CMOS-ICCMOS集成电路的特佂

双列直插(DIP封装)

扁平封装(PLCC封装)

微功耗-CMOS电路的单门静态功耗在毫微瓦(nw)数量级。

高噪声容限-CMOS电路的噪声容限一般在40%电源电压以上。

宽工作电压范围-CMOS电路的电源电压一般为1.5~18伏。

高逻辑摆幅-CMOS电路输出高、低电平的幅度达到全电为VDD，逻辑"0"为VSS。

高输入阻抗--CMOS电路的输入阻抗大于108Ω,一般可达1010Ω。

高扇出能力--CMOS电路的扇出能力大于50。

低输入电容--CMOS电路的输入电容一般不大于5PF。

宽工作温度范围-陶瓷封装的CMOS电路工作温度范围为

- 55℃~ 125 ℃;塑封的CMOS电路为 – 40 ℃ ~ 85 ℃。

为什么CMOS电路的直流功耗几近于零?

JEDEC最低标准是电子工业协会(EIA)联合电子器件工程委员会(JEDEC)主持下制定的CMOS集成电路的最大额定范围和静态参数的最低工业标准。下表即为JEDEC制定的CMOS集成电路的最大额定范围:

电源电压 VDD~VSS 18 ~ -0.5 V(DC)

直流输入电流IIN 士10 mA(DC)

输入电压 VI VSS ≤VI ≤ VDD+0.5 V(DC)

器件功耗 PD 200 mw

工作温度范围 T -55~125(陶封)，-40~85(塑封) ℃

存储温度范围 TSTG -65 ~ 150 ℃

所有的CMOS电路的输入端不能浮置，最好使用一个上拉或下拉电阻，以保护器件不受损害。

在某些应用场合，输入端要串入电阻，以限制流过保护二极管的电流不大于10mA。

输入脉冲信号的上升和下降时间必须小于15us, 否则必须经施密特电路整形后方可输入CMOS开关电路。

避免CMOS电路直接驱动双极型晶体管，否则可能导致CMOS电路的功耗超过规范值。

CMOS缓冲器或大电流驱动器由于其本身的低输出阻抗，必须注意这些电路采用大负载电容(≥500PF)时等效于输出短路的情况。

CMOS电路的输出不能并接成线逻辑状态。因为导通的PMOS管和导通的NMOS管的低输出阻抗会将电源短路。

金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而由PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为 CMOS-IC( Complementary MOS Integrated Circuit)。

目前使用最最广泛的晶体管是CMOS晶体管，CMOS晶体管特点是什么?首先CMOS晶体管功耗和抗干扰能力优于同时期的TTL器件，而且速度和TTL器件相当，所以CMOS取代TTL是大势所趋，我们看到目前集成电路上的晶体管还有几乎所有PLD器件都是采用CMOS技术，这一点就说明了CMOS的大行其道。

金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构 成的集成电路称为MOS集成电路，而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS-IC。

由p型衬底和两个高浓度n扩散区构成的MOS管叫作n沟道MOS管，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压(栅源电压为零)时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。

NMOS集成电路是N沟道MOS电路，NMOS集成电路的输入阻抗很高，基本上不需要吸收电流，因此，CMOS与NMOS集成电路连接时不必考虑电流的负载问题。NMOS集成电路大多采用单组正电源供电，并且以5V为多。CMOS集成电路只要选用与NMOS集成电路相同的电源，就可与NMOS集成电路直接连接。不过，从NMOS到CMOS直接连接时，由于NMOS输出的高电平低于CMOS集成电路的输入高电平，因而需要使用一个(电位)上拉电阻R，R的取值一般选用2~100KΩ。

​MOS晶体管金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS-IC。

金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而PMOS管和NMOS管共同构 成的互补型MOS集成电路即为CMOS-IC