当前全球能源短缺的忧虑再度升高的背景下,节约能源是我们未来面临的重要的问题,在照明领域,LED发光产品的应用正吸引着世人的目光,LED作为一种新型的绿色光源产品,必然是未来发展的趋势,二十一世纪将进入以LED为代表的新型照明光源时代。

LED被称为第四代照明光源或绿色光源,具有节能、环保、寿命长、体积小等特点,可以广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明和城市夜景等领域。近年来,世界上一些经济发达国家围绕LED的研制展开了激烈的技术竞赛。美国从2000年起投资5亿美元实施"国家半导体照明计划",欧盟也在2000年7月宣布启动类似的"彩虹计划"。我国科技部在"863"计划的支持下,2003年6月份首次提出发展半导体照明计划。

半导体发光二极管灯泡造价信息

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恒锐

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发光二极管 型号 F5 材料 硅(Si) 发光颜色 黄色最高反向电压 3.0-3.2(V) 查看价格 查看价格

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发光二极管 型号 F5 材料 硅(Si) 发光颜色 纯绿最高反向电压 3.0-3.2(V) 查看价格 查看价格

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珠海市2015年7月信息价
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珠海市2015年5月信息价
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15W发光二极管灯泡(中山中进) 15W发光二极管灯泡(中山中进)|100个 1 查看价格 中山市中进灯饰有限公司 广东  阳江市 2017-08-09
发光二极管 型号 F5 材料 硅(Si) 发光颜色 蓝色最高反向电压 3.0-3.2(V)|5664k 4 查看价格 重庆达晟光电科技有限公司 重庆  重庆市 2015-12-08
发光二极管 型号 F5 材料 硅(Si) 发光颜色 纯绿最高反向电压 3.0-3.2(V)|4414k 4 查看价格 重庆达晟光电科技有限公司 重庆  重庆市 2015-12-07
发光二极管 型号 F5 材料 硅(Si) 发光颜色 橙色最高反向电压 3.0-3.2(V)|775k 4 查看价格 重庆达晟光电科技有限公司 重庆  重庆市 2015-11-09
发光二极管 3528SMD LED Strip 黄光|8410支 4 查看价格 深圳市启明和丰照明科技有限公司 广东  深圳市 2015-08-11
发光二极管 型号 F5 材料 硅(Si) 发光颜色 白色最高反向电压 3.0-3.2(V)|57k 4 查看价格 重庆达晟光电科技有限公司 重庆  重庆市 2015-07-11
发光二极管 3528SMD LED Strip 暖白|7648支 4 查看价格 深圳市启明和丰照明科技有限公司 广东  深圳市 2015-05-20
发光二极管 型号 F5 材料 硅(Si) 频发光颜色 黄色最高反向电压 3.0-3.2(V)|6595pcs 4 查看价格 重庆达晟光电科技有限公司 重庆  重庆市 2015-12-07

高节能:节能能源无污染即为环保。直流驱动,超低功耗(单管0.03-0.06瓦)电光功率转换接近100%,相同照明效果比传统光源节能80%以上。

寿命长:LED光源有人称它为长寿灯,意为永不熄灭的灯。固体冷光源,环氧树脂封装,灯体内也没有松动的部分,不存在灯丝发光易烧、热沉积、光衰等缺点,使用寿命可达6万到10万小时,比传统光源寿命长10倍以上。

多变幻:LED光源可利用红、绿、篮三基色原理,在计算机技术控制下使三种颜色具有256级灰度并任意混合,即可产生256×256×256=16777216种颜色,形成不同光色的组合变化多端,实现丰富多彩的动态变化效果及各种图像。

利环保:环保效益更佳,光谱中没有紫外线和红外线,既没有热量,也没有辐射,眩光小,而且废弃物可回收,没有污染不含汞元素,冷光源,可以安全触摸,属于典型的绿色照明光源。

