二氯硅烷主要用途

1.用于制造半导体，尤其是在外延法工艺中作为硅源。二氯二氢硅主要用于多晶硅外延生长以及化学气相沉积二氧化硅和氮化硅。它的硅含量比三氯氢硅和四氯化硅高，二氯二氢硅沉积硅更有效，且淀积温度比其他氯硅烷低。采用二氯二氢硅在降低温度下沉积厚层所需时间大大低于采用硅烷所需时间。由于二氯二氢硅的沉积速率与采用其他氯硅烷相比对温度敏感性小，因此可以采用调节氢气流中二氯二氢硅浓度的方法来控制沉积速率，而且不会出现鼓泡所带来的不准确性和机械问题。2.用于甲硅烷基化剂，及合成硅的有机化合物。[21]

1.将硅粉和氯化氢按适当比例进行反应，生成二氯二氢硅，经蒸馏分离三氯氢硅，把得到的二氯二氢硅进行精制，制得电子级高纯二氯二氢硅成品。

2.将27.1g SiHCl3与3.7g Bu3N在常压下回流40h，即得到产品。产物用置于干冰浴上的接收器收集。产率可达到7.3%。

3.将硅粉和氯化氢按适当比例进行反应，生成二氯二氢硅，经蒸馏分离三氯氢硅，将得到的二氯二氢硅进行精制，制得电子级高纯二氯二氢硅成品。其反应式如下：

储存注意事项[20] 储存于阴凉、通风的有毒气体专用库房。库温不宜超过30℃。远离火种、热源。包装必须密封，切勿受潮。应与氧化剂、碱类、醇类、食用化学品分开存放，切忌混储。采用防爆型照明、通风设施。禁止使用易产生火花的机械设备和工具。储区应备有泄露应急处理设备。

1.性状：无色气体，有特征气味。[1]

2.熔点（℃）：-122[2]

3.沸点（℃）：8.3[3]

4.相对密度（水=1）：1.26[4]

5.相对蒸气密度（空气=1）：3.48[5]

6.饱和蒸气压（kPa）：163.6（20℃）[6]

7.临界压力（Mpa）：4.55[7]

8.辛醇/水分配系数：1.150[8]

9.闪点（℃）：-55[9]

10.引燃温度（℃）：41~47[10]

11.爆炸上限（%）：96.0[11]

12.爆炸下限（%）：4.1[12]

13.溶解性：溶于苯、乙醚等多数有机溶剂。[13]

中文名称:二氯硅烷

英文名称:Dichlorosilane

别名:4-甲苯基硫脲 对甲基苯基硫脲

更多名称:4-Tolythiourea p-Methylphenylthiourea 4-Methylphenylthiourea

CAS号:4109-96-0

分子式:Cl2Si

分子量:98.9915

R12:Extremely flammable. 极度易燃。

R14:Reacts violently with water. 遇水反应剧烈。

R23:Toxic by inhalation. 吸入有毒。

R34:Causes burns. 引起灼伤。