面撞击固体表面原子， 使材料原子发生溅 射，达到刻蚀目的，属纯物理过程。 技术指标： 装片：一片六英寸衬底、或 1片四英寸，向下兼容。 抽气速度： 30min由 ATM 到 1.0×10-3Pa 极限真空度： 2×10-4Pa 离子能量： 300eV-400eV ICP 刻蚀机（ OXFORD ICP 180） 背景 : 通入反应气体使用电感耦合等离子体辉光放电将其分解， 产生的具有强化学活性 的等离子体在电场的加速作用下移动到样品表面， 对样品表面既进行化学
第二章干法刻蚀的介绍
第二章干法刻蚀的介绍 2. 1刻蚀、干法刻蚀和湿法腐蚀 2. 1 .1关于刻蚀 刻蚀，是指用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程。 刻蚀的基 本目的，是在涂胶 (或有掩膜 )的硅片上正确的复制出掩膜图形 [1]。 刻蚀，通常是在光刻工艺之后进行。 我们通常通过刻蚀， 在光刻工艺之后，将想要的图 形留在硅片上。从这一角度而言，刻蚀可以被称之为最终的和最主要的图形转移工艺步骤。 在通常的刻蚀过程中，有图形的光刻胶层〔或掩膜层 )将不受到腐蚀源显著的侵蚀或刻蚀， 可作为掩蔽膜， 保护硅片上的部分特殊区域， 而未被光刻胶保护的区域， 则被选择性的刻蚀 掉。 2.1.2 干法刻蚀与湿法刻蚀 在半导体制造中有两种基本的刻蚀工艺：干法刻蚀和湿法腐蚀。 干法刻蚀， 是利用气态中产生的等离子体， 通过经光刻而开出的掩蔽层窗口， 与暴露于 等离子体中的硅片行物理和化学反应，刻蚀掉硅片上暴露的
主要工艺参数指标：2英寸GaAs,InP, Al2O3刻蚀均一性小于±3%,批次间重复性好于±3%；GaAs刻蚀速率大于1000nm/min, InP刻蚀速率大于1000nm/min, Al2O3刻蚀速率大于50nm/min。系统配置终点监测系统670nm激光干涉仪，可用于实时测量刻蚀深度。
主要功能：等离子刻蚀是利用高频辉光放电效应，使反应气体激活成活性粒子，如原子或游离基，这些活性粒子扩散到需刻蚀部位，与被刻蚀材料进行反应，形成挥发性反应物而被去除。其优势在于快速的刻蚀速率同时可获得良好的物理形貌。
等离子刻蚀机湿法刻蚀相对于等离子刻蚀的缺点
1. 硅片水平运行，机片高(等离子刻蚀去PSG槽式浸泡甩干，硅片受冲击小);
2. 下料吸笔易污染硅片(等离子刻蚀去PSG后甩干);
3. 传动滚抽易变形(PVDF，PP材质且水平放置易变形);
4. 成本高(化学品刻蚀代替等离子刻蚀成本增加)。
此外，有些等离子刻蚀机，如SCE等离子刻蚀机还具备"绿色"优势:无氟氯化碳和污水、操作和环境安全、排除有毒和腐蚀性的液体。SCE等离子刻蚀机支持以下四种平面等离子体处理模式:
直接模式--基片可以直接放置在电极托架或是底座托架上，以获得最大的平面刻蚀效果。
定向模式--需要非等向性刻蚀(anisotropic etching)的基片可以放置在特制的平面托架上。
下游模式--基片可以放置在不带电托架上，以便取得微小的等离子体效果。
定制模式--当平面刻蚀配置不过理想时，特制的电极配置可以提供。
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