表面排水

表面排水构造简单，用料省，施工方便，易于检修。但不能降低浸润线，且易因冰冻而失效，

常用于下游无水的中小型均质坝或是浸润线位置较低的中坝。

1) 理想、清洁半导体表面：理想表面产生表面能级(表面态)的原因是塔姆(Tamm)首先提出的,他认为晶体的周期性势场在表面处发生中断引起了附加能级.因此,这种表面能级称为塔姆表面能级或塔姆能级(Tamm Level).塔姆曾计算了半无限克龙尼克–潘纳模型情形,证明在一定条件下每个表面原子在禁带中对应一个表面能级.上述结论可推广到三维情形,可以证明,在三维晶体中,仍是每个表面原子对应禁带中一个表面能级,这些表面能级组成表面能带.因单位面积上的原子数约为,故单位面积上的表面态数也具有相同的数量级.表面态的概念还可以从化学键的方面来说明.以硅晶体为例,因晶格在表面处突然终止,在表面的最外层的每个硅原子将有一个未配对的电子,即有一个未饱和的键.这个键称为悬挂键,与之对应的电子能态就是表面态.因每平方厘米表面约有个原子,故相应的悬挂键数也应为约个.表面态的存在是肖克莱等首先从实验上发现的.以后有人在超真空对洁净硅表面进行测量,证实表面态密度与上述理论结果相符。

2) 实际表面：在表面处还存在由于晶体缺陷或吸附原子等原因引起的表面态这种表面态的特点是其数值(表面态密度)与表面经过的处理方法及所处的环境有关。

自20世纪60年代中期金属型超高真空系统和高效率微弱信号电子检测系统的发展，导致70年代初现代表面分析仪器商品化以来，至今已产生了约50种表面分析技术。表面分析技术发展的动力来自两个方面，一方面是由于表面分析对了解表面性能至关重要，而表面性能又日益成为现代材料的至关重要的指标。另一方面，也来自科学家和工程师对探索未知的追求。从实用表面分析的角度看，在众多的表面分析技术中，有四种技术在过去的十几年内由世界上几家公司不断改进，巳发展为成熟的分析工具。它们是俄歇电子谱（AES），X射线光电子谱（XPS），二次离子质谱（SIMS）和离子散射谱（ISS），它们已应用渗透到材料研究的许多领域。