半导体电容-电压技术
电容-电压技术（C-V technique）就是通过测量电容与电压的关系来求得体系的有关性能参量的一种技术。
半导体电容-电压技术基本信息
| 中文名 | 半导体电容-电压技术 | 外文名 | C-V technique |
|---|---|---|---|
| 关系式 | 1/C2 = 2( Vbi –V)/(qεNdA2) | 学 科 | 物理学 |
（1）对单边突变的p -n结，其势垒电容C与电压V之间的关系可表示为：1/C2 = 2( Vbi –V)/(qεNdA2 )，则可通过测量1/C2~V关系曲线的斜率和截距来求得n型一边的掺杂浓度Nd和结的内建电势Vbi 。对线性缓变结, 也可以通过测量1/C3~V关系曲线来求得Nd和Vbi 。
对于一般的p-n结或者金属-半导体接触，也可通过C-V曲线的测量来得到轻掺杂一边的杂质浓度的分布N(W) ： N(W) = (2/qA2ε) [d(1/C2)/dV] 。
（2）对于MOS系统，通过其高频C-V特性曲线的测量（或者再加热测量）还可以得到其中的界面态和固定的与可动的电荷的数量；在MOS器件及其IC的制造过程中，C-V测量技术已经成为了一种常规的检测手段，用来监控工艺的质量。
此外，通过测量瞬态的C-V关系（例如深能级瞬态谱[DLTS]技术），还可以获得关于系统中界面态的信息。2100433B
半导体电容-电压技术造价信息
半导体电容-电压技术常见问题
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半导体照明亦称固态照明，是指用固态发光器件作为光源的照明，包括发光二极管（LED）和有机发光二极管（OLED），具有耗电量少、寿命长、色彩丰富、耐震动、可控性强等特点。 90年...
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半导体电容-电压技术文献
半导体特性
实用标准文案 精彩文档 建 平 县 职 业 教 育 中 心 备 课 教 案 课 题 模块（单元）第一章 项目（课） 半导体的主要特征 授课班级 11电子 授课教师 安森 授课类型 新授 授课时数 2 教学目标 知识目标 描述半导体的主要特征 能力目标 能够知道 P型半导体和 N型半导体的特点 情感态度目标 培养学生的学习兴趣，培养学生的爱岗敬业精神 教学核心 教学重点 半导体的主要特征 教学难点 P型半导体和 N型半导体的特点 思路概述 先讲解半导体的特点，再讲 P型半导体和 N型半导体的特点 教学方法 读书指导法、演示法。 教学工具 电脑，投影仪 教 学 过 程 一、组织教学：师生互相问候，安全教育，上实训课时一定要听从老师的指挥，在实训室不要乱动电源。 二、复习提问：生活中哪些电子元器件是利用半导体制作出来的？ 三、导入新课： 我们的生活中根据导电能力的强弱可以分成哪几种， 这节课我
泰德半导体
No. Type Vi Vo Fre Package Io ηmax OCP OTP SP 技术误 差 同类PIN对PIN产品型 号 适用产品范围 备注 1 TD1410 3.6~20 1.222~18 380KHz SOP-8 2A 95% Y ≤3％ MPS1410/9141/ACT4060/A TC4012/FSP3126/ZA3020 等 便携式DVD、LCD显示驱动板。液晶显示器、液晶电视、数码相 框.电信ADSL.车载DVD/VCD/CD.GPS。安防等 TD1410采用CMOS工艺 /6寸晶圆。是一款高效率低损耗 ,工作稳定 ,性价比 很高使用面广的 DC/DC电源管理芯片。 3 TD1534 1~20 0.8~18 380KHz SOP8 2A 95% Y ≤2％ MP1513 TD1513 路由器，便携式 DVD、机顶盒、平板电脑、笔记本电脑、 LCD显示 驱动板 .液晶
半导体电极电容sen}icnndu}tur electrode capacitance半 导体电极的电容等效于若干种电容的组合，相当于不间的储 电场所。其中包含溶液相的紧密双层电容，半导体空间电荷 层的电容和表面态的电容。测定半导体电极的电容和电势的 关系，可以确定半导体的导电类型、空Ib!电荷密度和固体表面 能级等特性。
SMD电解电容标称电容量、额定电压
标称电容量、额定电压、额定纹波电流与外形尺寸对应表
Nominal capacitance, rated voltage, rated ripple current and case size table
uf |
铝电解电容器的使用常识
1、直流电解电容只能使用在直流电路上，其极性必须标明在适当的位置或在导针/端子旁边。
2、在电路回路中如不清楚或不明确线路的极性时，则建议使用无极性电解容器。
3、电解电容器的工作环境温度不能超过规定的使用温度范围。
4、电解电容器应储存于低温及干燥场所，如储存期较长，则使用前应用额定电压对其重新老练。
5、通过电解电容器的纹波电流不应超过其充许范围，如超过了规定值，需选用耐大纹波电流的电解电容器。
6、使用时，电解电容器的工作电压不应超过其额定电压。
7、电烙铁等高温发热装置应与电解电容器塑料外壳保持适当的距离，以防止过热造成塑料套管破裂。
8、在焊接铝电解电容器时，其焊接时间和焊接温度不应超过10秒钟及260摄氏度。
9、对导针、端子，如施加超过规定的力，将会破坏电解电容器的内部结构。
容量及电压表:
0.47uf:(50V 63V)
1uf:(50V 63V 100V)
2.2uf:(50V 63V 100V)
3.3uf:(35V 50V 63V 100V)
4.7uf:(25V 35V 50V 63V 100V)
10uf:(16V 25V 35V 50V 63V 100V)
22uf:(6.3V 10V 16V 25V 35V 50V 63V 100V)
33uf:(6.3V 10V 16V 25V 35V 50V 63V 100V)
47uf:(6.3V 10V 16V 25V 35V 50V 63V 100V)
100uf:(6.3V 10V 16V 25V 35V 50V 63V)
150uf:(6.3V 10V 16V 25V 35V 50V)
220uf:(6.3V 10V 16V 25V 35V 50V)
330uf:(6.3V 10V 16V 25V 35V)
70uf:(6.3V 10V 16V 25V)
680uf:(6.3V 10V 16V)
1000uf:(6.3V 10V 16V)
1500uf:(6.3V)
截至2011年，额定功率高达约5最大工作电压双电层电容器至五。
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