半导体电容-电压技术简介
（1）对单边突变的p -n结，其势垒电容C与电压V之间的关系可表示为：1/C2 = 2( Vbi –V)/(qεNdA2 )，则可通过测量1/C2~V关系曲线的斜率和截距来求得n型一边的掺杂浓度Nd和结的内建电势Vbi 。对线性缓变结, 也可以通过测量1/C3~V关系曲线来求得Nd和Vbi 。
对于一般的p-n结或者金属-半导体接触，也可通过C-V曲线的测量来得到轻掺杂一边的杂质浓度的分布N(W) ： N(W) = (2/qA2ε) [d(1/C2)/dV] 。
（2）对于MOS系统，通过其高频C-V特性曲线的测量（或者再加热测量）还可以得到其中的界面态和固定的与可动的电荷的数量；在MOS器件及其IC的制造过程中，C-V测量技术已经成为了一种常规的检测手段，用来监控工艺的质量。
此外，通过测量瞬态的C-V关系（例如深能级瞬态谱[DLTS]技术），还可以获得关于系统中界面态的信息。2100433B
半导体电容-电压技术造价信息
半导体电容-电压技术简介常见问题
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半导体照明亦称固态照明，是指用固态发光器件作为光源的照明，包括发光二极管（LED）和有机发光二极管（OLED），具有耗电量少、寿命长、色彩丰富、耐震动、可控性强等特点。 90年...
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KBSK??
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半导体电子制冷冰箱技术还行， 优点 1.无机械传动部件，无磨损，无噪音，寿命长 2.无需制冷剂制冷（压缩式和吸收式都需要），绝对环保 3，效率高，耗电量低（在100W以下，耗电量只有压缩式和吸收式的一...
半导体电容-电压技术简介文献
半导体特性
实用标准文案 精彩文档 建 平 县 职 业 教 育 中 心 备 课 教 案 课 题 模块（单元）第一章 项目（课） 半导体的主要特征 授课班级 11电子 授课教师 安森 授课类型 新授 授课时数 2 教学目标 知识目标 描述半导体的主要特征 能力目标 能够知道 P型半导体和 N型半导体的特点 情感态度目标 培养学生的学习兴趣，培养学生的爱岗敬业精神 教学核心 教学重点 半导体的主要特征 教学难点 P型半导体和 N型半导体的特点 思路概述 先讲解半导体的特点，再讲 P型半导体和 N型半导体的特点 教学方法 读书指导法、演示法。 教学工具 电脑，投影仪 教 学 过 程 一、组织教学：师生互相问候，安全教育，上实训课时一定要听从老师的指挥，在实训室不要乱动电源。 二、复习提问：生活中哪些电子元器件是利用半导体制作出来的？ 三、导入新课： 我们的生活中根据导电能力的强弱可以分成哪几种， 这节课我
泰德半导体
No. Type Vi Vo Fre Package Io ηmax OCP OTP SP 技术误 差 同类PIN对PIN产品型 号 适用产品范围 备注 1 TD1410 3.6~20 1.222~18 380KHz SOP-8 2A 95% Y ≤3％ MPS1410/9141/ACT4060/A TC4012/FSP3126/ZA3020 等 便携式DVD、LCD显示驱动板。液晶显示器、液晶电视、数码相 框.电信ADSL.车载DVD/VCD/CD.GPS。安防等 TD1410采用CMOS工艺 /6寸晶圆。是一款高效率低损耗 ,工作稳定 ,性价比 很高使用面广的 DC/DC电源管理芯片。 3 TD1534 1~20 0.8~18 380KHz SOP8 2A 95% Y ≤2％ MP1513 TD1513 路由器，便携式 DVD、机顶盒、平板电脑、笔记本电脑、 LCD显示 驱动板 .液晶
半导体电极电容sen}icnndu}tur electrode capacitance半 导体电极的电容等效于若干种电容的组合，相当于不间的储 电场所。其中包含溶液相的紧密双层电容，半导体空间电荷 层的电容和表面态的电容。测定半导体电极的电容和电势的 关系，可以确定半导体的导电类型、空Ib!电荷密度和固体表面 能级等特性。
SMD电解电容标称电容量、额定电压
标称电容量、额定电压、额定纹波电流与外形尺寸对应表
Nominal capacitance, rated voltage, rated ripple current and case size table
uf |
铝电解电容器的使用常识
1、直流电解电容只能使用在直流电路上，其极性必须标明在适当的位置或在导针/端子旁边。
2、在电路回路中如不清楚或不明确线路的极性时，则建议使用无极性电解容器。
3、电解电容器的工作环境温度不能超过规定的使用温度范围。
4、电解电容器应储存于低温及干燥场所，如储存期较长，则使用前应用额定电压对其重新老练。
5、通过电解电容器的纹波电流不应超过其充许范围，如超过了规定值，需选用耐大纹波电流的电解电容器。
6、使用时，电解电容器的工作电压不应超过其额定电压。
7、电烙铁等高温发热装置应与电解电容器塑料外壳保持适当的距离，以防止过热造成塑料套管破裂。
8、在焊接铝电解电容器时，其焊接时间和焊接温度不应超过10秒钟及260摄氏度。
9、对导针、端子，如施加超过规定的力，将会破坏电解电容器的内部结构。
容量及电压表:
0.47uf:(50V 63V)
1uf:(50V 63V 100V)
2.2uf:(50V 63V 100V)
3.3uf:(35V 50V 63V 100V)
4.7uf:(25V 35V 50V 63V 100V)
10uf:(16V 25V 35V 50V 63V 100V)
22uf:(6.3V 10V 16V 25V 35V 50V 63V 100V)
33uf:(6.3V 10V 16V 25V 35V 50V 63V 100V)
47uf:(6.3V 10V 16V 25V 35V 50V 63V 100V)
100uf:(6.3V 10V 16V 25V 35V 50V 63V)
150uf:(6.3V 10V 16V 25V 35V 50V)
220uf:(6.3V 10V 16V 25V 35V 50V)
330uf:(6.3V 10V 16V 25V 35V)
70uf:(6.3V 10V 16V 25V)
680uf:(6.3V 10V 16V)
1000uf:(6.3V 10V 16V)
1500uf:(6.3V)
截至2011年，额定功率高达约5最大工作电压双电层电容器至五。
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