中文名 | 分布电容 | 外文名 | distributed capacitance |
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组 成 | 两个有压差又相互绝缘的导体组成 | 对 象 | 高频电路和精密仪器 |
定 义 | 由非电容形态形成的一种分布参数 | 学 科 | 物理学、电磁学 |
变压器在初级和次级之间存在分布电容,该分布电容会经变压器进行耦合,因而该分布电容的大小直接影响变压器的高频隔离性能。也就是说,该分布电容为信号进入电网提供了通道。所以在选择变压器时,必须考虑其分布电容的大小。
分布电容 是指由非电容形态形成的一种分布参数。
带电电缆、变压器对地都有一定的分布电容,而分布电容大小取决于电缆的几何尺寸、电缆的长度和绝缘材料等,它由两个存在压差而又相互绝缘的导体所构成。
必须注意到的是,在电子及电器线路中并不是只有电容器才有电容,在任何两个通电导体之间都存在电容,如电力输电线之间、输电线与大地之间、晶体管各引脚之间以及元件与元件之间都存在电容。
例如,两根传输线之间,每跟传输线与大地之间,都是被空气介质隔开的,所以,也都存在着电容。一般情况下,这个电容值很小,它的作用可忽略不计,如果传输线很长或所传输的信号频率高时,就必须考虑这电容的作用。另外在电子仪器中,导线和仪器的金属外壳之间也存在电容。
上述这些电容通常叫做分布电容,虽然它的数值很小,但有时却会给传输线路或仪器设备的正常工作带来干扰。
分布电容一般是指在印制板或其他形态的电路形式,在线与线之间、印制板的上下层之间形成的电容。这种电容的容量很小,但可能对电路形成一定的影响。在对印制板进行设计时一定要充分考虑这种影响,尤其是在工作频率很高的时候。
这种电容是制造中必然存在的,只是高工艺可以尽量将这个值减小。在电路结构里就必然存在,只是因为容值很小,在低频时,它对电路的影响可以忽略;在高频率时,一方面是上升和下降沿的延迟,还有其他方面,都是分布电容的影响在起部分作用。
线圈的匝和匝之间、线圈与地之间、线圈与屏蔽盒之间以及线圈的层和层之间都存在分布电容。分布电容的存在会使线圈的等效总损耗电阻增大,品质因数Q降低。高频线圈常采用蜂房绕法,即让所绕制的线圈,其平面不与旋转面平行,而是相交成一定的角度,这种线圈称为蜂房式线圈。线圈旋转一周,导线来回弯折的次数,称为折点数。蜂房绕法的优点是体积小,分布电容小,而且电感量低。蜂房式线圈都是利用蜂房绕线机来绕制的,折点数越多,分布电容越小。
电容的组成是两个导体之间有绝缘无,所以任何导体和与之绝缘体另侧的导体(如大地)都可以形成电容。这个电容就是分布电容。低频时对电路几乎没有影响。高频就要考虑分布电容的影响,有时电路要不断调整,就是因为环...
指电子元件之间或电子元件和线路之间的电容和电感叫分布电容和电感,一般很小的不影响电路,如果精密仪器得考虑。用电器断电后存在的电容和电感叫寄生电容和电感。
还有一种叫杂散电容,含义都相似,只是寄生一词更有贬义,多指寄宿于元件管脚之间及内部的电容,容易引起自激,串扰,高频特性下降等现象。分布电容多用于设计线路时的一个参数考虑,以改变布线,调整布局及措施来减...
输出变压器层间分布电容对音频信号的高频有极大的衰减作用,直接导致音频信号在整个频带内不均匀传输,是音频信号失真增大的主要因数。为了削弱极少的分布电容就要采用初级每层分段的特殊绕法,以降低分布电容对音频信号的衰减。
输出变压器层间分布电容对音频信号的高频有极大的衰减作用,直接导致音频信号在整个频带内不均匀传输,是音频信号失真增大的主要因数。为了削弱极少的分布电容就要采用初级每层分段的特殊绕法,以降低分布电容对音频信号的衰减。 解读词条背后的知识 HQST文子 每天更新5G网络变压器电子资讯
网络变压器的线间电容(CWW)及网络变压器线圈分布电容(CD)
华强盛电子导读:本文详述了网络变压器的线间电容(CWW)及网络变压器线圈分布电容(CD)网络变压器匝间电容(CWW)及网络变压器线圈分布电容(CD)一,网络变压器线间电容及网络变压器线圈分布电容(CD)定义 网络变压器是由绕在磁环上的线圈组成的,这样的线圈主要是个电感。网络...
