半导体光放大器(semiconductor optical amplifier)简称:SOA
导体光放大器的原理与掺稀土光纤放大器相似但也有不同, 其放大特性主要取决于有源层的介质特性和激光腔的特性。它虽也是粒子数反转放大发光但发光的媒介是非平衡载流子即电子空穴对而非稀有元素。半导体的发光可根据激发方式的不同分为光致发光、电致发光和阴极发光等。
中文名称 | 半导体光放大器 | 外文名称 | semiconductor optical amplifier |
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简称 | SOA |
SOA有两种:一种是将通常的半导体激光器当作光放大器使用,称作F-P半导体激光放大器(FPA);另一种是在F-P激光器的两个端面上涂有抗反射膜,消除两端的反射,以获得宽频带、高输出、低噪声。
半导体光放大器结构
半导体光放大器是一种把发光器件一一半导体激光器结构作为放大装置使用的器件因为具有能带结构所以其增益带宽比采用光纤放大器的宽。另外通过改变所使用的半导体材料的组成可以使波长使用范围超过100nm,这是半导体光放大器的一个突出特点。半导体光放大器由有源区和无源区构成,如图1所示,有源区为增益区,使用Inp这样的半导体材料制作,与半导体激光器的主要不同之处是SOA带抗反射涂层,以防止放大器端面的反射,排除共振器功效。抗反射涂层就是在端面设置单层或多层介质层。以平面波人射单层介质层时,抗反射膜的条件相对于厚度为 1/4波长。实际的放大器,传输光是数微米的点光,可以研究假想波导模严格的无反射条件。去除端面反射影响的另一种方法,也可以采用使端面倾斜的方法和窗结构。把光放大器作为光通信中继放大器使用,入射光的偏振方向是无规则的,最好是偏振波依赖性小的放大器。为了消除这种偏振波依赖性,可以引人运用窄条结构使激活波导光路近似正方形断面形状的方法和施加抗张应力,以增大TM波增益的应变量子阱结构。目前,实现偏振无关半导体光放大器的方法有很多种,如张应变量子阱结构、应变补偿结构、同时采用张应变量子阱和压应变量子阱的混合应变量子阱结构等。图2为采用脊型波导结构的应变量子阱光放大器基本结 构图。有源区4C3T采用混合应变量子阱结构,即4个压应变量子阱,3个张应变量子阱,压应变和张应变量子阱之间用与Ipn晶格匹配的宽的IaGaAsP垒层隔开上下波导层分别为波长1.15um的IaGaAsP匹配材料包层为p型Inp,接触层为重P型掺杂IaGaAsP材料,材料的外延法生长过程中,n型掺杂源为硅烷,p型掺杂源为二甲基锌材料;生长完成后,采用标准的光刻、反应离子刻蚀、湿法腐蚀、蒸发、溅射等工艺制作脊型波导结构。
早在半导体激光器出现时,就开始了对SOA的研究,但由于初期的半导体材料激光放大器偏振灵敏度较高,使得SOA一度沉寂。但近几年来应变量子阱材料的研制成功,克服了偏振敏感的缺点,性能也有许多改进。半导体光放大器的增益可以达到30dB以上,而且在1310nm窗口和1550nm窗口上都能使用。如能使其增益在相应使用波长范围保持平坦,那么它不仅可以作为光放大的一种有益的选择方案,还可促成l310nm窗口WDM系统的实现。
光放大器按照原理可以分为:掺杂光纤放大器、传输光纤放大器和半导体激光放大器三种类型。
为什么半导体激光器一半配合掺铒光纤放大器使用,不是半导体放大器
光纤激光器,SOA半导体光放大器,EDFA掺饵光纤放大器供应
半导体主要具有三大特性:1.热敏特性半导体的电阻率随温度变化会发生明显地改变。例如纯锗,湿度每升高10度,它的电阻率就要减小到原来的1/2。温度的细微变化,能从半导体电阻率的明显变化上反映出来。利用半...
