低电阻楔型线夹

本标准主要起草人：黄金飞、郑革、陈杰、任永琼、方伟、曹少华、唐静、刘伟、徐驰达、陈敏、 林继兴、刘勇龙。

本标准规定了低电阻楔型线夹的术语和定义、基本要求、结构及型号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和质量承诺。

本标准适用于额定电压 10 kV 及以下架空配电线路裸导线和绝缘导线接续的楔型线夹。

本标准由浙江省家具与五金研究所牵头组织制定。 本标准主要起草单位：永固集团股份有限公司。 本标准参与起草单位：浙江省家具与五金研究所、浙江精创电力科技有限公司、上海永固电力器材 有限公司、浙江工贸职业技术学院、固力发集团股份有限公司（排名不分先后）。

楔型线夹用于固定杆塔拉线上端；可调式UT型线夹用于固定和调整杆塔拉线下端，不可调式UT型线夹用于固定杆塔拉线上端；双拉线用联板用于连接两根组合拉线。

一种制备低残压ZnO压敏电阻陶瓷的工艺方法专利目的

《一种制备低残压ZnO压敏电阻陶瓷的工艺方法》的目的在于为克服已有技术的不足之处，开发一种新的制备低残压ZnO压敏电阻陶瓷的工艺方法，使该材料具有更高的性能和更适于工业应用。

一种制备低残压ZnO压敏电阻陶瓷的工艺方法技术方案

《一种制备低残压ZnO压敏电阻陶瓷的工艺方法》提出的一种制备低残压ZnO压敏电阻陶瓷的工艺方法，其特征在于，该方法基于两步烧结法和籽晶法的低残压ZnO压敏电阻陶瓷的制备工艺，该制备方法的原料配方包括：ZnO（92.7-97摩尔百分比）、Bi₂O₃（0.4-0.9摩尔百分比）、MnO₂（0.4-0.7摩尔百分比）、Sb₂O₃（0.5-1.5摩尔百分比）、Co₂O₃（0.5-1.5摩尔百分比）、SiO₂（0.8-1.7摩尔百分比）、Al（NO₃）₃·9H₂O（0.1-0.4摩尔百分比）和Cr₂O₃（0.3-0.7摩尔百分比）；该方法包括以下步骤：

1）籽晶的制备与第一步烧结：

（11）采用原料配方中总量的20％-50％的ZnO、0％-20％的Bi₂O₃和全部的Al（NO₃）₃·9H₂O；置于加有去离子水或酒精的球磨罐中，球磨8-12小时，然后烘干作为籽晶原料；

（12）将球磨干燥后的籽晶原料放入高温电炉中，在1200-1350℃下进行第一步预烧3-6小时成籽晶硬块，随炉冷却至常温；

（13）将烧结之后的籽晶硬块粉碎后，置于球磨罐中，加去离子水或酒精球磨4-8小时；然后选取过200-500目筛的籽晶，得到粒径为75微米以下的籽晶；

2）原料混合与第二步烧结

（21）将所有剩余的原料、步骤13）得到的籽晶以及按照每克原料加入0.5毫升的5％（wt）PVA溶液混合，在球磨罐中加去离子水球磨8-12小时，然后烘干、过70-150目的筛，含水造粒，然后采用压力成型的方法，将其压成坯体；

（22）将坯体的样品在密闭的高温电炉中进行第二步烧结，从室温升温至保温温度（350-550℃），保温4-6小时进行排胶，然后再经过18-23小时升温至烧结温度（1150℃-1200℃），在烧结温度下保温3-6小时，使陶瓷烧结致密，然后随炉冷却到常温。

一种制备低残压ZnO压敏电阻陶瓷的工艺方法改善效果

《一种制备低残压ZnO压敏电阻陶瓷的工艺方法》通过严格改变烧制工艺流程和控制工艺参数，可以人为地控制该材料在制备过程中的结构成分和结构变化，在降低晶粒电阻率和降低ZnO压敏电阻残压的同时，又抑制了泄漏电流的增长和非线性系数的下降。从而使该材料具有更高的性能和更适于工业应用。

《一种制备低残压ZnO压敏电阻陶瓷的工艺方法》属于低残压ZnO压敏电阻陶瓷的加工技术领域，特别涉及一种新的二步烧结的籽晶法制备和烧结陶瓷工艺。