氧化铝陶瓷与低碳钢钎焊接头的界面反应

通过对超低碳钢brc3钎焊裂纹构件的成分及组织分析,发现合金元素及杂质在晶界的析出,是brc3钢抗晶间腐蚀能力下降,从而造成其钎焊裂纹的主要原因之一。

氧化铝陶瓷及相关陶瓷

采用bag45cuzn钎料对自蔓延高温合成的tic金属陶瓷与中碳钢进行了真空钎焊连接,利用扫描电镜、电子探针、x射线衍射等分析手段对接头的界面结构和室温抗剪强度进行了研究。结果表明,利用bag45cuzn钎料可实现tic金属陶瓷与中碳钢的连接;接头的界面结构为tic金属陶瓷/(cu,ni)固溶体/ag基固溶体+cu基固溶体/(cu,ni)固溶体/(cu,ni)+(fe,ni)/中碳钢;在连接温度为850℃保温10min的钎焊条件下,接头的抗剪强度可达121mpa。

用自研制双层陶瓷复合材料与钢进行了大气中钎焊连接。采用声学显微镜、光学显微镜、扫描电镜和能谱分析等测试手段对双层陶瓷复合材料的声显微结构及钎焊接头的微观组织及形态、特征点的化学成分等进行了研究。结果显示,双层陶瓷复合材料与钢钎焊连接后的多层复合结构接头的三个界面均达到较好的结合。这为陶瓷/金属接头提供了一种新的连接途径

电真空应用中,要求高纯氧化铝与无氧铜的连接接头具有较高的强度和气密性。采用ag-cu-ti活性钎料直接钎焊高纯氧化铝陶瓷与无氧铜,研究了钎焊温度和保温时间对接头组成、界面反应以及接头抗剪强度的影响,研究了铜基体材料对钎焊接头组织和界面反应的影响。钎焊温度850~900℃,保温时间20~60min时,接头抗剪强度接近或达到90mpa。钎焊工艺参数偏离上述范围时,接头抗剪强度较低。接头由cu/ag(cu),cu(ag,ti)/cu3ti3o(tio2)/al2o3组成,反应层以cu3ti3o为主,个别工艺条件下有一定量的tio2生成,铜基体视工艺条件的不同对钎焊接头组织有一定影响。

氧化铝陶瓷的低温烧结技术 氧化铝陶瓷是一种以ａｌ２ｏ３为主要原料，以刚玉（α—ａｌ ２ｏ３）为主晶相的陶瓷材料。因其具有机械强度高、硬度大、高频 介电损耗小、高温绝缘电阻高、耐化学腐蚀性和导热性良好等优良综 合技术性能，以及原料来源广、价格相对便宜、加工制造技术较为成 熟等优势，氧化铝陶瓷已被广泛应用于电子、电器、机械、化工、纺 织、汽车、冶金和航空航天等行业，成为目前世界上用量最大的氧化 物陶瓷材料。然而，由于氧化铝熔点高达２０５０℃，导致氧化铝陶 瓷的烧结温度普遍较高（参见表一中标准烧结温度），从而使得氧化 铝陶瓷的制造需要使用高温发热体或高质量的燃料以及高级耐火材 料作窑炉和窑具，这在一定程度上限制了它的生产和更广泛的应用。 因此，降低氧化铝陶瓷的烧结温度，降低能耗，缩短烧成周期，减少 窑炉和窑具损耗，从而降低生产成本，一直是企业所关心和急需解决 的重要课题。 目前，对氧化铝

随着大功率模块与电力电子器件的发展,陶瓷表面金属化已得到广泛应用。直接敷铝技术是基于氧化铝陶瓷基板发展起来的一种陶瓷表面金属化技术。在介绍直接敷铝基板的制备方法和性能特点的基础上,重点讨论影响al-al2o3润湿性能的因素以及这些因素对氧化铝陶瓷基板敷铝过程的影响,同时展望了dab基板在功率电子系统、汽车工业等方面的应用前景。

