amd

优选参数钻井 在分析已钻井资料的基础上，以电子计算机为手段，用最优化的方法，将影响钻井速度的各种可控因素（例如钻头类型、钻压、转速、泥浆性能、水力因素等），根据最低成本原则建立数学模型，编成计算程序。进行优选配合，使钻井工作实现优质、快速、低成本。

地层孔隙压力预测和平衡压力钻井 用地震、测井和钻进时的资料（机械钻速、页岩密度、泥浆比重、温度等）进行综合分析，预测地层孔隙压力和判断可能出现的异常压力地层，及时采取措施以防止突然发生井喷、井漏和井塌等井下复杂情况。根据已知的地层孔隙压力和地层破裂压力，确定合理的泥浆比重和套管程序。在井内泥浆液柱压力和地层孔隙压力近似平衡的条件下进行钻井，称平衡压力钻井。可显著提高钻速，也有利于发现油、气藏。

井控技术 当钻达异常高压地层而发生泥浆气侵或井涌时，用计算方法和恰当的技术措施，调整泥浆比重和流动特性，配合使用液动高压防喷设备进行控制和排除井内溢流，以防止井喷。

取岩心技术 按设计要求从井下钻取所需层位的岩石样品（岩心），为勘探和开发油、气藏取得第一性资料。常用的取心工具主要由取心钻头、岩心筒、岩心抓和接头等部件组成，取心钻进时，钻头连续呈环形切削井底的岩石，使钻成的柱状岩心不断进入岩心筒。为适应特殊需要，还有密闭取心、保持压力取心和用于极疏松和破碎地层的取心工具（橡皮套取心工具）等。

以往主要靠经验钻井，50年代开始研究影响钻井速度和成本的诸因素及其相互关系。钻井新技术、新理论不断出现。井眼方向必须控制在允许范围内。根据油气勘探，开发的地质地理条件和工程需要，分直井和定向井两类，后者又可分为一般定向井、水平井、丛式井等。

直井 井眼沿铅直方向钻进并在规定的井斜角和方位角范围内钻达目的层位，对井眼曲率和井底相对于井口的水平位移也有一定的要求(图1)。生产井井底水平位移过大，会打乱油田开发的布井方案；探井井底水平位移过大，有可能钻不到预期的目的层。井的全角变化率过大会增加钻井和采油作业的困难，易导致井下事故。影响井斜角和方位角的因素有：地质条件，钻具组合，钻井技术措施，操作技术以及设备安装质量等。为防止井斜角和井眼曲率过大，必须选用合理的下部钻具组合。常用的有刚性满眼钻具组合（图2）和钟摆钻具组合(图3)两种。前者可采用较大的钻压钻进,有利于提高钻速,井眼曲率较小，但不能纠斜,后者需控制一定的钻压,响钻速，但可用来纠斜。

AMD　（Maximum deviation azimuth），最大井斜方位（石油工业术语）

amd定向井

定向井 沿预先设计的井眼方向(井斜角和方位角)钻达目的层位的井。主要用于：①受地面地形限制，如油田埋藏在城镇、高山、湖泊或良田之下；②海上丛式钻井；③因地质构造特殊（如断层、裂缝层，或地层倾角太大等）的需要，钻定向井有利于油、气藏的勘探开发；④处理井下事故，如侧钻，为制止井喷着火而钻的救险井等。

定向井的剖面设计，一般由直井段、造斜段、稳斜段和降斜段组成。造斜和扭方位井段常用井下动力钻具(涡轮钻具或螺杆钻具) 加弯接头组成的造斜钻具（图4）。当井眼斜度最后达到或接近水平时，称为水平井。定向钻进时，必须经常监测井眼的斜度和方位，随时绘出井眼轨迹图，以便及时调整。常用的测斜仪有单点、多点磁力照相测斜仪和陀螺测斜仪。近年来，还使用随钻测斜仪，不需起钻就可随时了解井眼的斜度和方位，按信号传输方式分有线及无线两种，前者用电缆传输信号，后者用泥浆脉冲、电磁、声波等。

amd丛式井

丛式井 又称密集井、成组井(图5), 在一个位置和限定的井场上向不同方位钻数口至数十口定向井，使每口井沿各自的设计井身轴线分别钻达目的层位，通常用于海上平台或城市、良田、沼泽等地区，可节省大量投资，占地少，并便于集中管理。

amd喷射钻井

喷射钻井 将泥浆泵输送的高压泥浆通过钻头喷嘴形成高速冲击射流（通常在m/s以上）,直接作用于井底，充分利用水力能量（一般使泵水功率的50%以上作用于井底）,使岩屑及时冲离井底或直接破碎地层,可大幅度提高钻井速度。合理的工作方式是采用较高的泵压、较低的排量和较小的钻头喷嘴直径。

AMD处理器产品发展过程可分为五个阶段：

AMD处理器第一阶段

80486至AMD K6阶段。

初期的产品策略主要是以较低廉的产品价格为诉求，虽然最高性能不如同期的Intel产品，但却拥有较佳的价格性能比。

AMD处理器第二阶段

K7阶段

K7的性能尤其是在浮点运算能力方面，受到不少DIY（自行组装计算机）用户的欢迎。由于相对于Intel，AMD对于CPU的倍频锁定限制较松，因此广受许多超频用户的欢迎。但也由于缺乏过热保护，超频过度的K7系列CPU有较高的烧毁风险，导致部分消费者对其稳定度的信心偏低。

AMD处理器第三阶段

K8阶段

由于率先于Intel之前优先投入64位CPU的市场，使得AMD在64位CPU的领域有比较早发展的优势，此阶段的AMD产品仍采取了一贯的低主频高性能策略，解决因为电气性能有限导致CPU不稳定和发热量、耗电功率过大的问题，并导入使用IBM开发的SOI技术，使得K8相较同期Intel公司的P4处理器相同性能上有较低的功耗。

AMD处理器第四阶段

K10阶段

由于原生四核心的设计复杂，加上电路设计Bug，导致AMD初期B2核心步进的Opteron（Barcelona）和Phenom（Agena）性能不彰，时脉提升困难。为此AMD特别发布解决B2核心步进BUG的Patch，名称为“TLB Patch”。AMD接下来还将发布解决TLB Bug问题的B3核心步进，可使AMD K10处理器的整体性能再提升15%。

AMD处理器第五阶段

K10.5阶段

AMD在2007年5月已完成45纳米的SRAM晶圆生产，10月宣布45nm的处理器开始试产。AMD的45nm处理器在德国德累斯顿300mm晶圆厂Fab 36生产，生产制程由AMD与IBM合作开发。譬如沉浸平版印刷术、AMD第四代SOI、Ultra-Low-K等，与Intel的有所不同。AMD认为，即使没有High-K、金属栅极技术也能顺利步入45nm时代，并不是必要的，不过到了32nm就是必需的了。此番展示的处理器包括服务器版本“Shanghai”和桌面版本“Deneb”，均为高端四核心型号。AMD在2008年10月正式发布45nm处理器，首先推出的是“Shanghai”，之后在2009年5月推出了6核心的Opteron，代号“Istanbul”，仍使用Socket F脚位，2009年下半年推出AMD第三代Opteron平台，改用Socket G34脚位，推出代号“Sao Paulo”的6核心Opteron，将支持DDR3存储器与HyperTransport 3.0协议，还会推出12核心Opteron，代号为“Magny-Cours”。