极低IB:1 pA(最大值)
单电源供电:5 V至26 V
双电源供电:±2.5 V至±13 V
轨到轨输出
低电源电流:每个放大器630 µA(典型值)
低失调电压:500 µV(最大值)
单位增益稳定
无反相
AD8625: 精密、低功耗、单电源、JFET放大器
当容性负载超过500 pF时,输出仍能保持稳定;每个放大器的电源电流小于630 µA。AD862x的具体应用包括:光电二极管跨导放大,ATE基准电平驱动器,电池管理,线路供电和便携式仪器仪表,以及包括汽车传感器在内的远程传感器信号调理。
AD862x具有近似轨到轨输入与轨到轨输出摆幅能力,因而可以在单电源系统中缓冲CMOS、DAC、ASIC及其它宽输出摆幅器件。5 MHz带宽和低失调特性则特别适合精密滤波器。AD862x的额定温度范围为-40°C至+85°C扩展工业温度范围。AD8627提供5引脚SC70和8引脚SOIC表面贴装两种封装。SC70封装器件仅提供卷带和卷盘形式。AD8626提供MSOP封装。
支撑····
氟美斯 以及美塔斯等除尘滤袋都是只用氟美斯\美塔斯纤维制成的工业用过滤袋,一般来说这类无纺布袋或具有耐高温,耐酸碱 使用寿命长等特性
氟美斯 以及美塔斯等除尘滤袋都是只用氟美斯\\美塔斯纤维制成的工业用过滤袋,一般来说这类无纺布袋或具有耐高温,耐酸碱 使用寿命长等特性
铝阳极氧化 MIL-A-8625F 标准中文版 美国军事标准 铝和铝合金的阳极氧化膜 此标准由由美国国防部所有部门和科室批准使用 1.范围 1.1 范围 本标准包括非建筑用途的铝和铝合金的 6类和 2级电解生成的阳极氧化膜的要求(见 6.1)。 1.2 分类 本标准所列阳极氧化膜的类别和级别如下: 1.2.1 分类 Ⅰ类 - 铬酸阳极氧化,在铬酸槽生成的常规氧化膜(见 3.4.1) ⅠB 类 - 铬酸阳极氧化,低电压工艺, 22±2V(见 3.4.1) ⅠC 类 - 非铬酸阳极氧化,应用非铬酸的配方生成的Ⅰ和Ⅰ B 类氧化膜(见 3.4.1 和 6.1.2 ) Ⅱ类 - 硫酸阳极氧化,在硫酸槽生成的常规氧化膜(见 3.4.2) ⅡB 类 - 硫酸阳极氧化薄膜,应用非铬酸的配方生成的Ⅰ和Ⅰ B类氧化膜(见 3.4.1 和 6.1.2) Ⅲ类 - 硬质阳极氧化膜(见 3.4.3) 1.2.2
MIL-A-8625F(铝及其铝合金阳极氧化膜层军用标准)