电通密度

电场强度在一封闭曲面上的面积分与封闭曲面所包围的电荷量成正比。

电场E （矢量）通过任一闭曲面的通量，即对该曲面的积分等于4π乘以该曲面所包围的总电荷量。

静电场（见电场）的基本方程之一，它给出了电场强度在任意封闭曲面上的面积分和包围在封闭曲面内的总电量之间的关系。

根据库仑定律可以证明电场强度对任意封闭曲面的通量正比于该封闭曲面内电荷的代数和，

通过任意闭合曲面的电通量等于该闭合曲面所包围的所有电荷量的代数和与电常数之比。

电场强度对任意封闭曲面的通量只取决于该封闭曲面内电荷的代数和，与曲面内电荷的分布情况无关，与封闭曲面外的电荷亦无关。

在真空的情况下,Σq是包围在封闭曲面内的自由电荷的代数和。

当存在介质时,Σq应理解为包围在封闭曲面内的自由电荷和极化电荷的总和。

在静电场中，由于自然界中存在着独立的电荷，所以电场线有起点和终点，只要闭合面内有净余的正（或负）电荷，穿过闭合面的电通量就不等于零，即静电场是有源场；

高斯定理反映了静电场是有源场这一特性。

凡是有正电荷的地方，必有电力线发出；凡是有负电荷的地方，必有电力线会聚。

正电荷是电力线的源头，负电荷是电力线的尾闾。

高斯定理是从库仑定律直接导出的，它完全依赖于电荷间作用力的二次方反比律。

把高斯定理应用于处在静电平衡条件下的金属导体，就得到导体内部无净电荷的结论，因而测定导体内部是否有净电荷是检验库仑定律的重要方法。

对于某些对称分布的电场,如均匀带电球的电场,无限大均匀带电面的电场以及无限长均匀带电圆柱的电场，可直接用高斯定理计算它们的电场强度。

电位移对任一面积的能量为电通量，因而电位移亦称电通密度。2100433B

表示符号：通常以D表示

单位：库伦/平方米，可以为矢量

物理意义可有下式表示： dW=E*dD，E表示电介质所处的电场强度，dw为电场对单位电介质做的功。

另由电位移的高斯定律--通过任意封闭曲面的电位移通量等于该封闭面包围的自由电荷的代数和。这说明电位移（电通密度）只取决于自由电荷Q而与电介质中束缚电荷无关。

假设，一个体积为V的载电体，其电荷密度

假设，在某一区域内有N个离散的点电荷，像电子。那么，电荷密度可以用狄拉克δ函数来表达为

其中，

面电流的分布可以用面电流密度来描写，通过宽为

其中j为垂直相应截面的电流密度。

其中，q是电子的电荷量。

注意到

例如，氢原子的波函数

其中，