负阻特性实际元件

隧道二极管有重掺杂的半导体接面，其转换曲线为"N"型，部份区域有负阻特性。真空管也可以设计成有负阻特性。其他有负阻特性的二极管一般会有"S"型转换曲线。当对元件施加偏压，使工作点在负阻区域时，这些元件可以作为放大器，也可以对元件施加偏压，使得在电压变化时，元件可以在二个状态之间快速的切换。

利用由运算放大器组成的负阻抗转换器可以产生负电阻的电路。二个电阻R1及运算放大器构成了一个负回授的非反向型放大器，增益为2。若Z = R，假设运算放大器为理想元件，则电路的输入电阻为

Rin = -Z = -R电路的输入埠可以视为是一个负电阻。

一般情形下也可以调整Z，使电路产生类似负电容或负电感的特性。

右图绘出一个理想负电阻的电流-电压关系，其斜率为负值。而一般电阻的斜率为正值。隧道二极管和耿氏二极管的电流-电压关系图中都有一个区域，其微分电阻为负值。这些元件和电阻一样也有二个端子，不过不是线性元件。单接合面晶体管若和其他元件组合成电路时，也会有负电阻的特性。若要有理想负电阻的特性，电路中需要有主动元件提供能量。因为当电流流过负电阻时，负电阻即为一能量源。

依欧姆定律，电阻二端的电压和电流成正比，其电流-电压关系的图形斜率为正，且会通过原点。理想负电阻其电流-电压关系的图形斜率为负，且会通过原点，因此只在图中的第二和第四象限出现。像隧道二极管之类的元件，其斜率为负的部份未通过原点，因此隧道二极管中没有能量源。

许多振荡电路会使用一埠的负阻元件，例如负耗阻性管、隧道二极管及耿氏二极管等。在振荡电路中，像LC电路、石英晶体谐振器或谐振腔等会和有施加偏压的负阻元件相接。负阻元件可以抵消振荡电路中电阻带来的能量损失，使振荡电路可以持续振荡。这类电路多半是用在微波波长的振荡电路。振荡电路也会使用一些功率扩大元件(如真空管)的负阻.像负耗阻性管振荡器(英语:dynatron oscillator)即为一例。

隧道二极管高度非线性的特性可用在混频器中，隧道混频器若配合偏压，使隧道二极管工作在负阻的区域，隧道混频器的转换增益至少会提高20 dB。

无线电天线设计的领域也会用到负阻的概念，一般会称为负阻抗。天线上常会配合主动元件，再利用一到多个主动元件来产生显著的负阻抗。

负阻抗也可以用来抵消正阻抗的影响，例如抵消电压源中的内阻或是使电流源的内阻变成无限大。此技术已用在电路线的中继器及类似Howland电流源(Howland current source)、Deboo 积分器(Deboo integrator)及负载抵消电路等。

导体的电阻值随温度变化而变化，通过测量其电阻值推算出被测物体的温度，这就是电阻温度传感器的工作原理。Pt100传感器是利用铂电阻的阻值随温度变化而变化、并呈一定函数关系的特性来进行测温，其温度/阻值对应关系为:

(1) -200℃<t<0℃时，RPt100=100[1+At+Bt+Ct(t-100)] (2-1)

(2)0℃≤t≤850℃时，RPt100=100(1+At+Bt) (2-2)

式中，A=3.90802×10;B=-5.80×10;C=4.2735×10。

Pt100温度传感器的主要技术参数如下:测量范围:-200℃~+850℃;允许偏差值△℃:A级±(0.15+0.002│t│)，B级±(0.30+0.005│t│);热响应时间<30s;最小置入深度:热电阻的最小置入深度≥200mm;允通电流≤5mA。另外，Pt100温度传感器还具有抗振动、稳定性好、准确度高、耐高压等优点。