使用衬底尺寸200mm*200mm;衬底温度最高为350℃,温度均匀性正负5℃;可用于沉积SiO2,SiNx薄膜;薄膜均匀性正负5%;可接入6路工艺气体;传送腔室最终压力小于10Pa;反应腔室最终压力小于2Pa。
主要用于制备SiO2、SiNx薄膜。
等离子体聚合物在结构上与普通的聚合物显著不同,它能形成含有活性基团的高度交联的网络结构,从而具有良好的均匀性及对基质的附着性[1,2].有关采用等离子体聚合膜的TSM传感器的报道不多[3,4],本室已...
国内外企业利用低温等离子体技术在环保方面开发出了“低温等离子体有机废气净化设备”、“低温等离子体废水净化设备”及“低温等离子体汽车尾气净化技术”。1、低温等离子体在保鲜、杀菌、除臭等方面产品开发,目前...
低温等离子体物理与技术经历了一个由60年代初的空间等离子体研究向80年代和90年代以材料为导向研究领域的大转变,高速发展的微电子科学、环境科学、能源与材料科学等,为低温等离子体科学发展带来了新的机遇和...
介绍了采用90°螺旋管的过滤真空弧等离子体沉成膜系统,对磁过滤管道的传输特性进行了实验研究,实验观察到,弧源聚焦磁场和过滤管道正偏压越高,过滤管道的传输效率越高,但聚焦磁场高过一定阈值时,会出现起弧不稳现象,此阈值的大小同过滤管道磁场及偏压的大小有关,过滤管道正偏压在40 ̄60V范围内,管道磁场在7 ̄11mT时传输效率较高,偏压越高达到最佳传输效率所需的过滤管道磁场越高。
以制备兼具阳光控制和低辐射功能的镀膜玻璃为目的,以硅烷与四氯化钛为反应前驱体,氮气为保护气体和稀释气体,通过常压化学气相沉积法模拟玻璃浮法在线镀膜工艺,在玻璃基板上成功制备了Ti5Si3薄膜,用X射线衍射、场发射扫描电子显微镜、四探针测阻仪和分光光度计对薄膜的相结构、形貌、电学、光学性能进行了表征。结果表明:薄膜为六方结构的Ti5Si3晶相,晶相含量较高,晶粒尺寸为23nm,薄膜中的晶粒以200nm左右的多晶颗粒团聚体形式存在。薄膜电阻率为122μΩ·cm,与Ti5Si3晶体的本征电阻率相当。这种单层镀膜玻璃的红外反射率可高达92.1%,可见光区的透过率为25%,兼具阳光控制和低辐射功能。
低温成膜,温度对基片影响小,可制备厚膜,膜层成分均匀;等离子体对基片有清洗作用;该设备主要应用等离子体化学气相沉积技术,用来制作SiO2、SiN4、非品Si等介电、半导体及金属膜。
直径450*H400mm,真空极限优于6.7*10-5Pa,频率13.56MHz.低温成,温度对基片影响小,可制备厚膜,膜层成分均匀,等离子体对基片有清洗作用。
薄膜材料。