SOA的优点是:结构简单、体积小,可充分利用现有的半导体激光器技术,制作工艺成熟,成本低、寿命长、功耗小,且便于与其他光器件进行集成。另外,其工作波段可覆盖l.3~1.6/μm波段,这是EDFA或PDFA所无法实现的。但最大的弱点是与光纤的耦合损耗太大,噪声及串扰较大且易受环境温度影响,因此稳定性较差。SOA除了可用于光放大外,还可以作为光开关和波长变换器。
根据行波式半导体激光放大器的特点,可用输入功率的台劳级数表示放大器的输出功率,只要求出级数各阶导数就可以方便地计算在多路有线电视(CATV)系统中放大器引起的失真。文中给出放大器的速率方程组的解,并在此基础上导出理想放大器的前三阶导数的解析表达式。
意法半导体日前推出两款输出电流能够驱动xDSL线路接口和多个视频线路的宽带运算放大器。TS615和TS616运算放大器具有噪声低、功率小、输出电流大的性能,采用小型封装,对它们可用进行不同的配置,以便在采用多种载波的通信系统中驱动信号。
半导体光放大器件是指由半导体材料制成,与半导体激光器的工作原理相同,利用能级间跃迁的受激现象进行放大。若将半导体激光器两端的反射消除,即为半导体行波放大器,当偏置电流低于振荡阀值时,激光二极管就能对输入的相干光实现光放大。半导体光放大器覆盖了1300nm~1600nm的频段,既可用于1310nm窗口又可用于1550nm窗口,且用于DWDM系统中时无需增益锁定。
不仅可以作为光放大器的一种选择方案,还可以促成1310nm窗口DWDM系统的实现。半导体光放大器的优点是体积小、结构简单、制作工艺成熟、成本低、寿命长,易于同其他光器件集成以及功耗低等;缺点是噪声和串扰较大,功率较低,放大器的增益受偏振的影响较大,与光纤的耦合损耗较大,稳定性较差等,影响了其在光纤通信系统中的应用。2100433B
光放大器可以想象成为一个具有低反馈机制的激光器。它同样也需要增益介质和外功率源(泵浦源)来提供放大所需的能量。与激光器所不同的是,光放大器还需要信号源。我们可以用一个简单的结构图来表示光放大器的基本形式。
按照不同的分类方法,光放大器可以进行如下分类:
一、 按照增益介质的不同,可以分成半导体光放大器和掺稀土光纤放大器。
半导体光放大器是现代光放大器中最早出现的光放大器。它的工作原理是基于激光半导体介质固有的受激辐射光放大机制。其优点是尺寸小、造价低、频带宽、增益高;但缺点是与光纤耦合时损耗太大、易受环境温度的影响、工作稳定性差。由于半导体光放大器在实现光与电集成方面具有优势,因此它更多的是被应用于高速通信网中光开关、光复用/解复用和波长变换器等光信号处理模块。
在各种掺稀土光纤放大器中,掺铒光纤放大器(EDFA)优先得到发展。EDFA 工作在通信波段,输出仅为 mW 量级的功率,不能满足人们对高功率激光的需求。在稀土元素中,由于 Yb
3 离子具有简单的能级结构(只包含两个多重态展开的能级2F5/2和2F7/2)和大的能级间隔(约 10000cm-1)使掺 Yb3 光纤激光器及放大器具有很高的转换效率。因此,为获得高功率的激光输出,掺 Yb3 光纤就成为了激光放大器的首选增益介质。
二、按照时间特性可以分为连续光放大器、脉冲放大器及超短脉冲放大器。
