氧化铝陶瓷膜分离高浊度水试验

氧化铝陶瓷及相关陶瓷

氧化铝陶瓷的低温烧结技术 氧化铝陶瓷是一种以ａｌ２ｏ３为主要原料，以刚玉（α—ａｌ ２ｏ３）为主晶相的陶瓷材料。因其具有机械强度高、硬度大、高频 介电损耗小、高温绝缘电阻高、耐化学腐蚀性和导热性良好等优良综 合技术性能，以及原料来源广、价格相对便宜、加工制造技术较为成 熟等优势，氧化铝陶瓷已被广泛应用于电子、电器、机械、化工、纺 织、汽车、冶金和航空航天等行业，成为目前世界上用量最大的氧化 物陶瓷材料。然而，由于氧化铝熔点高达２０５０℃，导致氧化铝陶 瓷的烧结温度普遍较高（参见表一中标准烧结温度），从而使得氧化 铝陶瓷的制造需要使用高温发热体或高质量的燃料以及高级耐火材 料作窑炉和窑具，这在一定程度上限制了它的生产和更广泛的应用。 因此，降低氧化铝陶瓷的烧结温度，降低能耗，缩短烧成周期，减少 窑炉和窑具损耗，从而降低生产成本，一直是企业所关心和急需解决 的重要课题。 目前，对氧化铝

本文主要介绍了流延法生产氧化铝陶瓷基板的工艺。研究了原料粒度分布对基板微观结构的影响,用流延法制备了96％氧化铝陶瓷基板,并对基板表面被釉,试验了基板的性能,研究了基板生产过程中一些关键的因素。

氧化铝陶瓷及相关陶瓷PPT课件

低温烧结氧化铝陶瓷

随着大功率模块与电力电子器件的发展,陶瓷表面金属化已得到广泛应用。直接敷铝技术是基于氧化铝陶瓷基板发展起来的一种陶瓷表面金属化技术。在介绍直接敷铝基板的制备方法和性能特点的基础上,重点讨论影响al-al2o3润湿性能的因素以及这些因素对氧化铝陶瓷基板敷铝过程的影响,同时展望了dab基板在功率电子系统、汽车工业等方面的应用前景。

氧化铝陶瓷制作工艺简介 氧化铝陶瓷目前分为高纯型与普通型两种。高纯型氧化铝陶瓷系ａｌ２ｏ３ 含量在９９．９％以上的陶瓷材料，由于其烧结温度高达１６５０—１９９０℃， 透射波长为１～６μｍ，一般制成熔融玻璃以取代铂坩埚：利用其透光性及可耐 碱金属腐蚀性用作钠灯管；在电子工业中可用作集成电路基板与高频绝缘材料。 普通型氧化铝陶瓷系按ａｌ２ｏ３含量不同分为９９瓷、９５瓷、９０瓷、８５ 瓷等品种，有时ａｌ２ｏ３含量在８０％或７５％者也划为普通氧化铝陶瓷系 列。其中９９氧化铝瓷材料用于制作高温坩埚、耐火炉管及特殊耐磨材料，如陶 瓷轴承、陶瓷密封件及水阀片等；９５氧化铝瓷主要用作耐腐蚀、耐磨部件；８ ５瓷中由于常掺入部分滑石，提高了电性能与机械强度，可与钼、铌、钽等金属 封接，有的用作电真空装置器件。其制作工艺如下： 一粉体制备： 将入厂的氧化铝粉按照不同的产品要求与不同成型工艺制

浅析氧化铝陶瓷制作工艺

采用固态粒子烧结法制备氧化铝管式陶瓷膜中的过渡层,以正交实验法系统研究过渡层配方的三种原料:三氧化二铝(al2o3),聚乙烯醇(pva),烧结助剂二氧化锆(zro2)各自质量分数以及涂膜次数对氧化铝陶瓷膜过渡层料液通量的影响。最终得出最佳工艺配方组合:ω(al2o3)=23%,ω(zro2)=12%,ω(pva)=4%,涂膜2次。并结合压汞法得出的孔径分布图和孔隙率推论:膜层孔径分布越窄,孔隙率越大,则膜通量越大。

1 氧化铝陶瓷片的散热原理是什么 氧化铝陶瓷片制品是目前应用较广泛的一种新型精密陶瓷、电子工业陶瓷 片、功能陶瓷产品。由于氧化铝陶瓷片原料昂贵和形成工艺的特殊性，目前氧化 铝陶瓷片主要用于高技术，如冶金、化工、电子、国防、航天及核技术等高科技 领域。 氧化铝陶瓷片属于特种陶瓷，具有高强度、高硬度、抗磨损、耐腐蚀、耐高 温、绝缘等优异特性，备受多种行业关注，在集成电路芯片和航空光元器件等方 面拥有其他导热绝缘材料无法比拟的优势。 目前，市场对氧化铝陶瓷散热片的需求日益增大，在暖气片散热原理大受追 捧的同时，也催生了散热片原理公司的快速发展。散热片的原理等一系列相关经 营的公司应运而生，并得到了迅猛的发展。 接下来就让小编带你来看看导热绝缘材料的相关情况吧~带你了解导热绝缘 材料~ 氧化铝陶瓷在整个陶瓷行业中的应用较为广泛，在性能上也属于非常优越。 其导热、绝缘、散热已是基本

氧化铝陶瓷及其金属化技术

以商业α-al_2o_3粉体为原料,mgo为烧结助剂,采用放电等离子烧结技术(sps)制备亚微米晶氧化铝陶瓷.系统研究了烧结温度、烧结助剂含量对亚微米晶氧化铝陶瓷的致密化过程及显微结构的影响.分析结果表明,1250℃以及0.05wt%分别是最佳的烧结温度和烧结助剂含量;在此条件下获得的亚微米晶氧化铝陶瓷,其相对密度达到99.8%td(theoreticaldensity),平均晶粒尺寸约0.68μm,显微硬度(hv5)达到20.75gpa,在3～5μm中红外范围内直线透过率超过83%.当mgo掺杂量超过0.1wt%时,第二相mgal_2o_4形成,引起光散射,降低红外透过率.

