扩底段斜面倾角≤12°、扩底率≤3.5、扩底段垂直面高度≥500mm、扩底段直径允许偏差0mm~100mm
本技术通过全液压和电脑管理系统严格控制施工质量;单桩极限承载力应通过静载荷试验确定2100433B
顾国荣、杨石飞、王福林、杨秀仁、金福海、周良、陈文艳、黄美群、张继清、朱敢平、余乐、王宁、张静、周质炎、张中杰、王臣、苏辉、徐波、姜叶翔、毛海和、蒋盛钢、张戈、徐向辉、吕培林、陈加核、焦亚盟、蒋力、朱士传、王刚、王卓衡、吴凤仙、徐彩杰
上海勘察设计研究院(集团)有限公司 浙江鼎业基础工程有限公司
与园林景观设计相关的规范有:1、《中华人民共和国城市规划法》();2、《城市规划编制办法》(建设部2006年4月1日发布实施);3、《城市规划编制办法实施细则》 (建设部建设规范(199...
AM干取土全液压扩底灌注桩的研究——对AM 干取土全液压扩底灌注桩工艺进行简述,推导了理论计算公式,并通过三根试验桩的现场静载试验结果,得出AM干取土全液压扩底灌注桩能有效地提高单桩极限承载力,有较显著的经济效益,同时还能保护周围环境,创建文明施工...
本文介绍了嵌岩旋挖扩底灌注桩的施工工艺原理和施工技术,并结合具体实例进行了工程验证,实践证明所采取的针对性施工措施是成功的,本文的有关技术方法具有很好的适应性,可供类似工程进行借鉴。
TQ_AM335X开发板是广州天嵌计算机科技有限公司专门针对有一定开发经验或企业用户提供的一整套的学习和解决方案。TQ_AM335X提供了一个性能稳定及成本低廉的Cortex-A8开发平台,以便您快速熟悉TI AM335X处理器特性和设计方法,并加快您的产品开发进度。
TI Sitara AM335X特点
Ø 基于ARM Cotex-A8的MPU,主频最高支持720MHz;
Ø 支持LPDDR1/DDR2/DDR3内存;
Ø 灵活的电源管理芯片选择,如TI TPS65910、TPS65217等;
Ø UI及3D功能,集成3D图形加速器与显示控制器;
Ø 集成双千兆以太网接口、多达6路的UART串口、2路CAN收发器;
Ø 灵活的外设集成,提供多达4组GPIO端口,每组32个,部分端口可配置多达7种复用功能;
Ø 集成TI独有的片上可编程实时单元(PRU),并提供可配置I/O配置,灵活扩展外设功能;
TQ_AM335X开发板采用"核心板+底板"结构方式。核心板对外接口采用U型双排插针接口(160个管脚),引出AM335X全部可用端口。
注意:TQ_AM335X开发板标配AM3358/AM3359处理器,以满足广大用户降低成本的要求,其余型号均为PIN脚兼容,仅供批量用户选择!
学科:钻探工程
词目:全液压钻机
英文:all-hydraulic operated drill
可控硅分类
可控硅有多种分类方法。
(一)按关断、导通及控制方式分类:可控硅按其关断、导通及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆导可控硅、门极关断可控硅(GTO)、BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种。
(二)按引脚和极性分类:可控硅按其引脚和极性可分为二极可控硅、三极可控硅和四极可控硅。
(三)按封装形式分类:可控硅按其封装形式可分为金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控硅三种类型。其中,金属封装可控硅又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种;塑封可控硅又分为带散热片型和不带散热片型两种。
(四)按电流容量分类:可控硅按电流容量可分为大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三种。通常,大功率可控硅多采用金属壳封装,而中、小功率可控硅则多采用塑封或陶瓷封装。
(五)按关断速度分类:可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频(快速)可控硅。
(六)过零触发-一般是调功,即当正弦交流电交流电电压相位过零点触发,必须是过零点才触发,导通可控硅。
(七)非过零触发-无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅,常见的是移相触发,即通过改变正弦交流电的导通角(角相位),来改变输出百分比。