发光效率是一个光源的参数,它是光通量与功率的比值。根据情况不同,此功率可以指光源输出的辐射通量,或者是提供光源的能(可以是电能,化学能等)。发光效率中的功率通常要根据情境而定,但在很多情况下都指代不明。前者的定义有时叫辐射发光效率,后者称电源发光效率。 电源发光效率为一种:测量电能提供光源发出可见光的效率,也就是辐射通量对输入电功率的比值 。辐射发光效率描述:光源提供可见光的效率,也就是光通量对辐射通量的比值。因人眼的结构,并非所有波长的光能见度都一样。红外光和紫外光的光谱对于发光效率不造成影响。光源的发光效率与光源把能量转化为电磁辐射的能力以及人眼感知所发出的辐射的能力有关。
中文名称 | 发光效率(简称光效) | 外文名称 | luminous efficiency |
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定义 | 光通量与功率的比值 | 别称 | 光源输出的辐射通量 |
公式 | i |
发光效率换算
λ0、λi各为发射及激发光的波长。由于斯托克斯位移,常有ηq≥ηp的关系。
发光效率还可分为外部效率及内部效率;外部效率只考虑输出的光能与投向发光体的光能或电能之比,而且是吸收的能量转化为光能的纯转化效率。输入光由于反射和再吸收受到损失,因此,外部效率总是小于(或接近于)内部效率,后者才是反映能量转换过程的真实参数。
发光效率的大小反映发光体内部能量激发、能量传递、复合发光以及无辐射复合过程的总效果,它与发光体的成分、发光中心的种类及浓度、共激活剂的选择、有害杂质(猝灭中心)的控制以及发光晶体的完整性,甚至与具体的工艺过程有关。
下表列出几类实用发光体光度效率的参考值:
功率效率ηP是指发光体输出的发射功率P0与输入的激发功率Pi(光功率、电子束功率、电注入功率等)之比:ηP=P0/Pi,是一个无量纲的小于1的常数。因为多数发光体用于显示和照明,其功能是用人眼衡量的,但人眼只感觉可见光,且对不同波长的灵敏度也很不相同。因此,发射光谱不同的发光体,即使它们有相同的功率效率,人眼所见的亮度也不同。要反映这样的差别可用光度效率η1,它是发光体的发光通量Ф(以流明为单位)和激发功率Pi之比,η1=Ф/Pi,单位为流明/瓦。
显然,如已知发光体的发射光谱,则功率效率与光度效率可以相互换算。
在对发光体的基础研究中,尤其对于光致发光及注入式电致发光体,常用量子效率ηq表征发光效率。量子效率是指发光体发射的光子数N0与激发时吸收的光子数或注入的电子(空穴)数Ni之比:ηq=N0/Ni,是一个无量纲的数值。
对于光致发光材料,当激发与发射均为单色光或接近单色光时,量子效率与功率效率可以通过表式。
建筑模型射灯:电压:1.8-2V,脚长:3.2cm,电流:15-20MA,亮度:超高亮,光源:聚光发光二极管的作用: 二极管是最常用的建筑模型环境灯,模型地块装饰灯柱,模型古树七彩...
发光效率是一个光源的参数。它是光通量与功率的比值,此功率指的是光源输出的辐射通量,或者是提供光源的电能,前者的定义有时叫辐射发光效率,后者称电源发光效率。 电源发光效率为一种:...
白炽灯除了发出可见光,还有很大一部分能量以热量形式辐射掉了. 日光灯属于冷光源,相对辐射的热量不多,大部分用于发光. 这是我的理解.
白光 LED的发光效率的提高方法? 检举 | 2008-12-22 09:16 满意回答 LED 的发光效率其实分为两大块:内量子效率和外量子效率,对于内量子效率 通俗讲也就是电子跃迁产生光子的效率。 如何提高效率就是 1.降低非辐射跃迁- -减少非辐射的复合中心(主要是晶体缺陷) 2.形成稳定的需要的能级差-- a. 有效掺杂 b.降低结温 其实现在这部分技术相当成熟了, 国外有很多的相关文献可以参考, 基本可以达 到 80%甚至 90%以上 而外量子效率远没有这样高,也就是光子产生了,却无法有效放出,被 LED 吸 收产生为热能导致结温升高,同时降低内量子效应才是问题的关键。 一、透明衬底技术 InGaAlP LED 通常是在 GaAs 衬底上外延生长 InGaAlP 发光区 GaP 窗口区制 备而成。与 InGaAlP 相比,GaAs 材料具有小得多的禁带宽度,因此,当短波长
光源发光效率
光源发光效率是指一个光源所发出的光通量 φ 与该光源所消耗的电功率 P之比。
一般称为组件的外部量子效率,其为组件的内部量子效率与组件的取出效率的乘积。所谓组件的内部量子效率,其实就是组件本身的电光转换效率,主要与组件本身的特性(如组件材料的能带、缺陷、杂质)、组件的垒晶组成及结构等相关。而组件的取出效率则指的是组件内部产生的光子,在经过组件本身的吸收、折射、反射后,实际在组件外部可测量到的光子数目。因此,关于取出效率的因素包括了组件材料本身的吸收、组件的几何结构、组件及封装材料的折射率差及组件结构的散射特性等。而组件的内部量子效率与组件的取出效率的乘积,就是整个组件的发光效果,也就是组件的外部量子效率。早期组件发展集中在提高其内部量子效率,主要方法是通过提高垒晶的质量及改变垒晶的结构,使电能不易转换成热能,进而间接提高LED的发光效率,从而可获得70%左右的理论内部量子效率,但是这样的内部量子效率几乎已经接近理论上的极限。在这样的状况下,光靠提高组件的内部量子效率是不可能提高组件的总光量的,因此提高组件的取出效率便成为重要的研究课题。方法主要是:晶粒外型的改变——TIP结构,表面粗化技术。