超高分辨场发射电子显微镜
超高分辨场发射电子显微镜是一种用于化学工程领域的分析仪器，于2017年11月17日启用。
超高分辨场发射电子显微镜基本信息
| 中文名 | 超高分辨场发射电子显微镜 | 产 地 | 日本 |
|---|---|---|---|
| 学科领域 | 化学工程 | 启用日期 | 2017年11月17日 |
| 所属类别 | 分析仪器 > 电子光学仪器 > 扫描电镜 | ||
金属、非金属、生物等各种样品的纳米尺度的形貌分析；微区成份分析；微区取向、微观织构分析，晶体结构分析，物相分析等。 2100433B
超高分辨场发射电子显微镜造价信息
1.加速电压：0.1kV - 30kV 2.分辨率：0.8nm(15kV) 3.放大倍率：20x – 800,000x 4.配备日本Horiba公司能谱仪：X-MAX，检测元素范围4Be~92U。
超高分辨场发射电子显微镜常见问题
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电子显微镜的分类 1、透射电镜 (TEM) 样品必须制成电子能穿透的，厚度为100～2000 Å的薄膜。成像方式与光学生物显微镜相似，只是以电子透镜代替玻璃透镜。放大后的电子像在荧光屏上显示出来，TE...
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电子显微镜是根据电子光学原理，用电子束和电子透镜代替光束和光学透镜，使物质的细微结构在非常高的放大倍数下成像的仪器。 电子显微镜的分辨能力以它所能分辨的相邻两点的最小间距来表示。20世纪70年代，透射...
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顾名思义，所谓电子显微镜是以电子束为照明光源的显微镜。由于电子束在外部磁场或电场的作用下可以发生弯曲，形成类似于可见光通过玻璃时的折射现象，所以我们就可以利用这一物理效应制造出电子束的“透镜”，从而开...
超高分辨场发射电子显微镜文献
铝合金中单层Mg-GP、Si-GP区的高分辨电子显微镜图像的计算机模拟
Al-Mg-Si合金析出强化相的前驱相(GP区)的形成对于析出强化的性能有重要影响,但是由于其尺度极其微小,往往很难直接观察.本文通过对Al-Mg-Si合金中可能存在的单层富Mg及富Si GP区的不同厚度、不同存在形态进行全方位计算机模拟,确认了GP区成像的存在条件.单层富Mg或富Si GP区在不被铝合金基体包裹的试料中可以形成清晰的高分辨电子显微镜像,并且Mg-GP区与Si-GP区呈现出相反的对比.这为GP区的高分辨电镜观察提供了可靠的理论依据.
透射电子显微镜高压电源箱气体绝缘技术及充气工艺
本文通过比较高压系统常用气态绝缘介质的性能,对比影响气体绝缘性能的关键参数,给出了透射电子显微镜高压电源箱绝缘材料的优化选择,介绍了六氟化硫(SF6)气体在透射电子显微镜高压电源绝缘中的应用,计算了充SF6绝缘气体的高压电源箱,并给出了透射电子显微镜高压箱的绝缘充SF6气体工艺。
冷场发射扫描电子显微镜m213451是专门为现今技术研究和发展设计的超高分辨率仪器 。独特之处在于使用复合检测器允许同时显示二次电子和背散射电子成像。可以以三维立体形态观察各种物质的原子或分子结构，具有比一般扫描或电子显微镜更卓越的性能。HITACHI
m213451在半导体设备和过程评估上也很有用，这种超高分辨率的电子显微装置可以采用1KV的加速电压，保证1.8nm的分辨率。采用了独特操作方式减少荷电假象和边缘效应，这些优异性能使其远远领先于其他扫描电镜。
世界上最高分辨率的扫描电子显微镜
◎ 在30KV保证0.5nm
◎ 在1KV保证1.8nm(在2KV，可得到1.2nm)
2. 独特的检测方式可以同时显示二次电子(SE)和背散射电子(BSE)成像。
稳定的超高分辨率的显微技术
◎ 最大放大倍率1,000,000倍.
◎ 机器稳定性提高，在地面振动条件10mm(P-P)，5HZ条件下可以观察高达600，000倍的图像。
◎ 真空干燥系统，由分子涡轮泵和涡管泵组成，样品污染最小。
◎ 高速电子束系统减少样品镜筒污染。
◎ 大液氮冷阱减少样品污染。
◎ 侧面插入样的载物台适合高分辨率工作
结合高分辨率的显微技术和操作的设计
◎ 不用改变物镜孔即可切换分辨率模式和EDX工作模式。
◎ 可以在所有操作方式(SE，BSE和STEM)间切换，因为样品位置可变。
5. 电脑控制的系统采集工作，影像处理，储存等于一体。
6. 节省能量的方式(真空状态下)保持仪器在低的能量水平运行。
场发射透射电子显微镜概述
2.利用微区电子衍射、会聚束电子衍射及元素分析可对小至0.5nm尺度的物质进行结构和成分分析，因而特别实用于普通透射电镜难以分析的微细析出相，界面和畴等极小区域内成分、结构的研究。 3.利用所配置的GIF系统不但可分析物质的组成元素而且可分析组成元素的价态。
仪器类别: 03040701 /仪器仪表 /光学仪器 /电子光学及离子光学仪器 /透射式电子显微镜
指标信息: 具有高相干性、高亮度的场发射枪 最大倾转角:X=±35°，Y=±30° 加速电压:200kV、160kV、100kV、80kV 点分辨率:0.23nm EDS元素范围:B5~U92 晶格分辨率:0.102nm EDS能量分辨率:138eV
附件信息: 1.Gatan公司的GIF系统 4.普通单、双倾台 2.Link公司的EDS系统(超薄窗) 5.铍单、双倾台 3.日本电子株式会社的STEM系统 ,
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