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这个不可泛泛谈。封装测试实际上包含封装和测试,封装根据具体的工艺不同其主要设备有Die Bonder、Wire Bonder等,测试主要是测试机台。
半导体集成电路和半导体芯片有什么关系和不同?两者的概念如何?
半导体集成电路包括半导体芯片及外围相关电路。【半导体集成电路】 半导体集成电路是将晶体管,二极管等等有源元件和电阻器,电容器等无源元件,按照一定的电路互联,“集成”在一块半导体单晶片上,从而完成...
IC是集成电路的缩写,多指各种各样的半导体芯片,不过大多数情况下人们一般也会混淆这两者,将ic也称作是半导体。半导体器件还包括二极管、三极管等等,它们的原材料是硅、锗等半导体。
大学生电脑主页 - dxs diannao .com –大学生喜欢的都在这里 大学生电脑主页 —— dxs diannao .com —— 大学生的百事通 《半导体集成电路》课程教学大纲 (包括《集成电路制造基础》和《集成电路原理及设计》两门课程) 集成电路制造基础课程教学大纲 课程名称:集成电路制造基础 英文名称: The Foundation of Intergrate Circuit Fabrication 课程类别:专业必修课 总学时: 32 学分: 2 适应对象:电子科学与技术本科学生 一、课程性质、目的与任务: 本课程为高等学校电子科学与技术专业本科生必修的一门工程技术专业课。半导体科 学是一门近几十年迅猛发展起来的重要新兴学科,是计算机、雷达、通讯、电子技术、自动 化技术等信息科学的基础, 而半导体工艺主要讨论集成电路的制造、 加工技术以及制造中涉 及的原材料的制备, 是
山东科技大学工程硕士学位论文 跨导运算放大器及其 Spice电路模型的构建 2.1 CMOS 模拟集成电路基本单元 2.1.1 MOS 场效应管的基本结构 绝缘栅场效应管又叫作 MOS 场效应管,意为金属 -氧化物 -半导体场效应管。图 2.1 为 MOS 场效应管的结构和电路符号。图中的 N型硅衬底是杂质浓度低的 N型硅薄片。 在它上面再制作两个相距很近的 P区,分别引为漏极和源极, 而由金属铝构成的栅极则 是通过二氧化硅绝缘层与 N型衬底及 P型区隔离。这也是绝缘栅 MOS 场效应管名称的 由来。因为栅极与其它电极隔离, 所以栅极是利用感应电荷的多少来改变导电沟道去控 制漏源电流的。 MOS场效应管的导电沟道由半导体表面场效应形成。 栅极加有负电压, 而 N 型衬底加有正电压。由于铝栅极和 N型衬底间电场的作用,使绝缘层下面的 N 型 衬底表面的电子被排斥,而带正电的空穴被吸引到表面上
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跨阻(转移电阻),也常常被称为互阻,是跨导的双重性。它是指两个输出点电压变化与两个输入点电流变化的比值,记为rm:
跨阻国际单位就是欧姆,就像阻力一样。
跨阻(或转移阻抗)是互阻的交流等效,是互导的二元。
半导体集成电路参考书目
书 名: 现代半导体集成电路
作 者:杨银堂 刘帘曦
出版社: 电子工业出版社
出版时间: 2009年04月
ISBN: 9787121082542
开本: 16开
定价: 28.00 元
《现代半导体集成电路》全面介绍了现代半导体集成电路的基础知识、分析与设计方法。全书共分为5个部分,第一部分(第1~2章)为集成电路的基础知识,主要介绍各种集成器件的结构和模型、集成电路的典型工艺。第二部分(第3~5章)为双极集成电路,包括TTL、ECL及IIL逻辑门及逻辑扩展、双极差分放大器及双极运放电路等。第三部分(第6~8章)为CMOS数字集成电路,分为CMOS基本逻辑电路、CMOS数字子系统和现代半导体存储器、第四部分(第9~13章)为CMOS模拟集成电路,包括基本模拟电路单元、运算放大器、开关电容电器、数据转换器和锁相环。第五部分(第14~16章)为半导体集成电路设计的共性知识,介绍了集成电路的版图设计、可靠性设计、可测性设计和SOC的设计方法学、软硬件协同设计及仿真等。每章后面都附有习题。《现代半导体集成电路》可作为大专院校微电子学、电子科学与技术、电子信息工程等本科专业的教材,也可供有关专业的本科生,研究生和工程技术人员阅读参考。
第1章 集成电路器件与模型
第2章 集成电路制造技术
第3章 晶体管一晶体管逻辑(TTL)电路
第4章 发射极耦合逻辑与集成注入逻辑电路
第5章 双极模拟集成电路
第6章 CMOS基本逻辑电路
第7章 CMOS数字电路子系统
第8章 现代半导体存储器
第9章 CMOS基本模拟电路
第10章CMOS运算放大器
第11章 CMOS开关电容电路
第12章 CMOS数据转换器
第13章 CMOS锁相环(PLL)
第14章 集成电路版图设计
第15章 集成电路可靠性设计与可测性设计
第16章 片上系统(SoC)设计初步
1. C. Mead and L. Conway,Introduction to VLSI System, Addison-Wesley, London, 1978.
2. 复旦大学微电子教研室编著:《半导体集成电路》,上海人民出版社,上海,1980。
3. P.Richnian,MOS Field-Effect Transistor and Integrated Circuit, John Wiley & Sons, New York,1973.
4. M. L. Toptev, Thick-film Microelectronics,VanNostrand Reinhold Co., New York, 1971.