更新日期: 2025-02-17

一种新的CMOS混频器电路优化设计方法

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一种新的CMOS混频器电路优化设计方法 4.7

本文提出了一种以遗传算法作为全局搜索算法、以性能方程作为评估器的CMOS混频器电路自动优化方法,优化过程中采用了一种新的约束条件处理机制,即:搜索空间限定法与罚函数法并用的处理方法。本文提出的优化方法可以快速得到电路优化结果,优化后的混频器电路已经过0.25μm CMOS工艺流片验证。

一种新的CMOS模拟单元电路优化设计方法 一种新的CMOS模拟单元电路优化设计方法 一种新的CMOS模拟单元电路优化设计方法

一种新的CMOS模拟单元电路优化设计方法

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在cmos单元电路的参数自动生成和优化中提出了一个新的设计方法,其核心算法是基于小生境的遗传算法.仿真结果表明:优化后的电路性能与基于仿真方法相差不大,但是其具有较短运行时间的优势.

一种新颖的Buck电路设计方法 一种新颖的Buck电路设计方法 一种新颖的Buck电路设计方法

一种新颖的Buck电路设计方法

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buck电路结构简单,易于实现,应用非常广泛。文章针对连续工作电流的buck电路,建立了一种便于理论分析的等效电路,基于此电路的频率特性函数和输入信号的傅里叶变换,得到了电路的稳态响应。对纹波的理论研究及仿真分析表明电路输出的纹波比完全可由基波纹波比代替计算,从而提出了一种设计滤波元件l、c参数的不同思路。通过实例设计及仿真验证也说明此方法对buck电路参数设计是简单有效的,l、c参数的选定也比较灵活。

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音频功率放大器的CMOS电路设计 音频功率放大器的CMOS电路设计 音频功率放大器的CMOS电路设计

音频功率放大器的CMOS电路设计

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音频功率放大器的CMOS电路设计 4.3

完成了一种桥式连接音频功率放大器的仿真和设计。该音频功率放大器的主体为桥式连接的两个运算放大器,使用尽可能小的外部组件提供高质量的输出功率,不需要输出耦合电容、自举电容和缓冲网络。应用cadence的spectre模拟仿真工具进行电路仿真,得到其电路指标如频响特性、电源电压抑制比、总谐波失真等均达到要求。该音频功率放大器具有良好的市场应用前景。

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应用于DVB-T/H调谐器的0.13μm CMOS混频器设计 应用于DVB-T/H调谐器的0.13μm CMOS混频器设计 应用于DVB-T/H调谐器的0.13μm CMOS混频器设计

应用于DVB-T/H调谐器的0.13μm CMOS混频器设计

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应用于DVB-T/H调谐器的0.13μm CMOS混频器设计 4.7

采用0.13μmrcmos工艺设计并实现了一种应用于dvb—t/h数字电视广播系统调谐器的宽带下变频混频器,其工作频率为170mhz-1.675ghz。混频器使用吉尔伯特双平衡结构作为电路的核心单元,采用rc并联谐振电路作为负载以滤除输出高阶谐波,使用正交混频技术以有效抑制镜像干扰;通过采用电流注入技术,以减小流经开关管的电流,改善噪声系数,减小了负载上的直流压降,改善1.2v下混频器的直流工作状态;通过去除尾电流源以提高混频器的线性度。芯片测试结果表明,在1.2v的电源电压下,混频器转换增益为14.4db,输入三阶截点为-3.05dbm,噪声系数为14.2db,功耗为6mw.

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4·2GHz CMOS射频前端电路设计

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4·2GHz CMOS射频前端电路设计 4.5

设计并实现了一个工作在4.2ghz的全集成cmos射频前端电路,包括可实现单端输入到差分输出变换的低噪声放大器和电流注入型gilbert有源双平衡混频器。电路采用smic0.18μmrf工艺。测试结果表明,在1.8v电源电压下,电路的功率增益可达到26db,1db压缩点为-27dbm,电路总功耗(含buffer)为21ma。

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CMOS集成电路中电源和地之间的ESD保护电路设计 CMOS集成电路中电源和地之间的ESD保护电路设计 CMOS集成电路中电源和地之间的ESD保护电路设计

CMOS集成电路中电源和地之间的ESD保护电路设计

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CMOS集成电路中电源和地之间的ESD保护电路设计 4.5

讨论了3种常用的cmos集成电路电源和地之间的esd保护电路,分别介绍了它们的电路结构以及设计考虑,并用hspice对其中利用晶体管延时的电源和地的保护电路在esd脉冲和正常工作两种情况下的工作进行了模拟验证。结论证明:在esd脉冲下,该保护电路的导通时间为380ns;在正常工作时,该保护电路不会导通,因此这种利用晶体管延时的保护电路完全可以作为cmos集成电路电源和地之间的esd保护电路。

