发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性,即正向导通,反向截止、击穿特性。此外,在一定条件下,它还具有发光特性。在正向电压下,电子由N区注入P区,空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发光,如图1所示。
假设发光是在P区中发生的,那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光,或者先被发光中心捕获后,再与空穴复合发光。除了这种发光复合外,还有些电子被非发光中心(这个中心介于导带、介带中间附近)捕获,而后再与空穴复合,每次释放的能量不大,不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大,光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的,所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。
理论和实践证明,光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关,即
????λ≈1240/Eg(mm)
式中Eg的单位为电子伏特(eV)。若能产生可见光(波长在380nm紫光~780nm红光),半导体材料的Eg应在3.26~1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管,但其中蓝光二极管成本、价格很高,使用不普遍。
(1)允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值,LED发热、损坏。
(2)最大正向直流电流IFm:允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极管。 ??
(3)最大反向电压VRm:所允许加的最大反向电压。超过此值,发光二极管可能被击穿损坏。? ?
(4)工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围,发光二极管将不能正常工作,效率大大降低。
所谓的强光手电筒只是一个大范围的概念,一般,只要符合亮度高、可靠性好、方便携带的手电筒都可以这样称呼,以现在的光源来说, 一般还是以LED和HID最流行,特别是LED,在小型手...
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充电时将交流插头推出,直接插入AC220V/50Hz电源插座上,相应充电指示灯亮。正常充足电需要8小时,最长充电时间不得超过10小时; ...
使用强光 LED 充电手电筒的注意事项 摘要:手电筒注意事项 -警惕 -小常识篇 :主要介绍了 LED 充电手电筒不可并联充电,不可反 向使用电池或使之短路,不要和酸性气体接触等有关其使用的注意事项。 使用强光 LED 充电手电筒的注意事项: 方法 /步骤 1、不可并联充电,否则会产生不规则充电电流。 2、不可反向使用电池或使之短路。 3、电池充分放电后,应延长充电时间以达到饱和电量。 4、请将电池存放于阴凉通风干燥、温度不高于 45℃的环境中。 5、在电池充满电或半满的情况下,不要将大量的电池密集存放。 6、不要和酸性气体接触,避免靠近火源。 7、不要焚烧或拆解电池,其中的化学物质有腐蚀性,会伤害皮肤和眼睛。 8、不要拉扯电池的引线或插头,防止损伤焊点和连接部位。 9、不同型号的电池不可混用。 10、不同型号的电池上焊接,需用连接片等进行焊接。 11 、 初 次 使 用 前 用 小 电
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