《DL/T1086-2008-光电式(CCD)静力水准仪》是根据《国家发展改革委办公厅关于印发2006年行业标准项目计划的通知》(发改办工业[2006]1093号)进行编制的。《DL/T1086-2008-光电式(CCD)静力水准仪》由中国电力企业联合会提出。
《DL/T1086-2008-光电式(CCD)静力水准仪》由电力行业大坝安全监测标准化技术委员会归口并负责解释。
《DL/T1086-2008-光电式(CCD)静力水准仪》主要起草单位:北京木联能工程科技有限公司。
《DL/T1086-2008-光电式(CCD)静力水准仪》主要起草人:郭晨、尚宏、闵俊武、陆声鸿、刘爱梅、张立英、贡保臣、江兴南。
前言
1 范围
2 规范性引用文件
3 术语和定义
4 基本原理和产品规格
4.1 基本原理
4.2 产品规格
5 技术要求
5.1 环境条件
5.2 性能参数
5.3 绝缘电阻
5.4 抗电强度
5.5 抗电磁干扰
5.6 稳定性
5.7 连续通电
5.8 耐运输颠振性能
5.9 外观及其他
6 试验方法
6.1 主要试验设备
6.2 性能参数检验
6.3 绝缘电阻试验
6.4 抗电强度试验
6.5 抗电磁干扰试验
6.6 稳定性试验
6.7 连续通电试验
6.8 耐运输颠振性能试验
6.9 外观及其他检验
7 检验规则
7.1 检验分类
7.2 出厂检验
7.3 型式检验
8 标志、包装、运输、储存
8.1 标志
8.2 包装
8.3 运输
8.4 储存
9 产品随行文件2100433B
HC-R型静力水准仪是一种高精密液位测量系统,该系统适用于测量多点的相对沉降。在使用中,多个静力水准仪的容器用通液管联接,每一容器的液位由磁致伸缩式传感器测出,传感器的浮子位置随液位的变化而同步变化,...
静力水准仪的优点比较多,比如:测量精度高、稳定性强、不受低温影响等。主要是通过液位高低的测量来确定被测体的垂直沉降。主要使用在地铁、隧道、桥梁、建筑物基础等的沉降观测。缺点呢,主要是由于液体的粘滞作用...
如果你套用的市政定额,可以在参考排水管的子目去计算
对结构健康影响最大的外力因素是重力,因此结构的竖向位移最能代表结构位置的变化。竖向位移通常也简称沉降。
传统的人工测量耗时太多,监测周期长,只能反应变化的长期趋势。难以反应快速变化的竖向位移。而静力水准仪可用来在线自动测量沉降数据。
静力水准仪的性价比,必须从仪器的配置、量程精度、价格、售后服务或是维护的便利性来综合考虑。价廉的仪器,可能精度较差,稳定性差,售后无保障,使用寿命短;所以选择可靠的供应商,能够提供静力水准仪、采集网关、监测云平台等一整套系统及方案的供应商尤为重要。
《光电式(CCD)静力水准仪》由中国电力出版社出版。
e)滞后误差δ3≤0.25%F·S。
f)工作电源:满足DL/T5211中6.1.2有关要求。
5.3 绝缘电阻
CCD静力水准仪的交流输入回路与外壳之间绝缘电阻值应大于50MΩ。
5.4 抗电强度
CCD静力水准仪的交流输入回路与外壳之间介质强度应满足DL/T478的要求。
5.5 抗电磁干扰
CCD静力水准仪应具备抗电磁干扰的能力,在发生干扰后数据应不丢失、不失真,保证装置正常运行。
5.6 稳定性
CCD静力水准仪静置一个月,其漂移量δd≤0.5%F·S,且绝缘性能满足5.3的要求。
5.7 连续通电
CCD静力水准仪出厂前,应进行不少于72h连续通电试验。通电结束后,CCD静力水准仪应能正常工作。
5.8 耐运输颠振性能
CCD静力水准仪在运输包装的情况下,经运输颠振试验后,其性能仍应满足5.2和5.3的要求。
5.9 外观及其他
CCD静力水准仪的外壳应没有锈斑、明显划痕及凹陷损伤,紧固件应无松动。
6 试验方法
6.1 主要试验设备
a)专用标定设备、固定夹具。
b)零级千分表,0~50mm零级百分表,数显卡尺:量程150mm,示值误差≤±0.03mm。
c)500V兆欧表、耐压测试仪。
d)环境试验箱,温度偏差不大于±2℃,相对湿度偏差不超过±2%。
e)运输颠震试验台,加速度变化大于3g。
6.2 性能参数检验
6.2.1 通信接口试验
在正常试验条件下,将CCD静力水准仪与计算机连接,CCD静力水准仪对通信指令能正常响应,则CCD静力水准仪通信接口满足5.2.1的要求。
6.2.2 分辨力试验
在正常试验条件下,将CCD静力水准仪安放在专用标定设备上,在CCD静力水准仪的(0 2mm)、L/2、(L-2mm)量程处(L为CCD静力水准仪满量程值),用以下方法分别试验:先由千分表按5.2.2规定的分辨力最大值为步长缓慢给出位移,然后用CCD静力水准仪测量,记录测量结果,如此连续往同方向共进行5次。CCD静力水准仪在3个量程处测量结果的变化趋势都是单调的,则CCD静力水准仪的分辨力满足5.2.2的要求。
光电式传感器CCD
结构:MOS电容器→光敏元或像素;MOS阵列→CCD器件
原理:如图所示 :