电容效应

在L、C串联电路中,如果容抗大于感抗,即1/ωC>ωL,电路中将流过容性电流。电容上的电压等于电源电动势加上电容电流流过电感造成的电压升。这种电容上的电压高于电源电动势的现象,称为电容效应  。

电容效应基本信息

中文名 电容效应 外文名 capacitance effect
别    名 容升效应 特    点 电容上的电压高于电源电动势
产生条件 L、C串联电路

为了限制电容效应引起的工频电压升高,在超高压电网中,广泛采用并联电抗器来补偿线路的电容电流,以削弱其电容效应 。2100433B

电容效应造价信息

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超高压输电线路距离较长,输电线路的电容不能忽略,此时就必须考虑线路的电容效应。

电容效应作用效果

长距离输电线路空载或轻载时由于线路容抗大于线路感抗,在电源电动势的作用下,线路中通过的电容电流在感抗上的压降将使容抗上的电压高于电源电动势,即空载线路上的电压高于电源电压,致使沿线电压分布不均,末端电压最高。这就是空载或轻载线路的电容效应,又称费兰梯效应(Ferranti effect)。超高压输电系统空载线路的电容效应是引起工频过电压的主要原因,这种过电压虽然对系统正常绝缘的电气设备一般没有危害 ,但在超高压远距离输电确定绝缘水平时却起着重要作用 。

电容效应作用原理

超高压远距离输电线路,要考虑它的分布参数特征。对于三相对称、稳态、均匀的线路,可以取单相线路进行计算,计算时取正序参数。单相线路示意图如图1所示。

图1中:Z1、y1分别为单位长度线路的阻抗和导纳,

分别表示距线路末端长度为x处的电压电流;
分别表示距线路末端x dx处的电压电流。

线路末端电压U2和电流I2为已知值时的线路稳态方程为:

(1)

(2)

式中:

为线路传播系数,对架空线路来说,
,为无损线路的波阻抗,L0、C0为线路单位长度的电感、电容。

对于空载无损线路:

则线路末端电压与首端电压关系为

(3)

距线路末端x处的电压为

(4)

由式(4)可见:均匀空载线路沿线电压呈余弦升高,末端电压最高。它主要起源于由输电线路对地电容引起的无功过剩,线路越长,无功过剩越多,从而沿线电压升高越明显。在我国超高压系统中,要求线路侧工频过电压不大于最高运行相电压的1.4倍,母线侧不大于1.3倍。因此,应当采取措施抑制工频电压升高 。

电容效应注意事项

1)超高压输电线路在空载或轻载时会出现工频电压升高,如不采取措施,对设备绝缘及其运行条件产生重大影响,影响保护电器的工作条件和效果。

2)采用分段并联电抗器的无功补偿措施可有效抑制工频电压升高,沿线设置的并联电抗器数越多,效果越好。并联电抗器的数量和补偿度的确定应考虑技术和经济的因素。

3)仅一处并联电抗器时,在末端最佳;线路末端压将给变电站无功补偿、电压控制带来困难 。

在电感、电容串联的L-C回路中,如果容抗大于感抗,即回路固有振荡角频率

比电源角频率高时,在电源电压E作用下,回路中将流过电容性电流。容性电流在电感上的压降V1与电容上电压Vc反相,即Vc=E V1。抬高了电容上的电压,这种现象称为电容效应 。

电容效应常见问题

  • 电容作用

    在通常使用的家用电器中,电容器主要有三个作用:1 在需要直流电源的电路中,对交流电源整流后用电容器滤波,得到平滑的直流电。如不用这个电容器,交流电源经整流后的脉动直流电流不能经滤波成为平滑的...

  • 什么样的电机需要加电容?电容作用?

    用在单相电机的电容一般有两种:一种是我们较常见的启动电容,顾名思义,由于单相电机形成的磁场不是旋转的,在启动时就有了电机转向的不确定性或难以启动。通过电容的移相作用,使电机形成旋转的磁场,从而电机顺利...

  • 电容运转电机的电容怎么计算容量?

    行电容的容量可按下式计算:C=1950*In/(Un*COSФ) (μF)式中In、Un、cos十分别是原三相电机铭牌上的额定电流、额定电压和功率因数值,若铭牌上无功率因数,cosy可取0&#...

电容效应文献

电容参数 电容参数

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一、电容的主要参数: 1、 电压 1) 额定电压:两端可以持续施加的电压,一般为直流电压,通常用 VDC。而专用于 交流电的则为交流有效值电压,通常为 VAC。 电容器的交直流额定电压换算关系 直流额定电压 VR/VDC 50 63 100 250 400 630 1000 交流额定电压 VR/VAC 30 40 63 160 200 220 250 2) 浪涌电压:电解电容特有的电压参数,是短时间可以承受的过电压,为额定电压的 1.15 倍。 3) 瞬时过电压:是铝电解电容特有电压参数,为可以瞬时承受的过电压,这个浪涌电 压约为额定电压的 1.3 倍,是铝电解电容的击穿电压。 4) 介电强度:电容额定电压低于电容中介质的击穿电压。一般为额定电压的 1.5~2.5 倍。如:铝电解电容的击穿电压约为额定电压的 1.3 倍;其它介质则通常为 1.75~2 倍以上。 5) 试验电压:薄膜电容

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PN结的电容效应限制了二极管三极管的最高工作效率,PN结的电容效应将导致反向时交流信号可以部分通过PN结,频率越高则通过越多。

二极管,三极管反向的时候,PN结两边的N区和P区仍然是导电的,这样两个导电区就成了电容的两个电极。从而构成PN结的电容效应。

为了减小这个电容,会减小PN结面积或增加PN结厚度,并且一般用势垒电容,扩散电容来等效。

采用平衡法或中和法可以适当地减弱密勒电容的影响。中和方法即是在晶体管的输出端与输入端之间连接一个所谓中和电容,并且让该中和电容上的电压与密勒电容上的电压相位相反,使得通过中和电容的电流恰恰与通过密勒电容的电流方向相反,以达到相互抵消的目的;当然,为了有效地抑制密勒效应,即应该要求中和电容与密勒电容正好完全匹配(实际上,由于作为密勒电容的晶体管输出电容往往与电压有关,所以很难完全实现匹配,因此需要进行多种改进)。

电容是一种能储存电荷(充电)和释放电荷(放电)的元件

PN结电容包括势垒电容和扩散电容.

PN结交界处存在势垒区.结两端电压变化引起积累在此区域的电荷数量的改变,从而显现电容效应.

当所加的正向电压升高时,PN结变窄,空间电荷区变窄,结中空间电荷量减少,相当于电容放电.同理,当正向电压减小时,PN结变宽,空间电荷区变宽,结中空间电荷量增加,相当于电容充电.加反向电压升高时,一方面会使耗尽区变宽,也相当于对电容的充电.加反向电压减少时,就是P区的空穴、N区的电子向耗尽区流,使耗尽区变窄,相当于放电.。

PN结电容算法与平板电容相似,只是宽度会随电压变化。

在PN结反向偏置时,少子数量很少,电容效应很少,也就可以不考虑了。在正向偏置时,P区中的电子,N区中的空穴,会伴着远离势垒区,数量逐渐减少。即离结近处,少子数量多,离结远处,少子的数量少,有一定的浓度梯度。

正向电压增加时,N区将有更多的电子扩散到P区,也就是P区中的少子----电子浓度、浓度梯度增加。同理正向电压增加时,N区中的少子---空穴的浓度、浓度梯度也要增加。相反,正向电压降低时,少子浓度就要减少。从而表现了电容的特性。

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