非晶硅薄膜晶体管

非晶硅薄膜晶体管（a-Si：H TFT--amorphous silicon thin film transistor）沟道采用非晶硅材料制成。由于非晶硅可以淀积在各种大面积的衬底上，所以生产成本低廉，得到了广泛的应用。

中文名称

非晶硅薄膜晶体管

英文名称

α-Si∶H thin film transistor,TFT

定　　义

利用氢化非晶硅具有敏感的场效应特性制备的薄膜场效应晶体管。具有很低的关断电流和很高的开关电流比，广泛用于液晶显示屏和平面摄像器件的地址矩阵。

应用学科

材料科学技术（一级学科），半导体材料（二级学科），非晶和微晶半导体材料（三级学科）

非晶硅是一种直接能带半导体，它的结构内部有许多所谓的“悬键”，也就是没有和周围的硅原子成键的电子，这些电子在电场作用下就可以产生电流，并不需要声子的帮助，因而非晶硅可以做得很薄，还有制作成本低的优点。

氧化物薄膜晶体管和非晶硅薄膜晶体管的主要区别是电子通道的材料是氧化物而不是非晶硅。常用的衬底为二氧化硅。薄膜晶体管主要应用于液晶显示器（LCD）和有机发光半导体（OLED）中。在传统的晶体管中，半导体材料为衬底，如晶圆。

薄膜晶体管（thin film transistor, TFT）是平板显示的核心器件，不论AMLCD显示还是AMOLED显示，其每一个像素都依赖TFT进行开关和驱动。根据TFT有源层半导体材料的不同，当前主流的TFT技术可分为氢化非晶硅（a-Si:H）TFT、低温多晶硅（low-temperature poly-Si, LTPS。TFT和非晶氧化物（AOS）TFT。

其中，a-Si:HTFT和poly-Si TFT已经在平板显示面板工艺中实现了大面积产业化。然而，a-Si:H TFT较低的迁移率（<1cm²/Vs）不能满足下一代平板显示的驱动要求，而poly-Si TFT较差的大面积均匀性使其主要面向小尺寸显示的应用中。

另一方面，氧化物TFT以其迁移率较高（几~几十cm²/Vs）、大面积均匀性较好、制备工艺温度较低等诸多优势被认为最有可能应用于下一代平板显示中。