高新尖:与传统光源单调的发光效果相比,LED光源是低压微电子产品,成功融合了计算机技术、网络通信技术、图像处理技术、嵌入式控制技术等,所以亦是数字信息化产品,是半导体光电器件"高新尖"技术,具有在线编程,无限升级,灵活多变的特点。

波长:光的色彩强弱变化,是可以通过数据来描述,这种数据叫波长。我们能见到的光的波长,范围在380至780nm之间。单位:纳米(nm)

亮度:亮度是指物体明暗的程度,定义是单位面积的发光强度。单位:尼特(nit)

光强:指光源的明亮程度。也即表示光源在一定方向和范围内发出的可见光辐射强弱的物理量。

单位:烛光(cd)

光通量:光源每秒钟所发出的可见光量之总和。单位:流明(Lm)

光效:光源发出的光通量除以光源的功率。它是衡量光源节能的重要指标。单位:每瓦流明(Lm/w)。

显色性:光源对物体呈现的程度,也就是颜色的逼真程度。通常叫做"显色指数"单位:Ra。

色温:光源发射光的颜色与黑体在某一温度下辐射光色相同时,黑体的温度称为该光源的色温。

单位:开尔文(k)。

眩光:视野内有亮度极高的物体或强烈的亮度对比,所造成的视觉不舒适称为眩光,眩光是影响照明质量的重要因素。

同步性:两个或两个以上LED灯在不规定时间内能正常按程序设定的方式运行,一般指内控方式的LED灯,同步性是LED灯实现协调变化的基本要求。

防护等级:IP防护等级是将灯具依其防尘、防湿气之特性加以分级,由两个数字所组成,第一个数字代表灯具防尘、防止外物侵人的等级(分0-6级),第二个数字代表灯具防湿气、防水侵人的密封程度(分0-8级),数字越大表示其防护等级越高。

半导体发光二极管灯泡前景:常见问题

  • 发光二极管是导体还是半导体

    发光二极管不是导体!发光二极管是一种元件,是用半导体材料制作的一种元件。

  • 发光二极管灯有什么特点?

    工作电压很低(有的仅一点几伏);工作电流很小(有的仅零点几毫安即可发光);抗冲击和抗震性能好,可靠性高,寿命长。

  • 发光二极管和灯泡串联

    发光二极管(LED)所需的工作电流远小于白炽灯泡,所以它们串联后LED正常发光而白炽灯泡不会亮,正是由于LED的这种低功耗高发光效率的特性,使它成为前景很好的目前各类灯具的替代者。另外LED正常工作时...

中国LED产业起步于20世纪70年代。经过30多年的发展,中国LED产业已初步形成了包括LED外延片的生产、LED芯片的制备、LED芯片的封装以及LED产品应用在内的较为完整的产业链。在"国家半导体照明工程"的推动下,形成了上海、大连、南昌、厦门、深圳、扬州和石家庄七个国家半导体照明工程产业化基地。长三角、珠三角、闽三角以及北方地区则成为中国LED产业发展的聚集地。

目前,中国半导体照明产业发展向好,外延芯片企业的发展尤其迅速、封装企业规模继续保持较快增长、照明应用取得较大进展。2007年中国LED应用产品产值已超过300亿元,已成为LED全彩显示屏、太阳能LED、景观照明等应用产品世界最大的生产和出口国,新兴的半导体照明产业正在形成。国内在照明领域已经形成一定特色,其中户外照明发展最快,已有上百家LED路灯企业并建设了几十条示范道路,但国内在大尺寸LCD背光和汽车前照灯方面仍显落后。

2008年北京奥运会对LED照明的集中展示让人们对LED有了全新的认识,有力推动了中国半导体照明产业的发展。当前中国半导体产业产业大而不强,核心竞争力仍有待于进一步提升。对国内企业而言,壮大规模、提高产品质量与技术水平是首要任务,提高未来取得大厂专利授权时的要价能力,或逐步通过研发突破核心专利。

