薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)是多数液晶显示器的一种,它使用薄膜晶体管技术改善影象品质。虽然TFT-LCD被统称为LCD,不过它是种主动式矩阵LCD。它被应用在电视、平面显示器及投影机上。
中文名称 | 薄膜晶体管液晶显示器 | 外文名称 | TFT-LCD |
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技术 | 薄膜晶体管 | 应用 | 电视、平面显示器及投影机 |
因建造TFT工厂的巨大花费,因此主要的皮肤代工厂商或许不会超出四或五家。几个为大家所知的是夏普、友达、奇美、三星、乐金飞利浦等。
未进行系统及ID组装前皮肤模块通常会在厂内分成三个类,这三种分别是亮暗点数目、皮肤显示出的灰阶及色彩的均匀性及一般性的产品品质。此外地,同批号的不同片皮肤仍会有+/-2ms反应时间上的差别。品质上判定最差的皮肤后来会卖予白牌的厂商。
品质上较差的皮肤或是15英吋以下尺寸通常不会含有数字信号兼容接口DVI,因此它们的未来适用性或许会受限。较高的17英吋或19英吋机种,用于玩家及办公室所使用的屏幕或许会有双重显示插槽:模拟的D-sub及数字的DVI;几乎所有专业的屏幕都会有DVI及为了书信模式而转90度的设计。无论如何,即始使用了DVI的影象信号,也不保证会有较佳的影象品质:一个好的图像卡RAMDAC及合适且俱保护的模拟VGA线亦能提供相同的显示品质。
薄膜晶体管液晶显示器技术是由欧美国家率先提出的,但由于技术和制作过程不够成熟,直到上世纪80年代末期,日本厂商完全掌握了主要生产技术,并开始进行大规模的生产,形成了目前的巨大产业 年,1992年,随着笔记本电脑对液晶显示器件产品的需求,薄膜晶体管液晶显示器确立了作为液晶显示的主流地位,并随着技术的进一步发展,薄膜晶体管液晶显示器的生产成本大幅度下降,促使人们对显示器件的需求从笨重的阴极射线管转向轻薄的薄膜晶体管,且最终超过阴极射线管的市场份额,到2000年前后,开启了液晶电视新行业, 据中国电子报报道,目前薄膜晶体管液晶显示器制造技术已经发展到8 代线, 10代线、11 代线、12 代线的建设也已经在规划中, 我国薄膜晶体管液晶显示器在显示领域已经落后,但专家建议我们不能绕过薄膜晶体管液晶显示器,寻找别的突破口发展我国的平板显示产业,而应迅速开展TFC: LCD 生产线和相关技术创新能力的建设,提高我国薄膜晶体管液晶显示器件产业在国际上的竞争力。
在当前迅速发展的液晶显示技术中,薄膜晶体管液晶显示器以其大容量、高清晰度和高品质全真彩色受到人们的广泛青睐。薄膜晶体管液晶显示器的显示质量和整体性能在很大程度上取决于薄膜晶体管性能,薄膜晶体管(787)是众多场效应晶体管(897)中的一种非晶硅用于制作薄膜晶体管液晶显示器技术的成熟,使非晶体薄膜晶体管液晶显示器在薄膜晶体管液晶显示器的市场中占据了主导地位,而非晶硅薄膜晶体管由于其低迁移率、电导率等性能,严重制约了薄膜晶体管液晶显示器的发展,寻找合适的替代品,追求高迁移率和高电导率一直是研究人员关注的焦点,在此基础上,多晶硅、微晶硅相继发展,虽然在一定程度上暂时解决了迁移率、电导率低的问题,但因多晶硅、微晶硅的价格昂贵、材料短缺,因而未能动摇非晶硅的主导地位。 随后的纳米硅薄膜晶体管液晶显示器依靠其本身具有高电导率、高迁移率的优越性以及当前纳米技术的进展而成为一个引人注目的新亮点。
前段-Array
前段的Array 制程与半导体制程相似,但不同的是将薄膜晶体管制作于玻璃上,而非硅晶圆上。
中段-Cell
中段的Cell 制程,是以前段Array的玻璃为基板,与彩色滤光片的玻璃基板结合,并在两片玻璃基板间灌入液晶(LC)。
后段-Module Assembly (模块组装)
后段模块组装制程是将Cell制程后的玻璃与其他如背光板、电路、外帧等多种零组件组装的生产作业
