中文名 | FBGA封装 | 外文名 | Fine-Pitch Ball Grid Array |
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简 介 | 细间距球栅阵列 | 特 点 | 体积只有TSOP封装的三分之一 |
采 用 | 采用BGA技术封装的内存 |
FBGA是底部球型引脚封装,也就是塑料封装的 BGA 。
下面介绍下BGA封装:
20世纪90年代随着技术的进步,芯片集成度不断提高,I/O引脚数急剧增加,功耗也随之增大,对集成电路封装的要求也更加严格。为了满足发展的需要,BGA封装开始被应用于生产。BGA是英文Ball Grid Array Package的缩写,即球栅阵列封装。
采用BGA技术封装的内存,可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高两到三倍,BGA与TSOP相比,具有更小的体积,更好的散热性能和电性能。BGA封装技术使每平方英寸的存储量有了很大提升,采用BGA封装技术的内存产品在相同容量下,体积只有TSOP封装的三分之一;另外,与传统TSOP封装方式相比,BGA封装方式有更加快速和有效的散热途径。
FBGA(通常称作CSP)是一种在底部有焊球的面阵引脚结构,使封装所需的安装面积接近于芯片尺寸。这种高密度、小巧、扁薄的封装技术非常适宜用于设计小巧的手持式消费类电子装置,如个人信息工具、手机、摄录一体机、以及数码相机。
BGA封装内存
BGA封装的I/O端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面,BGA技术的优点是I/O引脚数虽然增加了,但引脚间距并没有减小反而增加了,从而提高了组装成品率;虽然它的功耗增加,但BGA能用可控塌陷芯片法焊接,从而可以改善它的电热性能;厚度和重量都较以前的封装技术有所减少;寄生参数减小,信号传输延迟小,使用频率大大提高;组装可用共面焊接,可靠性高。2100433B
采用BGA技术封装的内存, 可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高两到三倍, BGA与TSOP相比, 具有更小的体积, 更好的散热性能和电性能。BGA封装技术使每平方英寸的存储量有了很大提升, 采用BGA封装技术的内存产品在相同容量下, 体积只有TSOP封装的三分之一;
另外, 与传统TSOP封装方式相比, BGA封装方式有更加快速和有效的散热途径。
BGA发展来的CSP封装技术正在逐渐展现它生力军本色, 金士顿、勤茂科技等领先内存制造商已经推出了采用CSP封装技术的内存产品。
CSP, 全称为Chip Scale Package, 即芯片尺寸封装的意思。作为新一代的芯片封装技术, 在BGA、TSOP的基础上, CSP的性能又有了革命性的提升。CSP封装可以让芯片面积与封装面积之比超过1:1.14,已经相当接近1:1的理想情况, 绝对尺寸也仅有32平方毫米, 约为普通的BGA的1/3, 仅仅相当于TSOP内存芯片面积的1/6。这样在相同体积下, 内存条可以装入更多的芯片, 从而增大单条容量。也就是说, 与BGA封装相比, 同等空间下CSP封装可以将存储容量提高三倍, 图4展示了三种封装技术内存芯片的比较, 从中我们可以清楚的看到内存芯片封装技术正向着更小的体积方向发展。CSP封装内存不但体积小, 同时也更薄, 其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.2mm, 大大提高了内存芯片在长时间运行后的可靠性, 线路阻抗显著减小, 芯片速度也随之得到大幅度的提高。CSP封装的电气性能和可靠性也相比BGA、TOSP有相当大的提高。在相同的芯片面积下CSP所能达到的引脚数明显的要比TSOP、BGA引脚数多的多(TSOP最多304根,BGA以600根为限,CSP原则上可以制造1000根), 这样它可支持I/O端口的数目就增加了很多。