半导体发光二极管灯泡前景:文献

半导体发光二极管灯具介绍 半导体发光二极管灯具介绍

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半导体发光二极管灯具介绍 一、 定义 半导体发 光二极管灯具即 LED(Light Emitting Diode )灯具,是一种 半导体固体发 光器件。它是利用固体半导体芯 片作为发光材料,在半导体 中通过载流子 发生复合放出过剩的能量而引起 光子发射,直接发出红、黄、 蓝、绿 、青、橙、紫、白 色的光。 LED照明产品就是利 用 LED作为光源制造 出来的照明器 具。 半导体发光二 极管灯具 二、 前景 当前全球 能源短缺的忧虑再度升高的背景 下,节约能源是我们未来面 临的重要的问 题,在照明领域, LED发光产品的应用 正吸引着世人的目光, LED作为一种新型的绿 色光源产品, 必然 是未来发展的趋势 ,二十一世纪将 进入以 LED为代表的新型照明光源时代。 LED灯具 LED被称为第四代照明 光源或绿色光源,具有节能、环保、寿命长、体积小 等特点,可以 广泛应用于各种指示、显示、装

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半导体发光二极管讲义24页 半导体发光二极管讲义24页

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1) 能量分辨率最佳 ;

2) γ射线探测效率较高,可与闪烁探测器相比。

常用半导体探测器有:

(1) P-N结型半导体探测器;

(2) 锂漂移型半导体探测器;

(3) 高纯锗半导体探测器;

半导体传感器

semiconductorsensor

利用半导体性质易受外界条件影响这一特性制成的传感器。

根据检出对象,半导体传感器可分为物理传感器(检出对象为光、温度、磁、压力、湿度等)、化学传感器(检出对象为气体分子、离子、有机分子等)、生物传感器(检出对象为生物化学物质)。

光传感器根据光和半导体的相互作用原理制成的传感器。通过在半导体中掺进杂质可以在禁带中造成新的能级,可以人为地将光的吸收移至长波范围。

半导体光传感器种类很多,可以通过光导效应、光电效应、光电流等实现光的检出,如光敏电阻、光电二极管、光电三极管、光电池等。改变结构,还可以制成具有新功能的光传感器,例如灵敏度高和响应速度快的近红外检出器件、仅在特定波长范围灵敏的器件、发光与受光器件处于同一衬底的器件、可进行光检出和电流放大的器件(图1)、光导膜与液晶元件相结合的器件、电荷耦合器件等。

温度传感器一般随温度的上升,半导体中载流子浓度增加、电阻降低。利用这种效应可以制成热敏电阻。由于半导体载流子浓度与温度有关,还会产生显著的塞贝克效应。当P型半导体两端存在温度差墹T,热端的空穴浓度大,因此空穴向冷端扩散,并在此端产生正的空间电荷场(图2)。这个电压(塞贝克电压uS)约为150μV/K。对N型半导体,图2中载流子为电子,冷端连接点为负。因此,同时使用P型与N型半导体电偶的uS可达300μV/K,比金属的uS(40μV/K)大一个数量级。

半导体温度传感器分为两类:接触型和非接触型。接触型又分为热敏电阻与PN结型两种。

随着温度的变化,半导体感温器件电阻会发生较大的变化,这种器件称为热敏电阻。常用的热敏电阻为陶瓷热敏电阻,分为负温度系数(NTC)热敏电阻、正温度系数(PTC)热敏电阻和临界温度电阻(CTR)。热敏电阻一般指NTC热敏电阻。

PN结温度传感器是一种利用半导体二极管、三极管的特性与温度的依赖关系制成的温度传感器。非接触型温度传感器可检出被测物体发射电磁波的能量。传感器可以是将放射能直接转换为电能的半导体物质,也可以先将放射能转换为热能,使温度升高,然后将温度变化转换成电信号而检出。这可用来测量一点的温度,如测温度分布,则需进行扫描。

