MCR型SVC无功补偿装置技术参数

可控硅阀结构:箱式;

控制系统:全数字控制系统;

控制方式:无功功率;

调节方式:分相调节;

噪声水平:<68分贝;

系统响应时间:20ms~60ms;

自身谐波含量小，3次谐波电流是额定基波电流的7%左右，5次谐波电流为2.5%左右;

无功调节范围是0~100%，使用后的功率因数能达到0.92以上;

地震烈度: Ⅷ度;

使用年限:>20年。

说明:

电压等级: 6、10、20、35、110kV

M:RMCR型SVC，即指磁阀式动态无功补偿装置

安装地点:N-户内(可省略)、W-户外

磁控电抗器是利用直流助磁的原理，即利用附加直流励磁，磁化电抗器铁心，通过调节磁控电抗器铁心的磁饱和程度，改变铁心的磁导率，实现电抗值的连续可调。

在电抗器的整个容量调节范围内，仅有小截面段的铁心磁路工作在饱和区，而大截面段始终工作于未饱和线性区。左图为铁心磁化曲线示意图，曲线中间部分为未饱和线性区，左、右两边为极限饱和线性区。若使电抗器工作在极限饱和线性区，不仅可以减小谐波含量，同时亦能大幅减低铁心磁滞损耗，电抗器铁损控制在理想状态。

右图为电抗器外加交流电压时的两种工作状态。当电抗器绕组接至电源电压时，在可控硅T1、T2两端感应出电压。该电压正半周触发导通可控硅T1，在回路中产生直流控制电流;电源电压负半周期触发导通可控硅T2，也在回路中形成直流控制电流，使电抗器工作铁心饱和，输出电流增加。可控电抗器输出电流大小取决于晶闸管控制角α，α越小，产生的控制电流越强，从而电抗器工作铁心磁饱和程度越高，输出电流越大。因此，改变晶闸管控制角，可平滑调节电抗器容量。

RMCR的外形结构与油浸式变压器基本相同，主要由壳体、磁阀式铁心、绕组和变压器油等部分组成。壳体采用与油浸变压器相同的设计结构，壳体内部并排安装三相相同的单相磁阀式可控电抗器，组成三角形接线方式，其高压进线和控制绕组进出线，由壳体顶部通过绝缘瓷瓶连接，励磁控制箱安装固定在壳体外部。

每个单相磁阀式可控电抗器的结构如上图所示，采用四柱式结构，由两个等截面的主铁心和为使电抗器的电流正负半波对称的两个等截面旁轭组成，旁轭的截面等于心柱的截面。中间两柱的每柱中间部分有一段小截面的铁心段构成磁阀，并将两柱分别分为上下两段，每段上各套有一个绕组，上段的上部两个绕组端和下段的下部两个绕组端分别并接在一起，上段的下部两个绕组端和下段的上部两个绕组端则交叉串联连接，每柱上绕组的下部和下绕组的上部均设有中间抽头，每柱上、下两个中间抽头间接有一支SCR(可控硅)，且两柱上的SCR极性相反，中间交叉连接点的两端之间接有一支二极管。

​本装置广泛适用于电力无功变化迅速，电压、无功、谐波需要控制或综合治理的供用电场所。我公司生产的RMCR型SVC，具有响应速度快、可靠性高、连续无级可调、占地面积小等显著特点，是电力、冶金、煤炭、化工、电气化铁路等行业理想的动态无功补偿装置。

控制系统采用DSP全数字处理芯片，具有高度的可靠性和稳定性，而且运算速度快，能够实现复杂的运算;

模块化设计，扩展灵活;

可控硅采用高质量元件，光电触发，BOD保护，系统抗干扰强，运行可靠;

监控部分有上位监控机，人机显示界面及其它的相应终端器件构成，可以对系统的电能质量进行实时、连续的监测;

可以直接运行于任何电压等级电网且安装简单;

可实现三相同时控制，分相控制和三相平衡控制;

提供RS232、RS485以及CAN总线等通讯接口，便于实现远程控制和无人值守;

具有硬保护和后备微机保护。