2019-07-100阅读16线圈的匝和匝之间、线圈与地之间、线圈与屏蔽盒之间以及线圈的层和层之间都存在分布电容。
分布电容的存在会使线圈的等效总损耗电阻增大,品质因数Q降低 。高频线圈常采用蜂房绕法,即让所绕制的线圈,其平面不与旋转面平行,而是相交成一定的角度,这种线圈称为蜂房式线圈。线圈旋转一周,导线来回弯折的次数,称为折点数。蜂房绕法的优点是体积小,分布电容小,而且电感量低。蜂房式线圈都是利用蜂房绕线机来绕制的,折点数越多,分布电容越小。
变压器在初级和次级之间存在分布电容,该分布电容会经变压器进行耦合,因而该分布电容的大小直接影响变压器的高频隔离性能。也就是说,该分布电容为信号进入电网提供了通道。所以在选择变压器时,必须考虑其分布电容的大小。分布电容越大,漏感相对越小,反推分布电容越小,漏感越大。
分布电容是多次级高压变压器固有的寄生参数,它直接影响电路的工作性能。本文从分布电容的产生机理出发,通过传统绕制和PCB迭绕两种工艺的比较,最后以实测波形来说明了分布电容对电路性能的影响。
针对光伏组件分布电容缺少较准确的数学模型的问题,提出了一种晶体硅光伏组件的分布电容模型。利用建立的模型,分析了光伏组件封装材料(玻璃、EVA膜和背板)的介电常数εr、材料厚度对光伏组件分布电容的影响。根据建立的数学模型,预测了500 kW功率等级的光伏组件阵列分布电容值,并与安装现场的测试数据进行了对比分析,验证了模型的准确性。实验结果表明,此模型对光伏逆变器的可靠运行,具有较强的应用指导意义。
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(连载76)漏感与分布电容对输出波形的影响part3
另外,LC振荡的幅度对于正激式开关电源和反激式开关电源是不同的。对于正激式开关电源,当电源开关管Q1导通的时候,正好开关变压器要向负载输出能量,等效负载电阻R的值相对比较小,即衰减系数很小,LC振荡回路被阻尼得很厉害,因此,振荡幅度下降很快,一般第一个振荡周期过后,振荡回路很难再次振荡起来。
对于反激式开关电源,当电源开关管Q1导通的时候,开关变压器只是存储能量,没有能量输出,因此,等效负载电阻R的值非常大,相当于开路,此时,衰减系数很大,约等于1,即LC振荡回路基本上没有被阻尼,LC振荡是等幅振荡,其振荡的幅度基本上等于分布电容Cs两端电压的半波平均值Uc ,即:分布电容Cs两端电压Uc的最大值Ucm约等于输入电压U的两倍,即:Ucm = 2U,Ucm为分布电容Cs两端电压μc 的最高电压。
当电源开关管Q1关断瞬间,即t = t6~t7时刻,相当于开关变压器初级线圈的一端被切断,开关变压器中的漏感Ls和分布电容Cs与励磁电感Lμ的充放电回路基本被切断,原来存储于Ls、Cs、Lμ中的能量会生产反电动势,它只能通过等效负载R和电源开关管的内阻进行释放。因此,反电动势的大小与Ls、Cs、Lμ存储能量的大小有关,还与等效负载R的大小以及电源开关管关断速度的快慢有关,而 存储能量又与占空比有关。
我们从(2-135)式以及图2-44还可以看出,当电源开关管Q1导通时,分布电容Cs两端电压μc也是励磁电感Lμ两端的电压,此电压由一个振荡波形与一个半波平均值Uc叠加,Uc≈U,因此,在Uc 的作用下,在励磁电感Lμ中有一个随着时间增长的线性电流通过,此电流大小为:
上式中,iμ为励磁电感Lμ中的励磁电流, Iμm为励磁电流的最大值; iμ(0)为流励磁电感Lμ中的初始励磁电流,即时间t = 0时的励磁电流, iμ(0)大小与电源开关管的占空比有关,一般当占空比等于或小于0.5时,iμ(0)等于0。
励磁电感Lμ存储的能量为:
Wμ=Lμ*I2μm/2 (2-138)
