更新日期: 2024-07-04

ZnO@SiO_2同轴纳米电缆的静电纺丝技术制备与表征

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ZnO@SiO_2同轴纳米电缆的静电纺丝技术制备与表征 4.6

采用同轴静电纺丝技术,以硝酸锌、正硅酸乙酯(C8H20O4Si)、无水乙醇、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)和N,N-二甲基甲酰胺(DMF)为原料,成功制备出大量的ZnO@SiO2同轴纳米电缆。用TG-DTA,XRD,SEM,TEM,FTIR等分析技术对样品进行了表征。结果表明,得到的ZnO@SiO2同轴纳米电缆的壳层为无定型SiO2,厚度为50nm,芯轴为晶态ZnO,电缆直径为300~450nm,长度大于300μm。探讨了ZnO@SiO2同轴纳米电缆的形成机理。

同轴静电纺丝技术制备ZnO@CeO_2纳米电缆 同轴静电纺丝技术制备ZnO@CeO_2纳米电缆 同轴静电纺丝技术制备ZnO@CeO_2纳米电缆

同轴静电纺丝技术制备ZnO@CeO_2纳米电缆

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采用同轴静电纺丝技术,以硝酸铈、硝酸锌、聚乙烯吡咯烷酮、n,n-二甲基甲酰胺、甘油和氯仿为原料,制备了zno@ceo2同轴纳米电缆.用差热-热重分析、x射线衍射、扫描电镜、透射电镜和能谱仪对样品进行了表征.结果表明,所得产物为zno@ceo2同轴纳米电缆,以晶态ceo2为壳层,晶态zno为芯层,电缆直径约90nm,芯层直径约60nm,壳层厚度约15nm,电缆长度大于300μm,并分析了其形成机理.

同轴静电纺丝技术制备Y2O3:Eu^3+@SiO2豆角状纳米电缆与表征 同轴静电纺丝技术制备Y2O3:Eu^3+@SiO2豆角状纳米电缆与表征 同轴静电纺丝技术制备Y2O3:Eu^3+@SiO2豆角状纳米电缆与表征

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采用同轴静电纺丝技术,以氧化钇、氧化铕、正硅酸乙酯(c8h20o4si)、无水乙醇、pvp和dmf为原料,成功制备出大量的y2o3:eu^3+@sio2豆角状纳米电缆.用tg-dta,xrd,sem,tem和荧光光谱等分析技术对样品进行了系统地表征.结果表明,得到的产物为y2o3:eu^3+@sio2豆角状纳米电缆,以无定型sio2为壳层,晶态y2o3:eu^3+球为芯,电缆直径约为200nm,内部球平均直径约150nm,壳层厚度约为25nm,电缆长度〉300μm.纳米电缆内部为球状结构,沿着纤维长度方向有序排列,形貌均一.y2o3:eu^3+@sio2豆角状纳米电缆在246nm紫外光激发下,发射出eu^3+离子特征的波长为614nm的明亮红光.对其形成机理进行了初步讨论.

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采用同轴静电纺丝技术,以氧化钇、氧化铕、正硅酸乙酯(c8h20o4si)、无水乙醇、pvp和dmf为原料,成功制备出大量的y2o3:eu3+@sio2豆角状纳米电缆.用tg-dta,xrd,sem,tem和荧光光谱等分析技术对样品进行了系统地表征.结果表明,得到的产物为y2o3:eu3+@sio2豆角状纳米电缆,以无定型sio2为壳层,晶态y2o3:eu3+球为芯,电缆直径约为200nm,内部球平均直径约150nm,壳层厚度约为25nm,电缆长度>300μm.纳米电缆内部为球状结构,沿着纤维长度方向有序排列,形貌均一.y2o3:eu3+@sio2豆角状纳米电缆在246nm紫外光激发下,发射出eu3+离子特征的波长为614nm的明亮红光.对其形成机理进行了初步讨论.

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静电纺丝制备Al_2O_3陶瓷纳米纤维 静电纺丝制备Al_2O_3陶瓷纳米纤维 静电纺丝制备Al_2O_3陶瓷纳米纤维

静电纺丝制备Al_2O_3陶瓷纳米纤维

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静电纺丝制备Al_2O_3陶瓷纳米纤维 4.6

本文采用静电纺丝方法,制备出al_2o_3陶瓷纳米纤维。做为结构陶瓷,al_2o_3陶瓷纳米纤维具有潜在的应用价值。

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熔体静电纺丝法制备mLLDPE纤维的研究

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熔体静电纺丝法制备mLLDPE纤维的研究 4.7

茂金属催化剂聚合得到的线性低密度聚(mlldpe)纤维是近年来发展非常迅速的一种塑料品种,正在逐渐地取代传统聚乙烯产品。本文研究了熔体静电纺丝法制备线性低密度聚乙烯纤维,通过添加剂改性,首次成功制备了直径为10~80μm的mlldpe纤维。对不同纺丝参数,包括纺丝电压、接收距离、纺丝温度及添加剂用量对mlldpe纤维直径与形貌的影响进行了研究,得到熔体静电纺mll-dpe的最佳条件为纺丝电压25kv、接收距离2cm、纺丝温度160℃、聚乙烯蜡添加量30%。对mll-dpe纤维的结晶性能与纺丝温度及聚乙烯添加量之间的关系也进行了探讨。

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静电纺丝法制备纳米结构复合电阻型湿度传感器

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静电纺丝法制备纳米结构复合电阻型湿度传感器 4.7

通过静电纺丝法制备了具有纳米纤维结构的含硅聚电解质/聚苯胺/peo复合湿敏元件。研究发现:元件具有快的响应速度(吸湿7s,脱湿19s)。在22-95%rh的湿度范围内,电阻变化3个数量级,具有较高的灵敏度,较好的响应线性度(r2=0.966)和小的湿滞(2%rh)。通过聚二烯丙基二甲基氯化铵预先对电极表面进行修饰,可以有效改善纳米纤维膜与电极基体的接触,降低电阻。