此外, CSP封装内存芯片的中心引脚形式有效的缩短了信号的传导距离, 其衰减随之减少, 芯片的抗干扰、抗噪性能也能得到大幅提升, 这也使得CSP的存取时间比BGA改善15%-20%。在CSP的封装 方式中, 内存颗粒是通过一个个锡球焊接在PCB板上, 由于焊点和PCB板的接触面积较大, 所以内存芯片在运行中所产生的热量可以很容易地传导到PCB板上并散发出去;而传统的TSOP封装方式, 内存芯片是通过芯片引脚焊在PCB板上的, 焊点和PCB板的接触面积较小, 使得芯片向PCB板传热就相对困难。CSP封装可以从背面散热, 且热效率良好, CSP的热阻为35℃/W, 而TSOP热阻40℃/W。
测试结果显示, 运用CSP封装的内存可使传导到PCB板上的热量高达88.4%, 而TSOP内存中传导到PCB板上的热量能为71.3%。另外由于CSP芯片结构紧凑, 电路冗余度低, 因此它也省去了很多不必要的电功率消耗, 致使芯片耗电量和工作温度相对降低。目前内存颗粒厂在制造DDR333和DDR400内存的时候均采用0.175微米制造工艺, 良品率比较低。而如果将制造工艺提升到0.15甚至0.13微米的话, 良品率将大大提高。而要达到这种工艺水平, 采用CSP封装方式则是不可避免的。因此CSP封装的高性能内存是大势所趋
这种高密度、小巧、扁薄的封装技术非常适宜用于设计小巧的手持式消费类电子装置, 如个人信息工具、手机、摄录一体机、以及数码相机。
LED MCOB 封装与 LED COB 封装的区别 现在 LED 的 COB 封装,其实大家可以看到大多数的 COB 封装,包括日本的封装 COB 技术,他们都是基于里基板的封 装基础,就是在里基板上把 N 个芯片继承集成在一起进行封装,这个就是大家说的 COB 技术,大家知道里基板的衬底 下面是铜箔,铜箔只能很好的通电,不能做很好的光学处理 .MCOB 和传统的不同, MCOB 技术是芯片直接放在光学的 杯子里面的,是根据光学做出来的,不仅是一个杯,要做好多个杯,这也是基于一个简单的原理, LED 芯片光是集中在 芯片内部的,要让光能更多的跑出来,需要非常多的角,就是说出光的口越多越好,效率就能提升, MCOB 小功率的封 装和大功率的封装 .无论如何,小功率的封装效率一定要大于高功率封装的 15% 以上,大功率的芯片很大,出光面积只 有 4 个,可是小芯片分成 16 个,那出光面积就
led 封装种类有哪些,都是什么样的,最好有图片介绍 . 最佳答案 一、前言 大功率 LED 封装由于结构和工艺复杂, 并直接影响到 LED 的使用性能和寿命, 一直是近年来的研究热点, 特别是大功率白光 LED 封装更是研究热点中的热点。 LED 封装的功能主要包括: 1.机械保护,以提高可靠性 ;2.加强散热,以降低芯 片结温,提高 LED 性能 ;3.光学控制,提高出光效率,优化光束分布 ;4.供电管理, 包括交流 /直流转变,以及电源控制等。 LED 封装方法、材料、结构和工艺的选择主要由芯片结构、光电 /机械特性、 具体应用和成本等因素决定。经过 40 多年的发展, LED 封装先后经历了支架式 (Lamp LED) 、贴片式 (SMD LED) 、功率型 LED(Power LED) 等发展阶段。随着 芯片功率的增大,特别是固态照明技术发展的需求,对 LED 封装的光学、热
采用BGA技术封装的内存,可以使内存在体积不变的情况下,内存容量提高两到三倍,BGA与TSOP相比,具有更小体积,更好的散热性能和电性能。BGA封装技术使每平方英寸的存储量有了很大提升,采用BGA封装技术的内存产品在相同容量下,体积只有TSOP封装的三分之一;与传统TSOP封装方式相比,BGA封装方式有更加快速有效的散热途径。
DIP封装封装特点
适合在PCB(印刷电路板)上穿孔焊接,操作方便。 芯片面积与封装面积之间的比值较大,故体积也较大。 最早的4004、8008、8086、8088等CPU都采用了DIP封装,通过其上的两排引脚可插到主板上的插槽或焊接在主板上。
TQFP(thin quad flat package,即薄塑封四角扁平封装)薄四方扁平封装低成本,低高度引线框封装方案。
薄四方扁平封装对中等性能、低引线数量要求的应用场合而言是最有效利用成本的封装方案,且可以得到一个轻质量的不引人注意的封装,TQFP系列支持宽泛范围的印模尺寸和引线数量,尺寸范围从7mm到28mm,引线数量从32到256。