8279芯片

SiS 620芯片组

SiS 620是SiS家族最早推出的整合型芯片组，该芯片组支持P6总线协议，支持Celeron/PentiumⅡ/PentiumⅢ，北桥芯片上集成了独立的64位2D/3D图形处理器--SiS 6326，可选择外接2MB，4MB或8MB同步显存，支持230MHz RAMDAC。通过UMA(统一存储结构)可以把主内存作为帧缓冲使用，它还支持液晶显示器输出，2D性能较佳，但3D性能较弱，所以未能得到个人用户的支持，但在商用领域却使用得较为广泛。

SiS 630芯片组

SiS 630芯片组继SiS620之后，SiS又推出了高整合，高性能的SiS630系列(包括630、630E、630S)。SiS630系列芯片组整合程度相当高，它将南，北桥芯片合二为一，并且整合了3D图形芯片SiS300/301.SiS 300/301是一款真正128位的3D图形加速引擎，支持许多3D特效，据称它比SiS 6326快5倍，性能大概与NⅥDIA的TNT2显卡相当。另外，SiS 301还可以接驳第二台CRT显示器或电视机，可以满足用户的不同需要。

SiS650芯片组

SiS650芯片组主要由北桥芯片SiS650和南桥芯片SiS961组成，支持DDR333，DDR266和PC133内存，最高可达3GB内存容量，支持新一代的Pentium4，并且采用矽统独创的MuTIOL技术，提供高达533M/s的超高带宽与南桥SiS961相连。而且内部集成了矽统自行研发的256位 2D\3D绘图芯片SiS315，并拥有高达2GB/s的显示内存数据宽带。而且南桥SiS961芯片具备强大的功能，支持AC'97声卡，10 /100M自适应以太网卡，V.90Modem，6组PCI插槽以及6个USB接口等等，在功能上强过它以往推出的整合芯片组。

SiS 730S芯片组

SiS 730S是业界第一颗支持AMD Athlon处理器平台的整合单芯片。与SiS 630相比，除了处理器接口协议不同以外，其余没有任何改变。SiS 730S将一块BGA(672根针脚)封装的北桥逻辑芯片、SiS 960超级南桥芯片及128位的SiS 300图形芯片整合为单芯片。可支持3D立体眼镜、DVD硬件加速与双重显示输出，以及内建3D立体音效、56kbps Modem、100Mbps以太网卡(Fast Ethernet)、1/10Mbps家庭网络(Home PNA)、ATA/100接口、ACR接口，另外，最多支持6USB设备接入的2个USB控制器。该芯片特别设计可供升级的AGP 4X接口，以满足消费者额外的需求。而共享式显存设计最大可以由主内存中分配64MB内存作为SiS 300的显示缓存使用(可以在4/8/16/32/64MB之间选择共享容量)。支持3GB内存的SiS 730S最多可以使用3条DIMM插槽接入，最大支持单条512MB SDRAM。

定义:MB 芯片﹕Metal Bonding (金属粘着)芯片﹔该芯片属于UEC 的专利产品

特点:1、 采用高散热系数的材料---Si 作为衬底﹐散热容易.

Thermal Conductivity

GaAs: 46 W/m-K

GaP: 77 W/m-K

Si: 125 ~ 150 W/m-K

Cupper:300~400 W/m-k

SiC: 490 W/m-K

2、通过金属层来接合(wafer bonding)磊晶层和衬底，同时反射光子，避免衬底的吸收.

3、导电的Si 衬底取代GaAs 衬底，具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4 倍)，更适应于高驱动电流领域。4、底部金属反射层﹐有利于光度的提升及散热

5、尺寸可加大﹐应用于High power 领域﹐eg : 42mil MB

定义:GB 芯片﹕Glue Bonding (粘着结合)芯片﹔该芯片属于UEC 的专利产品

特点: 1﹕透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底﹐其出光功率是传统AS (Absorbable structure)芯片的2倍以上﹐蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底.

2﹕芯片四面发光﹐具有出色的Pattern图

3﹕亮度方面﹐其整体亮度已超过TS芯片的水平(8.6mil)

4﹕双电极结构﹐其耐高电流方面要稍差于TS单电极TS芯片定义和特点

TS芯片

定义:TS 芯片﹕ transparent structure(透明衬底)芯片﹐该芯片属于HP 的专利产品。

特点:1.芯片工艺制作复杂﹐远高于AS LED

2. 信赖性卓越

3.透明的GaP衬底﹐不吸收光﹐亮度高

4.应用广泛

AS芯片

定义:AS 芯片﹕Absorbable structure (吸收衬底)芯片﹔经过近四十年的发展努力﹐台湾LED光电业界对于该类型芯片的研发﹑生产﹑销售处于成熟的阶段﹐各大公司在此方面的研发水平基本处于同一水平﹐差距不大. 大陆芯片制造业起步较晚﹐其亮度及可靠度与台湾业界还有一定的差距﹐在这里我们所谈的AS芯片﹐特指UEC的AS芯片﹐eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等

特点: 1. 四元芯片﹐采用 MOVPE工艺制备﹐亮度相对于常规芯片要亮

2. 信赖性优良

3. 应用广泛

1、LPE:Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP

2、VPE:Vapor Phase Epitaxy(气相磊晶法) GaAsP/GaAs

3、MOVPE:Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有机金属气相磊晶法) AlGaInP、GaN

4、SH:GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(单异型结构)GaAlAs/GaAs

5、DH:GaAlAs/GaAs Double Heterostructure， (双异型结构) GaAlAs/GaAs

6、 DDH:GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure， (双异型结构) GaAlAs/GaAlAs