发光效率效率
功率效率ηP是指发光体输出的发射功率P0与输入的激发功率Pi(光功率、电子束功率、电注入功率等)之比:ηP=P0/Pi，是一个无量纲的小于1的常数。因为多数发光体用于显示和照明，其功能是用人眼衡量的，但人眼只感觉可见光，且对不同波长的灵敏度也很不相同。因此，发射光谱不同的发光体，即使它们有相同的功率效率，人眼所见的亮度也不同。要反映这样的差别可用光度效率η1，它是发光体的发光通量Ф(以流明为单位)和激发功率Pi之比，η1=Ф/Pi，单位为流明/瓦。
显然，如已知发光体的发射光谱，则功率效率与光度效率可以相互换算。
在对发光体的基础研究中，尤其对于光致发光及注入式电致发光体，常用量子效率ηq表征发光效率。量子效率是指发光体发射的光子数N0与激发时吸收的光子数或注入的电子(空穴)数Ni之比:ηq=N0/Ni，是一个无量纲的数值。
对于光致发光材料，当激发与发射均为单色光或接近单色光时，量子效率与功率效率可以通过表式。
发光效率造价信息
发光效率换算
λ0、λi各为发射及激发光的波长。由于斯托克斯位移，常有ηq≥ηp的关系。
发光效率还可分为外部效率及内部效率;外部效率只考虑输出的光能与投向发光体的光能或电能之比，而且是吸收的能量转化为光能的纯转化效率。输入光由于反射和再吸收受到损失，因此，外部效率总是小于(或接近于)内部效率，后者才是反映能量转换过程的真实参数。
发光效率的大小反映发光体内部能量激发、能量传递、复合发光以及无辐射复合过程的总效果，它与发光体的成分、发光中心的种类及浓度、共激活剂的选择、有害杂质(猝灭中心)的控制以及发光晶体的完整性，甚至与具体的工艺过程有关。
下表列出几类实用发光体光度效率的参考值:
发光效率效率常见问题
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发光效率是一个光源的参数。它是光通量与功率的比值，此功率指的是光源输出的辐射通量，或者是提供光源的电能，前者的定义有时叫辐射发光效率，后者称电源发光效率。 电源发光效率为一种：...
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建筑模型射灯：电压:1.8-2V,脚长：3.2cm,电流：15-20MA，亮度：超高亮，光源：聚光发光二极管的作用： 二极管是最常用的建筑模型环境灯，模型地块装饰灯柱，模型古树七彩...
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白炽灯除了发出可见光,还有很大一部分能量以热量形式辐射掉了. 日光灯属于冷光源,相对辐射的热量不多,大部分用于发光. 这是我的理解.
发光效率效率文献
白光LED的发光效率的提高方法
白光 LED的发光效率的提高方法？ 检举 | 2008-12-22 09:16 满意回答 LED 的发光效率其实分为两大块：内量子效率和外量子效率，对于内量子效率 通俗讲也就是电子跃迁产生光子的效率。 如何提高效率就是 1.降低非辐射跃迁－ －减少非辐射的复合中心（主要是晶体缺陷） 2.形成稳定的需要的能级差－－ a. 有效掺杂 b.降低结温 其实现在这部分技术相当成熟了， 国外有很多的相关文献可以参考， 基本可以达 到 80％甚至 90％以上 而外量子效率远没有这样高，也就是光子产生了，却无法有效放出，被 LED 吸 收产生为热能导致结温升高，同时降低内量子效应才是问题的关键。 一、透明衬底技术 InGaAlP LED 通常是在 GaAs 衬底上外延生长 InGaAlP 发光区 GaP 窗口区制 备而成。与 InGaAlP 相比，GaAs 材料具有小得多的禁带宽度，因此，当短波长
提升白光LED发光效率的研究
쳬뷲듳톧 쮶쪿톧캻싛컄 쳡짽냗맢LED 랢맢킧싊뗄퇐뺿 탕쏻ꎺ마열량 짪쟫톧캻벶뇰ꎺ쮶쪿 튵ꎺ맢톧릤돌 횸떼뷌쪦ꎺ쇵쳺룹;닜쿾쏷 20090501 쳡짽냗맢LED 랢맢킧싊뗄퇐뺿 ퟷ헟ꎺ 마열량 톧캻쫚폨떥캻ꎺ 쳬뷲듳톧 놾컄솴뷓ꎺ http://d.g.wanfangdata.com.cn/Thesis_Y1674930.aspx
光源发光效率
光源发光效率是指一个光源所发出的光通量 φ 与该光源所消耗的电功率 P之比。
一般称为组件的外部量子效率，其为组件的内部量子效率与组件的取出效率的乘积。所谓组件的内部量子效率，其实就是组件本身的电光转换效率，主要与组件本身的特性（如组件材料的能带、缺陷、杂质）、组件的垒晶组成及结构等相关。而组件的取出效率则指的是组件内部产生的光子，在经过组件本身的吸收、折射、反射后，实际在组件外部可测量到的光子数目。因此，关于取出效率的因素包括了组件材料本身的吸收、组件的几何结构、组件及封装材料的折射率差及组件结构的散射特性等。而组件的内部量子效率与组件的取出效率的乘积，就是整个组件的发光效果，也就是组件的外部量子效率。早期组件发展集中在提高其内部量子效率，主要方法是通过提高垒晶的质量及改变垒晶的结构，使电能不易转换成热能，进而间接提高LED的发光效率，从而可获得70%左右的理论内部量子效率，但是这样的内部量子效率几乎已经接近理论上的极限。在这样的状况下，光靠提高组件的内部量子效率是不可能提高组件的总光量的，因此提高组件的取出效率便成为重要的研究课题。方法主要是：晶粒外型的改变——TIP结构，表面粗化技术。
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