半导体激光划片机国内外发展状况

应用ZEMAX光学设计软件模拟了一种多芯片半导体激光器光纤耦合模块,将12支808nm单芯片半导体激光器输出光束耦合进数值孔径0.22、纤芯直径105μm的光纤中,每支半导体激光器功率10 W,光纤输出端面功率达到116.84W,光纤耦合效率达到97.36%,亮度达到8.88MW/(cm2·sr)。通过ZEMAX和ORIGIN软件分析了光纤对接出现误差以及单芯片半导体激光器安装出现误差时对光纤耦合效率的影响,得出误差对光纤耦合效率影响的严重程度从大到小分别为垂轴误差、轴向误差、角向误差。

半导体激光器输出特性的影响因素 半导体激光器是一类非常重要的激光器，在光通信、光存储等很多领域都有广泛的应 用。下面我将探讨半导体激光器的波长、光谱、光功率、激光束的空间分布等四个方面的 输出特性，并分析影响这些输出特性的主要因素。 1． 波长 半导体激光器的发射波长是由导带的电子跃迁到价带时所释放出的能量决定的， 这个能 量近似等于禁带宽度 Eg(eV)。 hf = Eg f (Hz) 和λ(μm)分别为发射光的频率和波长 且c=3×108m/s， h=6.628 ×10- 34 J ·s， leV=1.60 × 10- 19 J 得 决定半导体激光器输出光波长的主要因素是 半导体材料 和温度 。 不同半导体材料有不同的禁带宽度 Eg，因而有不同的发射波长 λ：GaAlAs-GaAs 材料 适用于 0.85 μm波段， InGaAsP-InP材料适用于 1.3~1.55 μm波段。