当对象温度低、只能发射红外线时,则须检出其红外线(见光电导探测器)。

磁传感器磁传感器主要基于霍尔效应和磁阻效应的原理。利用霍尔效应的器件称为霍尔器件。当施加磁通B时,电阻增加率墹R/R可用下式表示

墹R/R∝μ2B2

式中μ为载流子迁移率。半导体的载流子迁移率(如INAS约为104厘米2/伏秒)比金属(如Cu约为34.8厘米2/伏秒)大得多,所以半导体的磁阻效应很大。

半导体磁传感器体积小、重量轻、灵敏度高、可靠性高、寿命长,在电子学领域得到应用。此外,还可利用磁效应制作长度与重量传感器、高分辨(0.01度)的倾斜传感器,以及测定液体流量等。

压力传感器半导体在承受压力时禁带宽度发生变化,导致载流子浓度和迁移率变化。这样引起的电阻变化比金属丝受压时截面积减小引起的电阻变化要大两个数量级。因此半导体压力传感器具有高灵敏度。将P型半导体与N型半导体组合使用还可制成灵敏度更高的压力传感器。扩散型半导体压力传感器采用集成电路工艺制成,可以提高性能,改进测量的精度。如加工硅单晶制成受压膜片,在其表面用平面工艺扩散再制成压力规,由于二者处在同一硅片上,可以减少滞后、提高精度。

使用半导体压力传感器测量生物体各部分的压力比使用古老的脉压、血压测量方法,具有精度高、体积小、可在生物体自然状态下测量和安全(微小电流)的优点。

湿度传感器当半导体表面或界面吸附气体分子或水分子时,半导体表面或界面的能带发生变化。利用这种半导体电阻的变化可检测气体或湿度。半导体湿度传感器具有体积小、重量轻的特点,实用的有ZnO-Cr2O3系、TiO2-V2O5系陶瓷湿度传感器。ZnO-Cr2O3系陶瓷湿度传感器用于室内空调,可精密控制湿度,与微机结合能自动去湿,节省电能。TiO2-V2O5系陶瓷湿度传感器耐热性好,可测量60℃以上的环境湿度,还可用于医药、合成纤维工厂中存在有机物蒸气时的湿度测量。

气体传感器利用半导体与气体接触时电阻或功函数发生变化这一特性检测气体。气体传感器分为电阻式与非电阻式两种。

电阻式采用SnO2、ZnO等金属氧化物材料制备,有多孔烧结件、厚膜、薄膜等形式。根据半导体与气体的相互作用是发生在表面还是体内,又分为表面控制型与体控制型。表面控制型电阻式传感器包括SnO2系传感器、ZnO系传感器、其他金属氧化物(WO3、V2O5、CdO、Cr2O3等)材料的传感器和采用有机半导体材料的传感器。体控制型电阻式传感器包括Fe2O3系传感器、ABO3型传感器和燃烧控制用传感器。这类传感器可检测甲烷、丙烷、氢、一氧化碳等还原性气体,氧、二氧化氮等氧化性气体,具有强吸附力的胺类和水蒸汽等。

非电阻式气体传感器利用气体吸附和反应时引起的功函数变化来检测气体。它可分为金属-半导体结二极管型传感器(利用金属与半导体界面上吸附气体时,二极管整流特性的变化)、MOS二极管型传感器(采用MOS结构,通过C-V特性的漂移检测气体)和MOSFET型传感器(通过MOSFET的阈值电压变化检测气体)。

半导体气体传感器灵敏度高,可用于可燃气体防爆报警器,CO、H2S等有毒气体的监测器。通过稳定性研究,一些传感器可用于气体浓度的定量监测。半导体气体传感器在防灾、环境保护、节能、工程管理、自动控制等方面有广泛的应用。

