城市交通网络优化与管理的若干基础问题研究

本项目研究以揭示我国城市交通网络中交通流的时空分布及运行特点、优化利用交通资源和缓解与预防城市交通拥堵为目的，通过系统科学、经济学、行为科学、交通科学和管理科学之间的深层交叉研究，从网络交通流、路网结构和交通管理三个层面研究适合我国城市混合交通流特性的数学模型，设计高效的求解算法，验证交通流的各种组织优化与管理策略，并结合实际问题，提出切实可行的、有效的城市交通组织优化与管理策略，为缓解和预防城市

薄膜晶体管（TFT）是主动驱动平板显示的核心元件，微晶硅TFT性能优于非晶硅，制作工艺比多晶硅简单，是实现AM-OLED的方案之一。 我们的研究由单个TFT器件，到TFT器件的集成，最终实现7英寸的TFT-OLED 显示屏。主要结果如下。 一．微晶硅TFT 器件的研究 1.有源层的研究；（a）研究了生长条件如氢稀释浓度、衬底温度、功率密度和反应气体压强对微晶硅晶化率的影响。（b）采用PECVD双倍频（27.12MHz）直接生长微晶硅薄膜：采用双倍频技术提升微晶硅薄膜的沉积速率，改善薄膜的晶化率，直接生长出高质量的微晶硅薄膜。 2.绝缘层的研究:(a)通过优化工艺参数从而调节表面的粗糙度及薄膜的折射率。将SiNx的折射率控制在1.85-1.90之间，有利于生长高质量的微晶硅薄膜.(b)SiNx绝缘层采用沉积速率“先快后慢”两步沉积工艺，改善绝缘层/有源层之间的界面态， 3.界面的改善:(a) SiNx绝缘层表面采用plasma处理，改善了器件的关态电流，提高开关比，降低了阈值电压。（b）双有源层结构：采用a-Si/uc-Si复合结构薄膜代替uc-Si薄膜作为有源层，改善了关态电流，由6x10-10 A 降到 6x10-12 A. 4．基于无重掺杂的新型源漏电极的微晶硅TFT研究：为了避免传统重掺杂电极使用磷烷硼烷等有毒气体，研制安全的欧姆电极.(a)采用铝合金作为源漏电极我们采用铝合金作用源漏电极。(b)制备 Al/LiF源漏电极。在Al电极与μc-Si之间插入LiF薄层，制成Al/LiF源漏电极，其电子注入势垒由Al电极的0.512eV降到0.12eV。优化后TFT性能：迁移率0.5cm2/V.s， 阈值电压0.59V，开关比大于106 。 二．TFT 基板的制作：（a）像素采用2T1C 结构设计。基板尺寸：7英寸。分辨率：VGA 640×RGB（H）×480（V）。驱动电压：6-13V。像素大小：222um×74um。（b）工艺：6 MASK 工艺：制作栅极；形成硅岛；制作源漏电极及沟道；接触孔；制作像素电极 (ITO)；制作平坦化层。 三．TFT-OLED显示屏的制作。 在TFT基板上制备OLED 得到7inch AMOLED彩色显示屏。分辨率：640X480；亮度：165 cd/m2；NTSC：65.5%。项目圆满完成.

薄膜晶体管（TFT）是主动驱动平板显示的核心元件，微晶硅TFT由于性能优于非晶硅，其制作工艺又与非晶硅基本相同，比多晶硅便宜，因此是当前最具竞争力的AM-OLED 的控制元件。我们将开展以下研究（1）微晶硅薄膜的新的制备和晶化研究。它具双层结构，先生长一层很薄微晶硅子晶层然后是非晶硅层；再用液相加热晶化的方法进行晶化的以期得到高质量，适合于量产的工艺。（2）欧姆接触层的研究：以插入超薄的绝缘层来代替传统n a-Si:H来实现欧姆接触；并探索其他制欧姆接触层的可能性。（3）绝缘层的研究：研究Si3N4和SiO2 绝缘层制备条件与深能级的浓度和深度，表面粗糙度的关系。（4）界面层的研究。（5）新型TFT器件结构的研究，如顶栅结构的微晶硅TFT器件的研制等。（6）微晶硅TFT与OLED的集成的研究。寻找最佳的参数及最合适的器件结构如底栅或顶栅TFT，微腔顶发射或微腔底发射OLED等。

《国家审计若干问题研究》由中国时代经济出版社出版。