薄膜晶体管液晶显示器的显示质量和性能在很大程度上都取决于薄膜晶体管的性能,而质量良好的薄膜又是保证薄膜晶体管的性能的关键所在。薄膜晶体管的结构一般分为:正交叠结构和反交叠结构和反交叠结构包括背沟道刻蚀型和背沟道保护型。由于正交叠结构形成的薄膜晶体管的源极和漏极与有源层构成的欧姆接触很不理想,所以大多在制造薄膜晶体管时选用反交叠结构。 正交叠结构薄膜晶体管、背沟道保护型结构薄膜晶体管也称为顶栅式薄膜晶体管、背沟道阻挡型薄膜晶体管。但不论是正交叠结构,还是反交叠结构,其结构的组成基本都是一样的,一般包括:栅金属电极、栅绝缘层、有源层、欧姆接触层、源电极、漏电极。 栅电极金属可选用金、铬、铝、钼、铜以及某些合金材料等,但就其成本而言,铝被最广泛采用的。 栅绝缘层可采用由不同方法制备的二氧化硅薄膜和氮化硅薄膜,这两种薄膜各有利弊,初期的薄膜晶体管是用二氧化硅薄膜作为栅绝缘层的,二氧化硅可以填补有源层的晶粒缺陷,增大晶粒密度。而现在越来越青睐于应用氮化硅薄膜作栅绝缘层,但氮化硅薄膜的厚度对薄膜晶体管的影响很大,太厚导致充电电流I较小,像素电容电压较低,液晶不能被充分驱动,降低了薄膜晶体管的开关性能和器件的对比度,甚至无法显示图像;太薄时抗击穿的能力变差,容易出现栅电极与源极短路现象。 针对这一问题,有关研究人员提出了双层栅绝缘层结构。有源层采用硅薄膜,硅薄膜按其平均晶粒大小、晶态百分比、氢原子数含量等不同,依次分为非晶硅、微晶硅、纳米硅、多晶硅、单晶硅。
薄膜晶体管液晶显示器架构及分类
寻常的液晶显示器好比计算器(calculator)的显示面版,其图像元素是由电压直接驱动;当控制一个单元时不会影响到其他单元。当像素数量增加到极大如以百万计时,这种方式就变得不实际,注意到每个像素的红、绿、蓝三色都要有个别的连接线。 为了避免这种困境,将像素排成行与列则可将连接线数量减至数以千计。如果一列中的所有像素都由一个正电位驱动,而一行中的所有像素都由一个负电位驱动,则行与列的交叉点像素会有最大的电压而被切换状态。然而此法仍有些问题,即是同一行或同一列的其他像素虽然受到的电压仅为部分值,但这种部份切换仍可使像素变暗(以不切换为亮的液晶显示器而言。)解决方法是每个像素都添加一个配属于它的晶体管开关,使得每个像素都可被独立控制。晶体管所拥有的低漏电流特征所代表的意义乃是当画面更新之前,施加在像素的电压不会任意丧失掉。每个像素是个小的电容器,前方有着透明的铟锡氧化物(ITO)层,后方也有透明层,并有绝缘性的液晶处在其中。
此种电路布置方式很类似于动态访问存储器,只不过整个架构不是建在硅晶圆上,而是建构在玻璃上。许多硅晶圆制程技术所需的温度会超过玻璃的熔点。寻常半导体的硅基质是利用液态硅长出很大的单晶,具有晶体管的良好特质。而薄膜晶体管液晶显示器所用到的硅层是利用硅化物气体制造出非晶硅层或多晶硅层,这种制造方法较不适合做出高等级的晶体管。
TN
TN+film(Twisted Nematic +film)是最常见的类型,主因于产品低价及多样性。在现代的TN型皮肤上,像素的反应时间已快到足以大幅减少残影问题,甚至在规格上反应时间已经很快,但这个传统反应时间是由ISO制定的标准,只定义了由全黑至全白的转换时间,但并不表示是灰阶间的转换时间。在灰阶之间的转换时间(这是平常液晶实际上较频繁的转换)比由ISO所定义的要来得久。现在使用的RTC-OD(Response TimeCompensation-Overdrive)技术,让制造商得以有效的降低不同灰阶间(G2G)的转换时间,然而,ISO所定义的反应时间实际上并未改变。反应时间现在被用G2G的数字来表示,例如4ms及2ms,在TN+Film的产品上已司空见惯。这个市场策略,拥有相对于VA型较低成本的TN型皮肤,已在主导TN于消费性市场的走向。TN型显示器苦于视角上的限制,特别是在垂直方向上,而且大部份无法显示由现行绘图卡输出的16.7百万色(24位的真实色彩)。经由特殊的方式,RGB三色使用6 bits来当作8bits用,它使用结合邻近像素的降阶法去趋近24-bits色彩,以此来模拟出所需的灰阶。也有人使用FRC(Frame Rate Control)
对液晶显示器来说,像素实际的穿透率一般不会与施予的电压成线性变化。
B-TN(Best TN)由三星发展。改善TN色彩与反应时间。