这种按时间特性分类是相对于激光工作物质中因各种物理因素引起的驰豫过程及时间而言的。一方面,由于激光工作物质的辐射跃迁使得粒子在能级上具有有限的寿命,因此导致了反转粒子数的增长与衰减需要一定的驰豫时间,它被称之为纵向驰豫时间,表示为 T1。另一方面,由于工作物质粒子间或粒子与管壁间的碰撞以及晶格振动的作用,对电磁场引起的宏观感应电极化具有消相过程,在消相过程和外加电磁场共同作用下,工作物质中部分原子的电偶极矩逐渐有序化,因而产生宏观感应电极化强度。但是当电磁场停止作用后,由于消相作用,宏观感应电极化逐渐消失,相对于电磁场有一个滞后时间,称之为横向驰豫时间,表示为 T2。 当放大器的输入信号是连续波或非调 Q 激光脉冲时,一般满足条件光脉冲脉宽τ0>T1。此时由于光信号与工作物质相互作用时间足够长,因受激辐射而消耗的反转粒子数来得及由泵浦抽运所补充,因此反转粒子数及腔内光子数密度可以到达稳态数值而不随时间变化,可以用稳态方法研究放大过程。这类放大器称为连续放大器。
当输入信号脉宽满足条件T2<<τ0
如果输入光信号为高重复率脉冲序列,并且脉冲周期 T<
工作在 1550nm 窗口的掺铒光纤放大器(EDFA)在光通信系统中已得到广泛应用,但是利用普通单模掺铒光纤研制的 EDFA,输出功率通常在数十 mW 量级。在高功率激光应用领域,无法满足人们的需求。而掺镱光纤放大器(YDFA)能提供 100nm 量级的增益带宽(970nm~1200nm)和更高的转换效率,所以 YDFA 在红外波段高功率输出中独占优势。同时这种宽带增益特性能够被利用于超短脉冲放大;又因 Yb3 粒子的强饱和效应,就能够实现更高的脉冲能量输出。单脉冲能量达数 mJ 的 YDFA 已有报道。 基于 YDFA 有较宽的吸收谱(800~1064nm),可以有多种抽运源,并且在970nm~1200nm 范围内有连续荧光发射,对在 1000nm 左右波段的信号具有优越的放大效果,本文重点进行了 1064nm 波段脉冲放大的实验研究。
连续双包层掺镱光纤放大器3连续双包层掺镱光纤放大器
双包层掺镱光纤的结构为了克服单模单包层掺镱光纤对输出功率的限制, Maurer 在 1974 年首先提出了双包层光纤的概念。直到 1988 年 Polariod 提出了包层泵浦技术,高功率掺镱光纤激光器/放大器才得以快速发展。
包层泵浦技术的核心是如何最大限度的提高包层中传输的泵浦光对纤芯中镱离子的泵浦效率。双包层掺镱光纤的结构、内包层的形状、泵浦光耦合方式等是这项技术的关键所在。,光纤由纤芯、内包层、外包层和保护层组成。纤芯中掺杂稀土元素(镱或其他元素)作为激光介质,为保证输出激光是基横模,纤芯的尺寸根据激射波长设计。内包层的折射率低于纤芯的折射率,激射激光被限制在纤芯内传播,而外包层的的折射率又低于内包层的折射率,这样可以将泵浦光限制在内包层内传播。为了使内包层既起到单模纤芯的低折射率包层的作用,同时又成为传输大功率多模泵浦光的通道,关键在于选择一种低折射率而且物理特性合适的材料做外包层。通常双包层光纤要求内包层具有大的数值孔径(NA)和大的几何尺寸,这对于多模泵浦光的耦合将十分有利。因此,对外包层材料的要求首先是折射率应低于内包层,另外还要有低弹性模量、宽的抗弯曲温度范围。
光纤的最外层为保护层,一般选用涂料的折射率高于外包层的折射率,这样可以将外包层内的传输光尽快泄漏掉,以免对光纤造成热损耗。保护层具有较高的杨氏模量,可以对光纤起到机械保护作用。
在设计双包层光纤时,为方便多模的高功率泵光耦合入纤,内包层与纤芯的面积比越高越有利,但是这个比值太高会降低器件的效率,一般内包层与纤芯的横截面积比选在 100 左右最佳。泵浦光在内包层传导时,多次穿越纤芯,激发掺杂的稀土离子发射激光。
