PN结加正向电压时,可以有较大的正向扩散电流,即呈现低电阻, 我们称PN结导通; PN结加反向电压时,只有很小的反向漂移电流,呈现高电阻, 我们称PN结截止。 这就是PN结的单向导电性。
中文名称 | 单向导电性 | 外文名称 | unilateral conductivity |
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性质 | 很小的反向漂移电流 | 原因 | PN结加正向电压 |
作用 | 判断二极管的好坏 |
加正向电压(正偏)--电源正极接P区,负极接N区
外电场的方向与内电场方向相反。
外电场削弱内电场→耗尽层变窄→扩散运动>>漂移运动→多子扩散形成正向电流(与外电场方向一致)I F
加反向电压(反偏)--电源正极接N区,负极接P区
外电场的方向与内电场方向相同。
外电场加强内电场→耗尽层变宽→漂移运动>>扩散运动→少子漂移形成反向电流I R
单向导电性是二极管最重要的特性。利用单向导电性可以判断二极管的好坏,正偏时电阻值小,反偏时电阻值大,否则,二极管是损坏了的。
二极管单向导电性失败的场合及原因
1、正向偏压太低。(不足以克服死区电压)
2、正向电流太大。(会使PN结温度过高烧毁)
3、反向偏压太高。(造成反向击穿)
4、工作频率太高。(使结电容容抗下降而反向不截止)
PN结加正向电压时,可以有较大的正向扩散电流,即呈现低电阻, 我们称PN结导通; PN结加反向电压时,只有很小的反向漂移电流,呈现高电阻, 我们称PN结截止。 这就是PN结的单向导电性。
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首先,纠正一下你的说法,不是“二极管具有单向导电性”,应该说是“PN结具有单向导电性”。由于通常情况下的二极管具有一个PN结所以可以简单地理解为它具有单向导电的性能,但这不是他作为二极管后具有的特性。...
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发光二极管的两根引线中较长的一根为正极,应按电源正极。有的发光二极管的两根引线一样长,但管壳上有一凸起的小舌,靠近小舌的引线是正极。
p-n结二极管
具有单向导电性--->整流。
其VCR关系为:
i=IS*(e^(u/UT)-1)
IS为一常数,称为反向饱和电流;
UT = kT/q, 室温下,UT =26mV。
P-N结的单向导电性
利用二极管实现逻辑电路主要是利用了二极管的单向导电性,二极管之所以具有单向导电性,是因为制作二极管的半导体中P-N结的作用,下面首先对P-N结做一些介绍。
P-N结是在一块半导体中,掺入施主(如硅元素)杂质,使其中一部分成为N型半导体。其余部分掺入受主杂质(如硼元素)而成为P型半导体,当P型半导体和N型半导体这两个区域共处一体时,这两个区域之间的交界层就是P-N结。P-N结很薄,结中电子和空穴都很少,但在靠近N型一边有带正电荷的离子,靠近P型一边有带负电荷的离子。这是因为,在P型区中空穴的浓度大,在N型区中电子的浓度大,所以把它们结合在一起时,在它们交界的地方便要发生电子和空穴的扩散运动.由于P区有大量可以移动的空穴,N区几乎没有空穴,空穴就要由P区向N区扩散。同样N区有大量的自由电子,P区几乎没有电子,所以电子就要由N区向P区扩散.随着扩散的进行,P区空穴减少,出现了一层带负电的粒子区;N区电子减少,出现了一层带正电的粒子区。结果在P-N结的边界附近形成了一个空间电荷区,P型区一边带负电荷的离子,N型区一边带正电荷的离子,因而在结中形成了很强的局部电场,方向由N区指向P区。当结上加正向电压(即P区加电源正极,N区加电源负极如图1)时,这时电场减弱,N区中的电子和P区中的空穴都容易通过,因而电流较大;当外加电压相反(图2)时,则这时电场增强,只有原N区中的少数空穴和P区中的少数电子能够通过,因而电流很小。这就是P-N结的单向导电性 。
图1
图2
二极管的单向导电性
二极管多用半导体材料制成,由于其中P-N结单向导电性的作用,故二极管具有单向导电性。
(1)正向特性
在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。导通后二极管两端的电压基本上保持不变(锗管约为 0.3V,硅管约为 0.7V),称为二极管的“正向压降”。二极管正向导通电压很低与高电压相比可以近似认为为零。如图6。
(2)反向特性
在电子电路中,二极管的正极接在低电位端,负极接在高电位端,此时二极管中几乎没有电流流过,此时二极管处于截止状态,这种连接方式,称为反向偏置。