VA CPA(Continuous Pinwheel Alignment)由夏普开发 。色彩再现高,产量少价格贵。MVA(Multi-domain Vertical Alignment)由富士通于1998年开发,目的是作为TN与IPS的折衷方案。在当时,它拥有快速的像素反应、广视角及高对比,但相对的犠牲了亮度与色彩再现性。分析家预测MVA技术将主导整个主流市场,但TN却拥有此优势。主因为MVA的成本较高,及较慢的像素反应(它会在小变化亮度时戏剧性的增加)。
P-MVA(Premium MVA)改善MVA可视角度与反应时间。A-MVA(Advanced MVA)由友达发展。S-MVA(Super MVA)由奇美发展。VAextreme由奇美发展。PVA(Patterned Vertical Alignment)由三星发展,虽然三星称其为目前具有最好对比的技术,不过却也存在着与MVA相同的问题。S-PVA(Super PVA)由三星发展,改善PVA可视角度与反应时间。C-PVA由三星发展。
IPS IPS(In-Plane Switching)由日立在1996为改TN型皮肤的不良视角及色再现性而发展出来的。这种改善却增加了反应时间,它的初始就是50ms的等级,IPS型的皮肤成本也是极昂贵的。
S-IPS(Super IPS)拥有IPS技术的优点之外,又改善了像素的更新时间。色再现性更接近CRTs,价格也降低,然而对比仍然十分不佳。目前S-IPS仅应用于专业目的的较大型显示器上。
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基于 OLED液晶显示器的显 示系统 姓名:唐旭晴 学号: 110400609 班级: 11电子 2班 一、实习目的 (1)了解飞思卡尔单片机的基本原理,掌握其基本的工作流程。 (2)了解 OLED 液晶显示屏的基本原理及用法。 (3)能够熟练使用 CodeWarrior软件编写 C语言程序,使用 BDM 仿真器下载 程序。 (4)能够熟练焊接电路板。 二、实验设备与器件 CodeWarrior 软件, BDM 仿真器,万用电路板 ,飞思卡尔单片机, OLED 液 晶显示器 三、实验内容 内容:利用飞思卡尔单片机制作基于 OLED 液晶显示器的显示系统 要求:用四个按键控制,按下第一个按键显示“北” ,按下第二个按键显示 “京”,按下第三个按键显示“印刷” ,按下第四个按键显示“学院” 。 (1)OLED,即有机发光二极管( Organic Light-Emitting Diode),又
本书基于薄膜晶体管液晶显示器的生产和设计实践,首先介绍了薄膜晶体管液晶显示器的基本概念和器件原理,然后以产品开发的角度从面板设计与驱动、液晶盒颜色设计、液晶光学设计、电路设计和机构光学设计方面的基础内容进行了详细介绍,接着介绍了显示器的性能测试方法,最后再介绍了阵列、彩膜、液晶盒和模组四大工艺制程。
氧化物薄膜晶体管和非晶硅薄膜晶体管的主要区别是电子通道的材料是氧化物而不是非晶硅。常用的衬底为二氧化硅。薄膜晶体管主要应用于液晶显示器(LCD)和有机发光半导体(OLED)中。在传统的晶体管中,半导体材料为衬底,如晶圆。
薄膜晶体管(thin film transistor, TFT)是平板显示的核心器件,不论AMLCD显示还是AMOLED显示,其每一个像素都依赖TFT进行开关和驱动。根据TFT有源层半导体材料的不同,当前主流的TFT技术可分为氢化非晶硅(a-Si:H)TFT、低温多晶硅(low-temperature poly-Si, LTPS。TFT和非晶氧化物(AOS)TFT。
其中,a-Si:HTFT和poly-Si TFT已经在平板显示面板工艺中实现了大面积产业化。然而,a-Si:H TFT较低的迁移率(<1cm2/Vs)不能满足下一代平板显示的驱动要求,而poly-Si TFT较差的大面积均匀性使其主要面向小尺寸显示的应用中。
另一方面,氧化物TFT以其迁移率较高(几~几十cm2/Vs)、大面积均匀性较好、制备工艺温度较低等诸多优势被认为最有可能应用于下一代平板显示中。
作 译 者:廖燕平等
出版时间:2016-06 千 字 数:450
版 次:01-01 页 数:400
开 本:16开
装 帧:
I S B N :9787121283406