内包层的形状对于双包层光纤对泵浦光的吸收效率具有非常大的影响。最初的双包层光纤内包层为圆对称的,它的制作工艺相对简单,也易于与泵浦 LD 的尾纤相耦合连接,但是圆对称特性会使内包层中大量的泵浦光成为螺旋光,在传输的过程中不经过掺杂纤芯,从而大大降低了对泵浦光的利用效率。为了提高对泵光的利用效率,并考虑到与具体的泵源形式相匹配,人们开发出了多种内包层截面形状的双包层光纤,用于双包层光纤激光器的研制工作。这些经过特殊设计的内包层使双包层光纤激光器对泵浦光的利用效率得到明显提高。
尽管光纤激光器/放大器具有良好的散热性能,但随着激光输出功率不断提高,在纤芯内集中激射和较长距离传输,又会引起诸多的非线性效应。如:SPM(自相位调制)、SBS(受激布里渊散射)及 SRS(受激拉曼散射)等。尤其在单根光纤的激光器里激光振荡引起的非线性效应阈值较低,极大地限制了激光输出功率。因此人们又把目光投向了双包层光纤放大器。对双包层光纤放大器研究的目的是想通过对一个较低功率的单频或线偏输出的种子光进行多路双包层放大;多路放大后的光束经相干组束(CBC)或光谱组束(SBC),从而确保较高激光功率输出的同时,还能得到具有衍射极限的光束质量。
1999 年采用“V”形槽耦合泵浦技术在 1060nm 处将100mW 的种子光放大到 4W 输出;放大系统小信号增益为 53dB。2003 年Dennis Hammons 等人利用 NGST(Northrop Grumman Space Technology)技术获得了单模以及近线偏的 150W 激光输出。
2005 年利用与 20/400 双包层大模面积(LMA)掺镱光纤相匹配的(6 1)×1 合束器实现了 200W 单频放大输出的全光纤化。2006 年南开大学郭占城等人利用 Nufern 生产的长度约为 11 m的大模面积(LMA)掺镱双包层光纤(其芯径 20μm ,数值孔径为 0. 06 ),将16mW 的种子光放大到 1.61W,放大后的 3dB 线宽为 0.027nm,保持了输入信号光的优良光谱特性。实验中为了消除端面的菲涅尔反射,LMA 光纤的两端磨制了约 13°的倾角。 输出功率的提高使人们不得不考虑对非线性效应的抑制。2007 年美国报道了一种特殊的双包层掺镱光纤,在该双包层掺镱光纤的纤芯中同时掺入 Al2O3和 GeO2,以增大双包层掺镱光纤中的 SBS 阈值,从而提高放大输出的激光功率。这种通过对双包层光纤的优化设计来提高非线性效应阈值的方法,开创了高功率、高光束质量的激光器件研究的新局面。紧接着利用这种高 SBS 阈值的 DCYDF 进行高功率、窄线宽双向泵浦放大,。
2007 年,美国与德国 分别利用了槽密度为 1740/mm 的非传导性光栅和槽密度为 1250/mm 的衍射光栅实现了三个掺镱光纤放大器的光谱组束。组合效率分别达到了 93%和 95%。输出功率分别为 522W 和 153W。表征光束质量的 M2因子都为 1.2。保持了单个放大器的光束特性。他们的实验中略有不同的是后者在单个放大器里增益光纤采用了保偏光子晶体双包层光纤。正是这种高偏振度确保了组合效率高达 95%。利用光谱组束实现高功率激光输出为 YDFA 开拓了广阔的应用前景,特别是随着高非线性 YDF 及其它特殊结构 YDF 的研制成功,相信会有更惊人的成果在不久的将来实现。
AON (Active Optical Network:有源光网络) 是指信号在传输过程中,从局端设备到用户分配单元之间采用光电转换设备、有源光电器件以及光纤等有源光纤传输设备进行传输的网络。有源光器件包括光源(激光器)、光接收机、光收发模块、光放大器(光纤放大器和半导体光放大器)等。