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基于CMOS集成温度传感器的电路设计与仿真 基于CMOS集成温度传感器的电路设计与仿真 基于CMOS集成温度传感器的电路设计与仿真

基于CMOS集成温度传感器的电路设计与仿真

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基于CMOS集成温度传感器的电路设计与仿真 4.6

为提高温度传感器的测量精度,同时缩小其面积和功耗,文中设计了一种使用npn晶体管进行温度测量的完全集成互补型金属氧化物半导体传感器。该传感器主要由偏置电路,运算放大器和热传感器电路组成。偏置电路为传感器提供偏置条件,其由启动电路和β乘法器电路组成。文中采用ltspiceandmatlab进行电路设计,并在50nm工艺下对传感器电路进行仿真,得到所设计的温度传感器在-30~125℃范围内,温度系数为5.9mv/℃。

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采用CMOS与非门电路设计的闪光信号报警器 采用CMOS与非门电路设计的闪光信号报警器 采用CMOS与非门电路设计的闪光信号报警器

采用CMOS与非门电路设计的闪光信号报警器

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采用CMOS与非门电路设计的闪光信号报警器 4.4

文章介绍了采用cmos电路的报警器,在保证其功能的基础上,克服了原报警器的不足,并使电路结构简化、设计合理,提高了可靠性和稳定性,降低了成本。

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第12章微波混频器设计

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第12章微波混频器设计 4.4

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一种长波红外光导探测器CMOS电路设计

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一种长波红外光导探测器CMOS电路设计 4.6

cmos电路是高输入阻抗,而长波红外光导探测器是低阻抗,实现低阻抗红外光导探测器与cmos电路的良好匹配,是目前长波红外探测器高性能成像的关键技术。文中设计了一种能在低温下工作的低阻抗红外光导探测器cmos电路,差分放大器采用正负电源供电,在输入级采用桥式输入方式,该电路第一级采用1mω的负反馈电阻实现信号放大,第二级放大采用正端放大方式,输入级、第一级放大、第二级放大均采用直接耦合方式。测试结果表明,该放大器与长波红外低输入阻抗光导探测器连接后能正常工作,总放大倍数大于1万倍,3db带宽大于4khz,等效输入电压噪声小于1.5μv,有效地解决了低阻抗光导探测器与高阻cmos电路的匹配问题。

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试论建筑更新的设计方法

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试论建筑更新的设计方法 4.3

随着社会的发展与人类生存环境的不断变迁,逐渐的与建筑的更新发展结合成一个同一体.对建筑物进行分析,使其能够重新投入到人们的利用上来,更新建筑的设计内容,对建筑的再利用的价值进行一个准确的评估,分析建筑物存在的潜在价值与意义,结合社会文化建筑资源的交易机制,从而使建筑的设计多样化,以满足社会生活中的不同需求,从而使建筑的价值得到提升,使建筑在更新设计中得到合理的利用以及有效的保护.

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试论建筑更新的设计方法

试论建筑更新的设计方法

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试论建筑更新的设计方法 4.5

建筑的发展与社会的进步和变迁构成同一体,分析建筑工程的再利用,逐步提高建筑构成更新设计的相关内容,对建筑更新利用的价值进行准确的分析,研究社会交易文化资源的重要机制,分析力建筑遗产可能存在的潜在意义,更好的完善建筑多样化的设计,迎合社会的基本服务需求,提僧建筑工程的利用价值,确保建筑工程更新作用的有效设计和保护。

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最新5-6CMOS电路汇总

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最新5-6CMOS电路汇总 4.7

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介绍一款LED日光灯电路设计方法 介绍一款LED日光灯电路设计方法 介绍一款LED日光灯电路设计方法

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介绍一款LED日光灯电路设计方法 4.7

介绍了使用集成电路pt4107设计一款高功率因数led日光灯的基本方法,并给出实际应用参数。

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低电压高增益下变频混频器设计 低电压高增益下变频混频器设计 低电压高增益下变频混频器设计

低电压高增益下变频混频器设计

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低电压高增益下变频混频器设计 4.5

本文设计一个低电压高增益下变频混频器。为了降低电源电压,本文采用了lc-tank折叠结构,同时为了提高混频器线性度,采用了开关对共源节点谐振技术。在低电源电压和高线性得到保证的情况下,本文用ads2009软件重点对混频器的转换增益进行优化、仿真,结果表明:工作电压1.4v,rf频率2.5ghz,本振频率2.25ghz,中频频率250mhz,转换增益7.325db,三阶交调点6.203dbm,单边带噪声系数3.823db,双边带噪声系数2.868db,功耗14.028mw,本文所设计的混频器可用于无线通信领域的电子系统中。

