半晶体

半晶体(semicrystalline)又称半晶、半结晶性体,是聚合物的一种区别于非晶体的物态,半晶体也就是通常所说的结晶聚合物,包括晶体和非晶体两部分组成。

半晶体基本信息

中文名 半晶体 外文名 semicrystalline
又    称 半晶、半结晶性体 解    释 通常所说的结晶聚合物
半晶体 具有更高的系数和抗拉强度

半晶体,比起无定型聚合物具有更高的系数和抗拉强度。尽管它们的抗冲击性能低于那些非晶体聚合物,但通常认为半晶体具有良好的化学抗蚀力。

在熔融状态,半晶体也是非晶体的;也就是说,聚合物内链以随机的方向排列。但随着熔液的冷却,内链开始直线排列并形成晶体聚合物。直线型式可促使先前提到的系数和化学抗蚀力的加强。

通常,原料晶体的性质能对连接器组件的制程和物理性能施加一个可预测的影响。随着成型过程所使用的成型方法及添加进基体塑料的化合物的变化,晶体也随之变化。随着晶体百分比的增加,机械性能也增强。随晶体百分比的增长,屈服点和主要的强度会提高。被作为一种衡量硬度的尺度的弹性的模量(应力对应变的比率)也在增加,但晶体的增长通常会造成原料韧性的下降。而内链的直线排列和前述的中间链聚合,引起了机械性能的提高。在聚合物的机械性能上,晶体的增长具有明显的影响。晶体聚合物主要有乙烯聚合物的氯化物(PVC),尼龙和聚酯,例如:聚乙稀、对苯二酸盐(PET)和聚丁烯(PBF)。

半晶体造价信息

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半晶体被想象成一碗混合了煮熟的和直硬未熟的意大利面条。这种有序通常是由于聚合物内链有这样一个结构,可让它们排成直线并聚集形成晶体范围。直线型态由这样的几何特征而来,并被在聚合物内链间形成的低能量化合物所保持,这些低能量化合物如氢合物等。中间链的结合依靠内链长(即分子量),这就是为什么分子量是如此重要的塑料原料参数的原因。塑料原料里晶体的百分比由聚合物类型(化学组成)所决定,它也影响着内链主链的柔韧性,和能促进结晶的可能的内链反应。例如:尼龙内链有能力形成氢合物,因此在聚合物内促进了结晶。聚酯也能形成氢合物,并影响构成聚合物内链的化学单元长度,因此促进了结晶。

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半晶体文献

半导体侧泵模块激光晶体内吸收光场分析 半导体侧泵模块激光晶体内吸收光场分析

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建立了半导体侧面泵浦模块中激光晶体的吸收光场分布模型,利用Matlab软件计算了吸收光场的归一化分布形貌,提出了两个重要参数:阵列切向位移量与径向角度偏离度。结果表明:当阵列切向位移量为0~0.5 mm时,晶体相对吸收强度、光场均匀性等参数基本不变;当该数值大于0.5 mm时,吸收强度急剧下降、光场不均匀性急剧增加;相比而言,径向角度偏移对晶体吸收光场分布的影响较小,总体上呈现随着该数值的增加,吸收强度减小、光场不均匀性增加。以上研究结论为目前半导体侧泵模块的研制生产提供了理论指导。

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       据媒体报道,近期一项新型科技结晶——半浮栅晶体管在我国诞生了。半浮栅晶体管是由复旦大学微电子学院张卫教授领衔团队经过长时间的努力研发出来的,也是全球首个半浮栅晶体管。近日,关于半浮栅晶体管的研究论文已经刊登在《科学》杂志上,这是我国科学家首次在该权威杂志发表微电子器件领域的研究成果。        半浮栅晶体管的成功研发将有助于我国掌握集成电路的核心技术,从而在国际芯片设计与制造领域内逐渐获得更多的话语权。据了解,MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)是现在集成电路的核心器件。在过去的几十年里,各国科学家努力将更多的MOSFET集成到一块芯片上来提高运算能力,钻研如何实现更小尺寸的元器件。        张卫j教授在接受访问时表示,随着器件尺寸越来越接近其物理极限,基于新结构和新原理的晶体管成为当前业界急需。半浮栅晶体管的前瞻研发就是在这种情况下展开的。研究团队将隧穿场效应晶体管(TEET)和MOSFET相结合,构建成了一种名为“半浮栅”的新型基础器件。  

通常简称功率晶体管。 其中大容量型又称巨型晶体管,简称GTR。功率晶体管一般为功率集成器件,内含数十至数百个晶体管单元。图1是功率晶体管的符号,其上e、b、c分别代表发射极、基极和集电极。按半导体的类型,器件被分成NPN型和PNP型两种,硅功率晶体管多为前者。

原子晶体晶体类型

某些金属单质:晶体锗(Ge)等。

某些非金属化合物:氮化硼(BN)晶体、碳化硅、二氧化硅等。

非金属单质:金刚石、晶体硅、晶体硼等。

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