本文主要介绍了流延法生产氧化铝陶瓷基板的工艺。研究了原料粒度分布对基板微观结构的影响,用流延法制备了96％氧化铝陶瓷基板,并对基板表面被釉,试验了基板的性能,研究了基板生产过程中一些关键的因素。

氧化铝陶瓷及相关陶瓷PPT课件

低温烧结氧化铝陶瓷

氧化铝陶瓷制作工艺简介 氧化铝陶瓷目前分为高纯型与普通型两种。高纯型氧化铝陶瓷系ａｌ２ｏ３ 含量在９９．９％以上的陶瓷材料，由于其烧结温度高达１６５０—１９９０℃， 透射波长为１～６μｍ，一般制成熔融玻璃以取代铂坩埚：利用其透光性及可耐 碱金属腐蚀性用作钠灯管；在电子工业中可用作集成电路基板与高频绝缘材料。 普通型氧化铝陶瓷系按ａｌ２ｏ３含量不同分为９９瓷、９５瓷、９０瓷、８５ 瓷等品种，有时ａｌ２ｏ３含量在８０％或７５％者也划为普通氧化铝陶瓷系 列。其中９９氧化铝瓷材料用于制作高温坩埚、耐火炉管及特殊耐磨材料，如陶 瓷轴承、陶瓷密封件及水阀片等；９５氧化铝瓷主要用作耐腐蚀、耐磨部件；８ ５瓷中由于常掺入部分滑石，提高了电性能与机械强度，可与钼、铌、钽等金属 封接，有的用作电真空装置器件。其制作工艺如下： 一粉体制备： 将入厂的氧化铝粉按照不同的产品要求与不同成型工艺制

浅析氧化铝陶瓷制作工艺

采用氩气保护下的活性金属钎焊法对碳化硅晶须增韧氧化铝陶瓷(al2o3/sicw)与不锈钢(1cr18ni9ti)进行了钎焊,所用钎料为ag-cu-ti3活性钎料。通过x-射线衍射仪(xrd)对界面的反应产物进行了物相分析,并用能谱仪(edax)分析了界面元素组成。结果表明,钎焊接头界面的反应十分复杂,反应产物多种多样,主要有tio、ti2o、tic、fe2ti4o、ni3ti、alti等物质,界面反应层按al2o3+sic/tio+alti+tic/ti2o+fe2ti4o/ag-cu的规律过渡。

采用正交试验法对黑色氧化铝陶瓷实验配方进行优化;采用一次、二次合成法分别制备了黑色氧化铝陶瓷;对黑色氧化铝陶瓷进行了xrd物相分析、烧结体断面sem分析,测试了烧结体的体积密度、体积电阻率、介电常数和介电损耗。结果表明,黑色氧化铝陶瓷最佳配方为:al2o391wt.%、滑石2.0wt.%、fe2o33wt.%、coo0.5wt.%、nio1wt.%、mno22.5wt.%;一次、二次合成法制备的黑色氧化铝陶瓷的体积密度分别为3.71g/cm3、3.69g/cm3,体积电阻率分别为6.8×1012ω·cm、7.1×1012ω·cm,介电常数分别为18.6、18.8,介电损耗分别为0.015、0.014。

以ti、cu混合金属粉末为钎料真空钎焊si/sic复相陶瓷与殷钢,通过扫描电镜、能谱仪、x射线衍射对接头组织结构进行分析。结果表明:ti-cu钎料对陶瓷和殷钢都具有良好的润湿性;在980℃保温10min条件下形成良好的连接接头,连接层主要由ti-cu化合物和ti5si3相组成,在连接层与陶瓷界面生成tisi2、ti3sic2和tic反应层;在980℃保温15min条件下,连接层中生成的化合物种类没有变化,但在近缝区的陶瓷中产生了横向裂纹,导致接头强度急剧下降。接头室温剪切强度在980℃保温10min时最高达到90mpa。

