叶序结构抛光垫表面的抛光液流场分析

采用失重法与铅笔硬度计分析了抛光垫的组分对其溶胀率及干湿态硬度的影响,比较了固结磨料方法与游离磨料方法抛光后硅片的表面粗糙度。结果表明:抛光垫基体的溶胀率随基体中聚乙二醇双丙烯酸酯(pegda)或乙氧基化三羟基丙烷三丙酸酯(eo15-tmapta)含量的增加而提高;基体的干态硬度随pegda含量的增加先有所增大,而后减小,随eo15-tmapta含量的增加而增大;湿态下铅笔硬度随pegda或eo15-tmapta含量的增加而减小;光引发剂量的增加,有利于增大基体的干湿态硬度;固结磨料抛光硅片的去除速率是游离磨料加工的2～3倍,而前者抛光硅片后的表面粗糙度ra为12.2nm,大于后者的4.32nm。

抛光垫表面沟槽是决定抛光垫性能的重要因素之一。介绍了抛光垫表面沟槽的形状、尺寸和倾斜角度等因素对抛光过程的影响规律,认为:负螺旋对数型沟槽抛光垫的性能最佳,沟槽的深度和宽度会影响加工区域抛光液的平均驻留时间、混和效率及成分,沟槽的倾斜角度也会影响抛光效率,-20°倾斜角抛光垫的抛光效率最高。

随着半导体工业的飞速发展,化学机械抛光(cmp)渐成为集成电路制造中的一项关键工艺,其中抛光液是化学机械抛光过程中重要的消耗品,长期以来国内主要硅材料厂及半导体元件厂依赖进口产品,不仅价格昂贵,而且受制于人。中科院上海微系统所

在水体系中采用沉淀法制备了纳米ceo2粉体,并用xrd、sem、tem等对其晶体结构、粒度与形貌等进行了表征。将所得粉体配成水基纳米ceo2抛光液,研究了其抛光硅片的性能与机理,并与纳米sio2抛光液作对比。结果表明,粒度在100nm以下的ceo2对硅片具有良好的抛光效果,抛光后硅片表面形貌有很大改观,表面划痕被抛掉,在面积172μm×128μm的范围内得到了表面粗糙度ra为0.689nm的超光滑表面。

表面磨光和抛光

牙间隙的抛光基托磨光面的抛光

在化学机械抛光过程中,沟槽形状是抛光垫性能的重要影响因素之一,它会直接影响抛光效果。本文介绍了化学机械抛光垫上沟槽的基本形状及其对抛光效果的影响,以及不同复合形状的抛光垫沟槽及其对抛光效果的影响,并就研究中现存的主要问题提出展望。

(完整版)表面磨光和抛光

陶瓷抛光砖抛光废料产出量很大,严重污染周边环境,是困扰抛光砖生产的世界性难题。本文通过对此方面的研究结果,着重论述了陶瓷抛光砖抛光废料回收利用的可行性方法。

线切割加工表面的玻璃珠喷丸抛光

森源化工专业生产不锈钢电解抛光液不锈钢钝化液不锈钢电解抛光设备铜材抛光液 森源化工专业生产不锈钢电解抛光液不锈钢钝化液不锈钢电解抛光设备铜材抛光液 不锈钢电解抛光液操作工艺流程 森源牌环保不锈钢电解抛光液已通过sgs认证，不含铬酸，符合环保要求。适合所有不锈钢和不锈铁的抛光，通用性强（不锈钢材料可抛出镜面效果）。槽液24小时连续 工作可以保用一年以上。成本低，比普通型电解抛光液省一半的用电量。无不良气味。 除油脱脂→浸泡洗→电解抛光→浸泡洗→脱膜→浸泡洗→中和→浸泡洗→过纯水→烘干包装 工序说明: 1．清洗除油后漂水。 森源化工专业生产不锈钢电解抛光液不锈钢钝化液不锈钢电解抛光设备铜材抛光液 森源化工专业生产不锈钢电解抛光液不锈钢钝化液不锈钢电解抛光设备铜材抛光液 2．将电解抛光液加热至55-75度（可用石英棒或钛制加热