当电源开关管Q1由导通到关断瞬间,Lμ励磁电感 存储的能量会产生反电动势,反电动势的大小与电流电感的大小以及电流变化率成正比,即:
eμ=Lμdi/dt(2-139)
(2-139)式中, eμ为励磁电感Lμ产生的反电动势, Lμ为励磁电感的电感量, di/dt为电流变化率,负号表示反电动势的方向与原来电压的方向相反。
求解(2-139)式的结果一般都需要解微分方程,这种计算方法我们在第一章中已经反复用过,下面我们另外介绍一种比较简便的方法,即半波平均值法。
知道了励磁电感中存储的能量,在实际应用中,不用解微分方程同样也可以计算出励磁电感产生的反电动势。励磁电感产生的反电动势由下式求得:
(2-140)式中, Eμ为励磁电感Lμ产生的反电动势(平均值), Wμ为励磁电感存储的能量, toff为电源开关管的关断时间, RL为等效负载电阻(能量泄放电阻),它与流过电源开关管电流的大小或内阻也有很大的关系。
值得说明的是,(2-139)式与(2-140)式中的反电动势在意义上是不同的,(2-139)式中的反电动势为瞬时值,它一个以时间为自变量按指数规律或正弦规律变化的函数;而(2-140)式中的Eμ为平均值,即半波平均值,相当于把电感产生的反电动势等效成一个方波。根据欧拉公式,两个正交指数函数的和正好是一个正弦波,因此,LC谐振电路产生的电压或电流正好是正弦波。另外,当自由振荡起振时,其包络是按指数规律规律增加的,当其产生阻尼振荡时,其包络又是按指数规律规律衰减的。
知道了半波平均值,同样也可以通过它来估算最大值,因为指数函数是变化规律的:当时间t等于τ时(τ为时间常数),函数值的变化量(上升或下降)是最大值的63%;当时间t等于2.3τ时,函数值的变化量是最大值的90%。另外,正弦函数也是有规律的,因此,只要知道电路的时间常数和工作脉冲的宽度,以及半波平均值,就很容易估算出其最大值或瞬时值。
通过对图2-44电路进行详细分析,以及图2-45对应图2-44电路中的各点波形,使我们更容易理解半波平均值的意义。半波平均值就是把一个复杂的波形等效成一个方波。对于一个具有一定电工理论基础的人来说,一般电路中的工作电压波形基本上是了解的,理解半波平均值的意义之后,很容易就会把一个复杂的波形可以看成是一个已知的正弦波(或指数函数波)在上面进行迭加,这样可使问题处理变得非常简单。
从原理上来说,用图2-44的等效电路来等效开关变压器的工作原理还是有些过于简单,因为,在图2-44中,当电源开关管Q1突然关断瞬间,分布电感Ls没有放电回路,即负载电阻为无限大,根据(2-140)式,分布电感Ls两端产生的反电动势将非常大;但实际上,在分布电感 产生反电动势的时候,它是可以通过分布电感两端的分布电容产生并联振荡的,因此,我们可以把图2-44电路进一步改进成如图2-46所示电路。
在图2-46中,Cs1、Cs2都是分布电容,它们对于分布电感 来说,既可以产生串联振荡,又可以产生并联振荡。在电源开关管Q1导通瞬间,分布电感与分布电容主要是产生串联振荡,因为输入电压开始向串联振荡回路提供能量;在电源开关管Q1关断瞬间,分布电感与分布电容主要是产生并联振荡,因为分布电感Ls必须要通过并联回路释放能量。在实际应用中,分布电感Ls相对于励磁电感Lμ来说很小,因此,如果不考虑分布电感Ls 的作用,完全可以把Cs1、Cs2看成是一个分布电容。
由于在变压器线圈中,分布电容和分布电感是由非常多的电容和分布电感互相串、并联在一起组成,如要严格地用集中参数完全把它们等效是很难的。至于等效电路是采用串联还是并联,这主要看它在电路中所起的关键作用。例如,在电源开关管接通时,串联电容的作用是主要的;而在电源开关管关断时,并联电容的作用反而是主要的。