广州昂泰电子有限公司 __________________________________ 氧化铝陶瓷片性能参数表 项目单位氧化铝96%a12o3 密度g/cm333.92 吸水率%0 热膨胀系数10-6/k8.5 杨氏弹性模量gpa340 泊松比/0.22 硬度（hv）mpa1650 弯曲强度（室温）mpa310 弯曲强度（700°c）mpa230 抗压强度（室温）mpa2200 断裂韧性mpa'm??4.2 导热率（室温）w/m.k25 绝缘强度kv/mm10 热敏抗阻k/w0.3 长期工作温度（℃）1480 比电阻率ω?mm2/m＞1016 最高使用温度（无载荷）°c1750 耐酸碱腐蚀性能/强 耐火度°c2000

采用正交试验法对黑色氧化铝陶瓷实验配方进行优化;采用一次、二次合成法分别制备了黑色氧化铝陶瓷;对黑色氧化铝陶瓷进行了xrd物相分析、烧结体断面sem分析,测试了烧结体的体积密度、体积电阻率、介电常数和介电损耗。结果表明,黑色氧化铝陶瓷最佳配方为:al2o391wt.%、滑石2.0wt.%、fe2o33wt.%、coo0.5wt.%、nio1wt.%、mno22.5wt.%;一次、二次合成法制备的黑色氧化铝陶瓷的体积密度分别为3.71g/cm3、3.69g/cm3,体积电阻率分别为6.8×1012ω·cm、7.1×1012ω·cm,介电常数分别为18.6、18.8,介电损耗分别为0.015、0.014。

陶瓷金卤灯发展的关键——多晶氧化铝陶瓷泡壳(下)

本文简述了陶瓷金卤灯的特征特性,分析了灯对陶瓷材料的要求,对比了某些陶瓷材料的结构成分及对陶瓷灯的影响,对国产陶瓷材料及泡壳进行了分析研究并给出了部分分析结果。

从基材性能告诉你氮化铝和氧化铝陶瓷基 板工艺有什么不同 氮化铝陶瓷基板和氧化铝陶瓷基板都同属于陶瓷基板，他们的制作工艺大致是一样 的，都有都才可以采用薄膜工艺和厚膜工艺，dbc工艺、htcc工艺和ltcc工艺，那 么不同的什么呢？ 氮化铝和氧化铝陶瓷基板工艺的不同主要是因为基材的性能和结构决定了，他们 烧结温度的不同。 氮化铝陶瓷基板的结构和性能原理： 1、氮化铝陶瓷(aluminiumnitrideceramic)是以氮化铝(ain)为主晶相的陶瓷。 2、ain晶体以〔ain4〕四面体为结构单元共价键化合物，具有纤锌矿型结构，属 六方晶系。 3、化学组成ai65.81%，n34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，单晶 无色透明，常压下的升华分解温度为2450℃。 4、为一种高温耐热材料。热膨胀系数(4.0-6.0)x10(-6)

热喷涂氧化铝涂层技术被大量应用在纺织机械行业,而其结构特点决定了这种涂层塑形变形能力差,对应力集中和裂纹敏感。本文通过对氧化铝涂层常见失效形式进行分析,并提出对策,以期提高工件使用寿命、减少生产成本。

电真空应用中,要求高纯氧化铝与无氧铜的连接接头具有较高的强度和气密性。采用ag-cu-ti活性钎料直接钎焊高纯氧化铝陶瓷与无氧铜,研究了钎焊温度和保温时间对接头组成、界面反应以及接头抗剪强度的影响,研究了铜基体材料对钎焊接头组织和界面反应的影响。钎焊温度850~900℃,保温时间20~60min时,接头抗剪强度接近或达到90mpa。钎焊工艺参数偏离上述范围时,接头抗剪强度较低。接头由cu/ag(cu),cu(ag,ti)/cu3ti3o(tio2)/al2o3组成,反应层以cu3ti3o为主,个别工艺条件下有一定量的tio2生成,铜基体视工艺条件的不同对钎焊接头组织有一定影响。

低摩擦高耐磨高纯氧化铝陶瓷的制备研究

氧化铝陶瓷广泛用作研磨材、切削材、高温材料，加之具有良好的耐磨蚀性、机械强度、硬度和耐磨性，还用于各种机械部件。但原用氧化铝陶瓷由于无塑性，不能像金属材料那样进行加工，可以说属一种很难加工的材料。

采用真空保护下的活性金属钎焊法对95%(质量分数)氧化铝陶瓷与低碳钢进行了钎焊,所用钎料为ag-cu-ti3活性钎料。通过x射线衍射仪(xrd)对界面的反应产物进行了物相分析,并用能谱仪(edax)分析了界面元素组成。结果表明,钎焊接头界面的反应十分复杂,反应产物多种多样,主要是ti3cu3o,ti3al,timn,tife2,tic等物质,界面的反应层按al2o3陶瓷/ti3cu3o/ti3al+timn+tife2+ag(s,s)+cu(s,s)/tic/低碳钢的规律过渡。