1、体积小 2、外壳与电极绝缘 3、可靠性高 4、安装方便
1、体积小 2、外壳与电极绝缘 3、可靠性高 4、安装方便
1、 短路电流保护; 2、 阻容吸收回路作过压保护; 3、门极触发特性,应满足; 4、使用频率; 5、 温度保护;
关注你的提问几天了,想帮你,但你的问题不太清楚,你究竟要做什么半导体制冷模块,干什么用的,有什么要求,再补充一下。
半导体主要具有三大特性:1.热敏特性半导体的电阻率随温度变化会发生明显地改变。例如纯锗,湿度每升高10度,它的电阻率就要减小到原来的1/2。温度的细微变化,能从半导体电阻率的明显变化上反映出来。利用半...
半导体封装简介:半导体生产流程由晶圆制造、晶圆测试、芯片封装和封装后测试组成。半导体封装是指将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程。封装过程为:来自晶圆前道工艺的晶圆通过划片工艺...
1、 短路电流保护; 2、 阻容吸收回路作过压保护; 3、门极触发特性,应满足; 4、使用频率; 5、 温度保护;
a) 使用环境应无剧烈振动和冲击,环境介质中应无腐蚀金属,破坏绝缘的杂质和气氛; b) 模块的工作温度:晶闸管-40℃~ 125℃,整流管-40℃~ 150℃(均为结温)环境相对湿度≤85%,海拔1000米以下; c) 模块采用强迫风冷时,风速应为6米/秒,环境温度-40℃~ 40℃,水冷模块水流量不小于4×103ml/min,进水温度:-5℃~35℃;
电力半导体模块的使用环境条件
a) 使用环境应无剧烈振动和冲击,环境介质中应无腐蚀金属,破坏绝缘的杂质和气氛; b) 模块的工作温度:晶闸管-40℃~+125℃,整流管-40℃~+150℃(均为结温)环境相对湿度≤85%,海拔1000米以下; c) 模块采用强迫风冷时,风速应为6米/秒,环境温度-40℃~+40℃,水冷模块水流量不小于4×103ml/min,进水温度:-5℃~35℃;
(1) 电力电子半导体模块化: 模块化,按最初的定义是把两个或两个以上的电力半导体芯片按一定的电路结构相联结,用rtv、弹性硅凝胶、环氧树脂等保护材料,密封在一个绝缘的外壳内,并且与导热底板相绝缘而成的。 自从模块原理引入电力电子技术领域以来,已开发和生产出多种内部电路相联接形式的电力半导体模块,诸如双向晶闸管、电力mosfet以及绝缘栅双极型晶闸管(igbt)等模块,使得模块技术得以更快的发展。 伴随着mos结构为基础的现代半导体器件研发成功,人们把器件芯片与控制电路、驱动电路、过压、过流、过热和欠压保护电路以及自诊断电路组合起来,密封装在同一绝缘外壳内称之为智能化电力半导体模块,即ipm。 为了提高整个系统的可靠性,以适应电力电子技术向高频化、小型化、模块化方向发展。在ipm的基础上,再增加一些逆变器的功能,使逆变电路(ic)的所有器件以芯片形式封装在一个模块中,便成为用户专用电力模块(aspm),这样的模块更有利于高频化。 为了能使逻辑电平为几伏、几毫安的集成电路ic与几百伏、几千伏的电力半导体器件相集成,以满足电力事业的发展,人们采用混合封装方法制造出能适应于各种场合的集成电力电子模块(ipem)。 (2) 智能晶闸管模块: 晶闸管智能模块itpm(intelligent thyristor power mudule),是把晶闸管主电路和移相触发系统以及过电流、过电压保护、传感器等共同封装在一个塑料外壳内制成的,使有关电路成为了一个整体。该晶闸管是电流控制型电力半导体器件,需要大的脉冲触发功率才能驱动晶闸管,该模块做起来具有一定难度。 (3) igbt智能模块: 80年代,绝缘栅双极晶体管igbt器件研发成功。由于igbt器件具有电压型驱动、驱动功率小、开关速度高、饱和压降低以及可耐高电压、大电流等一系列应用上的优点,并可用ic来实现驱动和控制,进而发展到集成igbta芯片、快速二极管芯片、控制和驱动电路、过压、过流、过热和欠压保护电路,箱位电路以及自诊断电路等封装在同一绝缘外壳内,具有智能化的igbt模块(ipm)。它为电力电子逆变器的高频化、小型化、高可靠性和高性能创造了器件基础。 (4) 通信电源模块: 现今电力电子技术在电源模块中发展的趋势是低电压、大电流。在次级整流电路中选用同步整流技术成为一种高效、低损耗的方法。由于功率moseft的导通电阻很低,能提高电源效率,因而在采用隔离buck电路的dc/dc变换器中已开始应用。同步整流技术是通过控制功率moseft的驱动电路,实现整流功能的技术。一般驱动频率固定,大约可达200khz以上,门限驱动可以采用交叉合(crosscoupled)或外加驱动信号配合死区时间控制实现。同步整流技术不仅提高了电源效率,而且给通信电源模块带来了新的进步,使得同步整流成为一种主流电源技术,应用于广泛的工业生产领域。
在电力半导体用散热器热阻测试中,热阻值的大小除了与其自身结构﹑冷却介质和温度测量有关外,耗散功率的产生、测量和计算也是其中一个重要因素,并且,直接测量方法的测试结果比间接方法更为准确。利用GB/T8446.2-2004中规定的方法等效变换,通过推导给出了简约计算公式。其结果可较方便地用于热阻测试,减少了中间测试和计算环节,提高了散热器热阻参数的测试效率及准确度。在实际测试应用时,有效快捷,具有较高的实用性。
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备案号:0066-1993
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欣大电气有限公司主要生产、设计、销售的产品有继电器、固体继电器和电力半导体模块。