当电源开关管Q1关断瞬间,分布电感Ls产生反电动势将会在分布电感 、Cs1、Cs2组成的LC回路中产生并联振荡,并联振荡回路电容由Cs1和Cs2串联而成,Cs1和Cs2的大小以及比例关系,与变压器线圈的结构有关,线圈的层数越多,串联电容的容量就越大。
从图2-45-c以及(2-140)式还可以看出,分布电感Ls以及励磁电感Lμ产生的反电动势,其幅度一般都等于或大于输入电源电压的幅度(假设占空比等于0.5),即加到电源开关管D极的电压最高可达输入电压的两倍以上。这是因为电源开关管的关断时间一般都很短,而分布电感释放能量时等效负载电阻很大的缘故。因此,如果不对电源开关管采取保护措施,反电动势很容易就把电源开关管击穿。
根据(2-140)式,降低分布电感反电动势幅度的最有效方法是减小负载电阻RL的阻值。除此之外,还可以在谐振回路接入一个由电阻、电容并联,然后与整流二极管串联的反电动势限幅电路,来对分布电感以及励磁电感产生的反电动势进行限幅,如图2-47所示。
图2-47 对分布电感以及励磁电感产生的反电动势进行限幅在图2-47中,当电容器C1充上一定的电荷之后,其作用就相当于一个稳压二极管,不过这个稳压二极管的稳定电压值是动态的,它会随着反电动势的幅度升高而升高,而整流二极管D1的作用就相当于一个限幅二极管。当反电动势的幅度高于电容器C1两端的电压时,整流二极管D1就导通,反电动势就会向电容器C1充电,使变压器初级线圈的分布电感存储的能量向电容器转移,从而起到降低反电动势幅度的作用,与此同时电阻R1也会吸收一部份能量,使反电动势的幅度进一步降低。
电容器C1在吸收反电动势能量的过程中,其两端电压也会提高,但它可以通过R1进行放电,使电容器两端的电压基本保持在一个合理的范围。即:电容器C1在吸收反电动势的能量是有条件的,只有反电动势的的幅度超过某个值之后,它才开始吸收。正确选择RC放电的时间常数,使电容器在下次充电时的剩余电压刚好略高于方波电压的幅度,而电容充满电的幅度又低于开关管的耐压幅度,此时电源的工作效率最高。
以上我们对开关变压器的工作原理做了的比较详细的分析,但对于要设计一个实际电路中使用开关变压器来说,上面这些这些知识还远远不够,因此,后面我们还会用很大的篇幅来对开关变压器参数设计加以说明。因为,在具体电路中各种开关变压器的技术要求或参数都是不一样的,更多的内容留待我们后面进行具体电路设计时再详细介绍。
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众所周知,带电电缆、变压器对地都有一定的分布电容(介质存储的电荷量),而分布电容大小取决于电缆的 几何尺寸、电缆的长度和绝缘材料等。所以我们探讨分布电容的电流补偿对开关的设计是有着重要意义的,例如青佺大型电容器。如图例
用电阻合金丝绕制的标准电阻器的自感及分布电容在使用时会引起一些不良效果。为了减少自感,可采用双线绕法。但对100千欧的高值电阻器,所用的电阻丝很长,采用双线绕法会导致较大的分布电容,因而多采用分段绕法,使自感和分布电容均较小。
对用于交流电路的标准电阻器,希望其自感和分布电容更小,因而需要采用一些特殊绕法;骨架也常使用云母、陶瓷等优质绝缘材料,以进一步减少分布电容和介质损耗。
70年代以来,已试制成了一系列比锰铜材料性能更优良的新型电阻合金,其特点是在更宽的温度范围内具有很低的温度系数。用这些合金制成的标准电阻器可在一般室温条件下达到以前只能在恒温室中达到的测量准确度。在结构工艺方面,试制成了高准确度的薄膜电阻器,其自感及分布电容均比线绕电阻小得多,特别适用于交流测量。薄膜电阻器的稳定性已逐步接近传统的线绕电阻器。