多晶硅还原炉钟罩清洗系统

图1是根据《一种多晶硅还原炉》的一个实施例的多晶硅还原炉的示意图；

图2是根据《一种多晶硅还原炉》的另一实施例的多晶硅还原炉的示意图。

一种多晶硅还原炉专利目的

《一种多晶硅还原炉》的目的在于提出一种可以降低能耗并且可以提高产量的多晶硅还原炉。

一种多晶硅还原炉技术方案

根据《一种多晶硅还原炉》实施例的多晶硅还原炉，包括：底盘和炉体，所述炉体连接在所述底盘上且在所述炉体与所述底盘之间限定出反应腔室；四十八对电极，所述四十八对电极设在所述底盘上且分别分布在第一、第二、第三和第四圆周，所述第一、第二、第三和第四圆周为以所述底盘中心为圆心且半径依次增大的同心圆周；进气系统，所述进气系统包括设在所述底盘中部的多个喷嘴；和排气系统，所述排气系统包括多个排气口，所述排气口设在所述底盘上且位于所述第四圆周与所述炉体之间。

根据该发明实施例的多晶硅还原炉，所述四十八对电极设在所述底盘上且分别分布在第一、第二、第三和第四圆周，由此，可以合理利用热能，同时也可以避免炉体内侧壁带走过多热量，可以降低热量损耗。

另外，根据该发明上述实施例的多晶硅还原炉还可以具有如下附加的技术特征：

根据该发明一个实施例的多晶硅还原炉，在所述第一、第二、第三和第四圆周上沿圆周方向依次均匀分布有六对、十对、十四对和十八对电极。电极如此布置，可以最大程度的合理利用热能。

根据该发明一个实施例的多晶硅还原炉，所述多个喷嘴分别分布于第五、第六、第七和第八圆周上，所述第五、第六、第七和第八圆周均以所述底盘中心为圆心且分别位于所述第一圆周之内和第一与第二圆周、第二与第三圆周以及第三与第四圆周之间。由此，可以使工艺气体在所述反应腔室内均匀分布，可以提高单炉产量。

有利地，根据该发明一个实施例的多晶硅还原炉，所述多个喷嘴的数量为二十四个，其中在所述第五和第六圆周上分别均匀分布有四个喷嘴，第七和第八圆周上分别均匀分布有八个喷嘴。由此，可以使所述多个喷嘴的布局更为合理，可以有效地与所述四十八对电极相配合。

进一步地，根据该发明一个实施例的多晶硅还原炉，所述进气系统还包括：进气环管，所述进气环管位于所述底盘下方且与外部气源相连通；二十四个进气管，所述二十四个进气管分别与所述二十四个喷嘴一一对应且所述二十四个喷嘴通过所述二十四个进气管与所述进气环管相连接。由此，可以使每个所述喷嘴的进气量都保持一致。

根据该发明一个实施例的多晶硅还原炉，所述多个排气口的数量为八个。由此，可以使反应尾气及时排出。

根据该发明一个实施例的多晶硅还原炉，所述底盘内形成有第一冷却腔，且所述第一冷却腔具有第一冷却介质进口和多个第一冷却介质出口，所述第一冷却介质进口位于所述底盘的中央，而所述多个第一冷却介质出口与所述多个排气口一一对应设置，每个所述第一冷却介质出口连接有第一冷却管且每个所述排气口连接有尾气管，所述第一冷却管套设在所述尾气管上。由此，可以改善生产条件，可以保证安全生产。

根据该发明一个实施例的多晶硅还原炉，所述炉体内设有第二冷却腔且所述第二冷却腔连接有第二冷却介质进口和第二冷却介质出口，所述第二冷却介质进口位于所述炉体的底部且所述第二冷却介质出口位于所述炉体的顶部，所述第二冷却腔内设有多个隔流挡板，所述多个隔流挡板在所述第二冷却腔内由下至上绕所述反应腔室呈螺旋状分布。由此，可以改善生产条件，可以保证安全生产。

根据该发明一个实施例的多晶硅还原炉，所述炉体包括位于下部的筒体和设在所述筒体顶端的封头，所述封头为中空半球体。由此，可以减小上升气流在所述反应腔室顶部的上升阻力。

有利地，根据该发明一个实施例的多晶硅还原炉，所述炉体上还设有多个观察镜，所述多个观察镜在所述筒体的高度方向上均匀分布成多排且所述多个观察镜沿所述筒体的周向均匀分布。由此，可以及时观察所述反应腔室内的情况。

该发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过该发明的实践了解到。

一种多晶硅还原炉有益效果

根据《一种多晶硅还原炉》实施例的多晶硅还原炉，可以合理利用热能，同时也可以避免炉体内侧壁带走过多热量，可以降低热量损耗。

2020年7月，《一种多晶硅还原炉》获得第二十一届中国专利银奖。