半导体电阻率晶向

电阻率与晶向有关。

对于各向异性的晶体，电导率是一个二阶张量，共有27个分量。

特别的，对于Si之类的具有立方对称性的晶体，电导率可以简化为一个标量的常数（其他二阶张量的物理量都是如此）。

电阻率的大小决定于半导体载流子浓度n和载流子迁移率μ：ρ=1/ nqμ。

对于掺杂浓度不均匀的扩散区的情况，往往采用平均电导率的概念；在不同的扩散浓度分布（例如高斯分布或余误差分布等）情况下，已经作出了平均电导率与扩散杂质表面浓度之间的关系曲线，可供查用。

决定电阻率温度关系的主要因素是载流子浓度和迁移率随温度的变化关系。

在低温下

由于载流子浓度指数式增大（施主或受主杂质不断电离），而迁移率也是增大的（电离杂质散射作用减弱之故），所以这时电阻率随着温度的升高而下降。

在室温下

由于施主或受主杂质已经完全电离，则载流子浓度不变，但迁移率将随着温度的升高而降低（晶格振动加剧，导致声子散射增强所致），所以电阻率将随着温度的升高而增大。

在高温下

这时本征激发开始起作用，载流子浓度将指数式地很快增大，虽然这时迁移率仍然随着温度的升高而降低（晶格振动散射散射越来越强），但是这种迁移率降低的作用不如载流子浓度增大的强，所以总的效果是电阻率随着温度的升高而下降。

半导体开始本征激发起重要作用的温度，也就是电阻率很快降低的温度，该温度往往就是所有以pn结作为工作基础的半导体器件的最高工作温度（因为在该温度下，pn结即不再存在）；该温度的高低与半导体的掺杂浓度有关，掺杂浓度越高，因为多数载流子浓度越大，则本征激发起重要作用的温度——半导体器件的最高工作温度也就越高。所以，若要求半导体器件的温度稳定性越高，其掺杂浓度就应该越大。2100433B

第1章　温度与温标

第一节　温度的基本概念

一、热力学基础

二、统计概念

第二节　温标的建立

第三节　温标的发展

一、经验温标

二、热力学温标

三、国际温标

第四节　1990年国际温标（ITS-90）综述

一、定义固定点

二、内插仪器和内插方程

习题一

第2章　电阻温度计

第一节　测温原理

一、导体电阻率

二、半导体电阻率

第二节　铂电阻温度计

一、结构与分类

二、技术性能

三、内插方法

第三节　其他金属电阻温度计

一、铜电阻温度计（CuRT）

二、铟电阻温度计（InRT）

三、铑－铁电阻温度计（RIRT）

四、铂－钻电阻温度计（PCRT）

第四节　半导体电阻温度计

一、锗电阻流量计计（GeRT）

二、碳电阻温度计（CRT）

三、碳玻璃电阻温度计（CaRT）

四、热敏电阻温度计

第五节　使用电阻温度计的注意事项

一、震动与应力

二、淬火与氧化效应

三、磁阻效应

四、自热效应

五、压力的影响

六、引线电阻的影响

七、热电势的影响

八、漏热误差

九、迟滞

十、绝缘不良的影响

十一、环境温度的影响

十二、计算W（T）时的正确取值

第六节　测量电路

一、单电桥法

二、双电桥法

三、电位差计法

四、不平衡电桥法

第七节　检定与分度

一、定点法

二、比较法

习题二

第3章　膨胀式温度计

第4章　热电偶

第5章　辐射测温法

第6章　常用测试技术

参考文献