采用金刚石丸片和固结磨料抛光垫两种方式研磨加工硅片,以硅片的材料去除率(mrr)和表面粗糙度(sa)为指标对金刚石丸片和固结磨料抛光垫的研磨性能进行了评价。结果表明:固结磨料抛光垫研磨硅片的材料去除率高于金刚石丸片;研磨后硅片的表面粗糙度也优于金刚石丸片,且表面粗糙度(sa)在中部和边缘相差不大。最后分析了研磨硅片的产物-磨屑的形状特征,得出固结磨料抛光垫研磨硅片时的塑性去除量远高于金刚石丸片。

抛光砖图案清新自然,表面平整光滑亮丽,易于清理,是各种地面装饰的首选材料。本文主要针对抛光砖在生产中易出现的缺陷进行了分析,并探讨了其解决措施。

本文研制了室温固化的抛光砖表面防污剂。它具有固化后不收缩、透明度高、耐水擦拭和浸泡的特性,并具有很好的渗透性和附着力。文中还讨论了以石油醚为溶剂的钛酸四异丙酯对防污剂固化速度的影响以及甲基含氢硅油和钛酸四异丙酯的含量对防污性的影响。

研磨与抛光

总结了最近几年来国外在超光滑表面抛光技术方面的新进展;介绍各种新超光滑表面加工技术的工作原理,总结其主要特征,并提供一些最新的实验结果。

文中介绍了蓝宝石基片的主要抛光方法,包括浮法抛光、机械化学抛光、化学机械抛光和水合抛光等,对它们的工作原理、特点作了分析和总结。

在化学机械抛光过程中，抛光垫表面沟槽形状是决定抛光垫性能的重要影响因素之一，它会直接影响抛光效果。在分析几种常规抛光垫表面沟槽结构形状的特性的基础上，介绍了新型抛光垫沟槽的研究进展，分析了几种新型抛光垫表面沟槽对抛光效果的影响，为化学机械抛光用的抛光垫表面沟槽特性的深入研究与分析提供参考。

随着半导体工业的飞速发展，化学机械抛光（cmp）渐成为集成电路制造中的一项关键工艺，其中抛光液是化学机械抛光过程中重要的消耗品，长期以来国内主要硅材料厂及半导体元件厂依赖进口产品，不仅价格昂贵，而且受制于人。中科院上海微系统所纳米技术研究室cmp小组开展了“纳米抛光液产业化关键技术”研究，

激光剥离(llo)技术是研制新型氮化镓(gan)基谐振腔结构光电子器件的关键技术。然而llo后的gan表面往往具有较大的粗糙度,而制作谐振腔结构器件需要很高的表面平整度,因此需要对llo后的gan表面进行抛光。分别采用金刚石粉抛光液和胶粒二氧化硅抛光液进行机械抛光和化学机械抛光(cmp),并对比了两种方法获得的抛光结果,研究发现前者会在抛光后的gan表面引入划痕,而采用后者可以得到亚纳米级平整度的表面。进一步的实验结果表明,胶粒二氧化硅抛光液同样适用于图形化衬底外延片激光剥离后的gan表面抛光。

线切割加工表面的玻璃珠喷丸抛光

近年来,随着信息电子技术、光电技术及半导体照明技术的迅速发展,超光滑平面元器件需求越来越大,这些表面要求达到亚纳米级表面粗糙度、微米级面形精度且无表面和亚表面损伤,传统超精密抛光技术由于耗时、成本高、易产生表面损伤,难以满足大批量生产的要求。磁流变加工被认为是一种极具前景的获取低损伤镜面的技术手段,然而,传统磁流变加工方法抛光点面积小,加工效率低。为解决上述问题,本文在比较分析国内外超光滑表面加工技术的基础上,提出了一种大抛光模磁流变超光滑平面抛光技