场效应晶体管是根据三极管的原理开发出的新一代放大元件,有3个极性,栅极,漏极,源极,它的特点是栅极的内阻极高,采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧,属于电压控制型器件。

特点:

具有输入电阻高(100MΩ~1 000MΩ)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、热稳定性好等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.

作用:

场效应管可应用于放大.由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器.

场效应管可以用作电子开关.

场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换.常用于多级放大器的输入级作阻抗变换.场效应管可以用作可变电阻.场效应管可以方便地用作恒流源.2100433B

3dj7g造价信息

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MOS场效应晶体管测试仪 BJ2990 查看价格 查看价格

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MOS型场效应晶体管瞬态热阻测试仪 BJ2989 查看价格 查看价格

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CPU224晶体管 CPU224, DC PS, 14DE DC/10DA DC-CN 查看价格 查看价格

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二氧化碳气保护焊机 电流250A 查看价格 查看价格

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MOS型场效应晶体管瞬态热阻测试仪 BJ2989|6台 1 查看价格 北京无线电仪器厂 北京  北京市 2015-11-17
MOS场效应晶体管测试仪 BJ2990|6台 1 查看价格 北京无线电仪器厂 北京  北京市 2015-04-22
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晶体管图示仪 BJ4811A|10台 1 查看价格 成都天大仪器设备有限公司 四川  成都市 2015-12-20
晶体管测试仪 HP3326A|10台 1 查看价格 北京无线电仪器厂 北京  北京市 2015-12-18
晶体管图示仪 XJ-4810A|5台 1 查看价格 成都天大仪器设备有限公司 四川  成都市 2015-10-21
晶体管话筒U87Ai :1000ohms 灵敏度(CCIR486-3):26/23/25dB-A× 灵敏度(DIN/IEC 651):15/12/14dB-A× S/N比(CCIR 486-3):68/71/69dB× S|2只 1 查看价格 北京乐城仕国际科技有限公司 重庆  重庆市 2018-07-02
晶体管图示仪 DW4822|4台 1 查看价格 成都天大仪器设备有限公司 四川  成都市 2015-10-22

主要电参数(如无特殊说明,测试条件中VDS=10V)

对其中的一些测试条件特别说明如下:

IDSS ———沟道饱和电流(漏源饱和电流)IDS ———漏源电流 VGS ———栅源电压 VDS ———漏源电压

VP ———夹断电压(峰值电压) gm ———共源极小信号低频跨导 CGS ———栅源电容

CGD ———栅漏电容

KPS ———共源极功率增益

fM ———最高振荡频率

BVDS ———最大漏源击穿电压

BVGS ———最大栅源击穿电压

PDM ———漏极最大允许耗散功率

IDSM ———最大漏源电流

TS ———储藏温度

3dj7g场效应晶体管常见问题

3dj7g场效应晶体管文献

场效应晶体管逆变式氩弧焊机的研制 场效应晶体管逆变式氩弧焊机的研制

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场效应晶体管逆变式氩弧焊机的研制——为了满足市场需要.研制了X7-160直流脉冲氩弧焊机,并对谊焊机的电路组成厦工作原理进行了介绍.对PWN脉宽调制技术做了较详细的分析。实践表明.谊焊机满足设计要求,具有体积小、质量轻、高垃节能等特点,并具有良好的焊...

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600伏垂直沟结栅高速场效应晶体管 600伏垂直沟结栅高速场效应晶体管

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随着高速毫微秒脉冲技术的迅速发展,原有的电真空器件由于体积大、功耗大、寿命短、可靠性差等缺点,已不能适应当前高速毫微秒脉冲技术发展的需要。整机单位迫切要求实现高压高速脉冲源的固体化、小型化。这就推动了高压大电流高速半导体功率器件的发展。经过多年的努力,取得了很大进展,并已成为当前大功率半导体器件发展的一个引人注目的研究方向。 目前大力推广应用的器件主要有垂直沟道硅MOS场效应管,而高压垂直沟道结栅场效应晶体管的开发研制则近几年才开始。由于结栅场效应管是一种耗尽型器件,极间电容小,器件的开关速度优于MOS器件。在需要产生极窄宽度的高压脉冲场合下,垂直沟道结栅高压场效应晶体管是理想的固体器件。其优越的开关性能、温度特性不是双极型或MOS器件可以轻易取代的。

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