离子传感器半导体离子传感器体积很小,能直接插入生物体内进行连续测量,随时监视患者的病情。

半导体表面的电阻随垂直于表面的电场变化。利用这种场效应制成的绝缘栅场效应晶体管(IGFET)可作为化学传感器。而在测量离子时,即称为离子灵敏场效应晶体管(ISFET)。ISFET的栅绝缘层表面只对特定的离子产生响应并形成离子感应层。这种界面电位的变化通过FET的漏极电流变化检出。ISFET的小型化不存在离子选择电极电阻过大的问题,它的输出阻抗很小。由于界面双电层的稳定性,即使在浓度很低的情况下也能检出界面电位的变化,因此具有很高的灵敏度(见场效应化学传感器)。ISFET可用来测量H+、Na+、K+、Ca++、Ag+、NH嬃等阳离子和F-、Cl-、Br-、I-、CN-等阴离子,还可制成复合ISFET(即同一ISFET可测几种不同的离子)和FET型的参考电极(REFFET)等。

生物传感器改变ISFET敏感膜或采用其他结构可以检出复杂的生物化学物质。这种传感器用于医疗、食品、医药、环境保护等方面。例如,在临床化学检查中,用固定酵素作电极的方法对血液中葡萄糖、淀粉酶、甲胍乙丙脂、尿素、尿酸进行分析,迅速而又简便。生物传感器正向检测更复杂的生物关联物质、免疫物质、细胞和微生物的方向发展。

采用集成化技术,将半导体传感器与信息处理电路集成于同一芯片,可以增加传感器的功能。此外,还可以在同一衬底上制作能检出不同对象的具有复合功能的半导体传感器器件。已出现单片集成传感器和混合集成传感器,将传感器与微处理机相结合可以制成具有自动补偿功能和预知判断功能的智能化器件。

半导体传感器优点是灵敏度高、可靠性好、可实现多功能、小型化、智能化,缺点是多感性、选择性差、在极限状态下(例如高温)不能使用。针对结晶型半导体传感器的不足,人们正在研究无定形半导体传感器。

半导体传感器

利用半导体材料的各种物理、化学和生物学特性制成的传感器。所采用的半导体材料多数是硅以及Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族元素化合物。半导体传感器种类繁多,它利用近百种物理效应和材料的特性,具有类似于人眼、耳、鼻、舌、皮肤等多种感觉功能。优点是灵敏度高、响应速度快、体积小、重量轻、便于集成化、智能化,能使检测转换一体化。半导体传感器的主要应用领域是工业自动化、遥测、工业机器人、家用电器、环境污染监测、医疗保健、医药工程和生物工程。半导体传感器按输入信息分为物理敏感、化学敏感和生物敏感半导体传感器三类。

物理敏感半导体传感器将物理量转换成电信号的器件,按敏感对象分为光敏、热敏、力敏、磁敏等不同类型,具有类似于人的视觉、听觉和触觉的功能。这类器件主要基于电子作用过程,机理较为简单,应用比较普遍,半导体传感器的无触点开关应用尤广。它们与微处理机相配合,能构成遥控、光控、声控、工业机器人和全自动化装置。下表列出常用的物理效应。

化学敏感半导体传感器将化学量转换成电信号的器件,按敏感对象可分为对气体、湿度、离子等敏感的类型,具有类似于人的嗅觉和味觉的功能。这类器件主要基于离子作用过程,机理较为复杂,研制较难,但有广阔的应用前景。通常利用的化学效应有:氧化还原反应、光化学反应、离子交换反应、催化反应和电化学反应(固体电解质浓淡电池反应)等。

生物敏感半导体传感器将生物量转换成电信号的器件,往往利用膜的选择作用、酶的生化反应和免疫反应,通过测量反应生成物或消耗物的数量达到检测的目的。生物敏感传感器所用的敏感功能材料是蛋白质,而蛋白质分子只能同特定物质起化学反应。通常利用的生物学效应有抗原抗体反应、酶作用下的氧化反应、微生物活组织和细胞的呼吸功能等。

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