1 氧化铝陶瓷片的散热原理是什么 氧化铝陶瓷片制品是目前应用较广泛的一种新型精密陶瓷、电子工业陶瓷 片、功能陶瓷产品。由于氧化铝陶瓷片原料昂贵和形成工艺的特殊性，目前氧化 铝陶瓷片主要用于高技术，如冶金、化工、电子、国防、航天及核技术等高科技 领域。 氧化铝陶瓷片属于特种陶瓷，具有高强度、高硬度、抗磨损、耐腐蚀、耐高 温、绝缘等优异特性，备受多种行业关注，在集成电路芯片和航空光元器件等方 面拥有其他导热绝缘材料无法比拟的优势。 目前，市场对氧化铝陶瓷散热片的需求日益增大，在暖气片散热原理大受追 捧的同时，也催生了散热片原理公司的快速发展。散热片的原理等一系列相关经 营的公司应运而生，并得到了迅猛的发展。 接下来就让小编带你来看看导热绝缘材料的相关情况吧~带你了解导热绝缘 材料~ 氧化铝陶瓷在整个陶瓷行业中的应用较为广泛，在性能上也属于非常优越。 其导热、绝缘、散热已是基本

本实验采用固态粒子烧结法和溶胶-凝胶法,在以α-al2o3为主要原料的圆形多通道管式陶瓷支撑体上成功地制备出了性能良好al2o3非对称复合陶瓷膜微滤管。通过sem、epma分析,微滤陶瓷管膜层表面中有均布的气孔、窄的孔径分布。并探讨了挤出工艺制度、镀膜工艺制度、热处理制度对制备非对称陶瓷膜微滤管性能的影响。

广州昂泰电子有限公司 __________________________________ 氧化铝陶瓷片性能参数表 项目单位氧化铝96%a12o3 密度g/cm333.92 吸水率%0 热膨胀系数10-6/k8.5 杨氏弹性模量gpa340 泊松比/0.22 硬度（hv）mpa1650 弯曲强度（室温）mpa310 弯曲强度（700°c）mpa230 抗压强度（室温）mpa2200 断裂韧性mpa'm??4.2 导热率（室温）w/m.k25 绝缘强度kv/mm10 热敏抗阻k/w0.3 长期工作温度（℃）1480 比电阻率ω?mm2/m＞1016 最高使用温度（无载荷）°c1750 耐酸碱腐蚀性能/强 耐火度°c2000

热喷涂氧化铝涂层技术被大量应用在纺织机械行业,而其结构特点决定了这种涂层塑形变形能力差,对应力集中和裂纹敏感。本文通过对氧化铝涂层常见失效形式进行分析,并提出对策,以期提高工件使用寿命、减少生产成本。

本文简述了陶瓷金卤灯的特征特性,分析了灯对陶瓷材料的要求,对比了某些陶瓷材料的结构成分及对陶瓷灯的影响,对国产陶瓷材料及泡壳进行了分析研究并给出了部分分析结果。

采用ａｇ－ｃｕ－ｔｉ活性钎料，研究了氧化锆陶瓷与１ｃｒ１８ｎｉ９ｔｉ不锈钢的钎焊，探讨了软性中间层ｃｕ对接头强度的影响规律，分析了陶瓷与钎料的界面反应，结果表明：陶瓷与钎料间存在一明显反应层，厚度约为４．４μｍ，反应产物为δ－ｔｉｏ和γ－ａｇｔｉ３，并按ｚｒｏ２／δ－ｔｉｏ／δ－ｔｉｏ＋γ－ａｇｔｉ３／ａｇ－ｃｕ呈层状过渡分布，中间层ｃｕ对陶瓷与不锈钢钎焊接头强度有很大的影响，当厚度合适时，ｃｕ通

(1)低碳钢的焊接性。低碳钢由于其含碳量和合金元素量较少,其焊接性较好。焊接低碳钢时,一般不需要采取特殊的工艺措施,对焊接电源没有特殊要求,交、直流弧焊电源均可。低碳钢焊缝的综合力学性