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射频CMOS电路与设计报告资料

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射频CMOS电路与设计报告资料 4.5

射频cmos电路分析与设计 姓名颜朋飞 学号21306021078 班级13电子班 指导老师陈珍海 2 根据用途要求,确定 系统总体方案 cmos模拟集成电路设计与仿真 一、设计原理 ic设计与制造的主要流程 3 二、设计目的 本实验是基于微电子技术应用背景和《集成电路原理与设计》课程设置及其特点而设置, 为ic设计性实验。其目的在于: 根据实验任务要求,综合运用课程所学知识自主完成相应的模拟集成电路设计,掌握 基本的ic设计技巧。 学习并掌握国际流行的eda仿真软件cadence的使用方法,并进行电路的模拟仿真。 三、设计内容和功能 1、unix操作系统常用命令的使用,cadenceeda仿真环境的调用。 2、设计一个运算放大器电路,要求其增益大于40db,相位裕度大于60o,功耗小于10mw。 3

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快速稳定的CMOS电荷泵电路的设计 快速稳定的CMOS电荷泵电路的设计 快速稳定的CMOS电荷泵电路的设计

快速稳定的CMOS电荷泵电路的设计

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快速稳定的CMOS电荷泵电路的设计 4.7

基于交叉耦合nmos单元,提出了一种低压、快速稳定的cmos电荷泵电路.一个二极管连接的nmos管与自举电容相并联,对电路进行预充电,从而改善了电荷泵电路的稳定建立特性.pmos串联开关用于将信号传输到下一级.仿真结果表明,4级电荷泵的最大输出电压为7.41v,建立时间为0.85μs.

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新的法兰螺栓载荷设计方法 4.5

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一种陀螺电源信号发生器新的设计方法 4.4

本文介绍了陀螺电源信号发生器的基本原理,阐述了国内外有关陀螺信号发生器设计的基本方法,基于可编程逻辑器件(cpld)设计实现了陀螺信号发生装置,并给出了仿真及实验波形。

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一种新的GCT门-阴极图形的设计方法 一种新的GCT门-阴极图形的设计方法 一种新的GCT门-阴极图形的设计方法

一种新的GCT门-阴极图形的设计方法

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一种新的GCT门-阴极图形的设计方法 4.4

在分析门极可关断晶闸管(gto)和门极换流晶闸管(gct)门-阴极结构的基础上,依据gct关断时的换流机理,提出了一种新的gct门-阴极图形的设计方法.与现有的gct门-阴极图形相比,用该方法设计的门-阴极图形,在保证开关过程中电流均匀分布的前提下,可增加gct的有效阴极面积,减小热阻,并提高电流容量.

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纳米/CMOS电路单元的快速映射 纳米/CMOS电路单元的快速映射 纳米/CMOS电路单元的快速映射

纳米/CMOS电路单元的快速映射

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纳米/CMOS电路单元的快速映射 4.6

针对纳米/cmos混合电路(cmol)单元映射问题,提出一种基于混合遗传算法的映射算法.将任意布尔电路转换为适于cmol映射的基于或非门的电路,读入该电路进行染色体编码,形成初始种群;每一代种群经过二维交叉算子、变异算子进行解空间全局搜索,并引入模拟退火算法进行局部搜索使种群个体得以改进.对iscas和mcnc标准电路的实验结果表明,采用该算法进行求解不仅使电路面积小、时延短,且具有求解速度快、能处理规模较大电路的特点.

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高线性低变频损耗短波超宽带混频器设计

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高线性低变频损耗短波超宽带混频器设计 4.5

采用双平衡场效应管管堆和巴伦设计了一款适用于短波超宽带接收机的高线性低变频损耗混频器。巴伦由射频铁氧体传输线变压器实现,插入损耗小,工作频带宽。该混频器射频输入频率为0.3~70mhz,覆盖7.8个倍频程,本振输入频率为40.755~110.455mhz,中频输出为40.455mhz。测试结果表明,混频器最佳本振功率在17dbm左右,变频损耗5db左右,输入三阶截点高于34dbm,本振-中频隔离度大于30db,本振-射频隔离度大于50db。

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CMOS光接收机前端放大电路 CMOS光接收机前端放大电路 CMOS光接收机前端放大电路

CMOS光接收机前端放大电路

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CMOS光接收机前端放大电路 4.6

利用smic0.18μmcmos工艺设计了光接收机前端放大电路.在前置放大器中,设计了一种高增益有源反馈跨阻放大器,并且可以使输出共模电平在较大范围内调解.在限幅放大器中,通过在改进的cherry-hooper结构里引入有源电感负反馈来进一步扩展带宽.整个前端放大电路具有较高的灵敏度和较宽的输入动态范围.hspice仿真结果表明该电路具有119db的中频跨阻增益,2.02ghz的带宽,对于输入电流幅度从1.4μa到170μa变化时,50ω负载线上的输出电压限幅在320mv(v_(pp)),输出眼图稳定清晰.核心电路静态功耗为45.431mw.

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建筑物的综合防火设计方法:一种新的防火设计方法 4.3

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丁勇

职位:规划环境影响评价

擅长专业:土建 安装 装饰 市政 园林

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