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静电纺丝技术制备聚苯乙烯/石墨烯复合纳米纤维

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静电纺丝技术制备聚苯乙烯/石墨烯复合纳米纤维 4.5

通过静电纺丝技术制备了聚苯乙烯/石墨烯复合纳米纤维膜,利用扫描电子显微镜、傅里叶变换红外光谱、粉末x-射线衍射和激光拉曼光谱等技术对所制备的纤维膜结构和组成进行表征,并通过电化学法考察该复合纳米纤维膜的电活性。结果表明,石墨烯已掺杂到聚苯乙烯纤维中。与聚苯乙烯纤维膜相比,聚苯乙烯/石墨烯复合纳米纤维膜导电性能增强,表明本实验成功实现了对聚苯乙烯纤维的改性。

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静电纺丝法制备三维聚二甲基硅氧烷纳米通道 静电纺丝法制备三维聚二甲基硅氧烷纳米通道 静电纺丝法制备三维聚二甲基硅氧烷纳米通道

静电纺丝法制备三维聚二甲基硅氧烷纳米通道

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静电纺丝法制备三维聚二甲基硅氧烷纳米通道 4.8

利用静电纺丝技术构建了新型三维纳米通道系统。在不同质量分数的聚苯乙烯(ps:mw=1.3×105)溶液中加入一定量十二烷基磺酸钠(sds),于不同电压下进行静电纺丝。所得纤维在90℃加热粘连后,形成三维聚苯乙烯纳米网络模板,然后于聚二甲基硅氧烷(pdms)预聚体(含10%交联剂)灌注进入上述模板并交联形成网络复合材料,再用二硫化碳超声除去聚苯乙烯纤维。采用扫描电子显微镜、透射电子显微镜对纤维模板形貌和纳米通道进行了表征。结果表明,质量分数为10%的ps溶液加入0.5%sds,在20kv电压下进行静电纺丝,得到直径为150nm的纤维。sds的加入对纺丝纤维具有平滑作用,使得粘连的纤维模板更易去除,形成的三维纳米通道直径约160nm,与纤维模板直径一致。该类型纳米通道可以应用于医学药物载体、纳流控芯片等众多领域。

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静电纺丝纳米纤维在骨组织工程中的应用

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静电纺丝纳米纤维在骨组织工程中的应用 4.6

静电纺丝纳米纤维技术在生物医学领域有着广泛的应用研究,其在骨组织工程应用中仍未解决的问题是同时满足材料的生物相容性、可降解性、生物活性和力学性能。骨组织工程主要构成要素是支架、细胞和生长因子。静电纺丝复合纳米纤维支架材料具有纳米级别的天然骨分级结构和天然骨的多孔结构,改进复合支架材料可促进细胞的浸润生长、干细胞分化和组织形成。本文重点探讨通过静电纺丝技术改进复合支架的性能,及其在动物实验研究方面的最新进展。

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双极性双喷头静电纺丝装置的设计与应用

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双极性双喷头静电纺丝装置的设计与应用 4.4

从低维纳米复合材料的制备技术和制备工艺入手,设计开发了双极性双喷头静电纺丝装置,解决了单极性喷头同性相斥不能获得交织的异质材料的问题,实现了带有不同极性的两种金属氧化物纺丝前驱液的交织复合,成功制备了金属氧化物sno2/in2o3复合纳米纤维。通过对sno2/in2o3复合纳米纤维的sem表征发现,复合纤维中同时存在正四方相晶系的sno2和立方晶系结构的in2o3。利用双极性双喷头静电纺丝装置制备复合纳米纤维对复合材料制备技术的发展具有深远意义。

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高压静电纺丝法制备EVOH/TiO_2无纺布

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高压静电纺丝法制备EVOH/TiO_2无纺布 4.8

采用高压静电纺丝技术,以异丙醇/水为混合溶剂,制备了聚乙烯-乙烯醇(evoh)/二氧化钛(tio2)无纺布;通过扫描电子显微镜、差示扫描量热仪及热失重仪对其微观形貌、热性能进行了研究分析;结果表明:经tio2掺杂改性后,无纺布的纤维直径减小,孔径降低,无纺布的结晶度降低,熔点变化不大,耐热性下降。

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高压静电纺丝法制备聚酰亚胺超细纤维无纺布膜

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高压静电纺丝法制备聚酰亚胺超细纤维无纺布膜 4.8

采用制备聚合物纳米纤维的一种简易的重要基本方法,即静电纺丝技术,以实验室合成的聚酰胺酸(paa)溶液为纺丝溶液,采用自制静电纺丝机进行电纺得到paa纤维无纺布膜。采用傅立叶变换红外光谱分析技术对无纺布膜的化学结构进行了表征分析;由paa及聚酰亚胺(pi)无纺布膜的谱图吸收峰对比分析得知,纤维热酰亚胺化的程度是比较完全的;但由相应吸收峰对比分析得知,热酰亚胺化的程度并没有达到100%。

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静电纺丝素-明胶管状支架的结构与性能 静电纺丝素-明胶管状支架的结构与性能 静电纺丝素-明胶管状支架的结构与性能

静电纺丝素-明胶管状支架的结构与性能

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静电纺丝素-明胶管状支架的结构与性能 4.5

为研制组织工程小口径血管,以良好生物相容性的丝素蛋白、明胶为原料,通过静电纺丝法,以高速旋转的滚轴为收集装置,构建了丝素-明胶管状支架(直径为4.5mm)。测定其形貌结构、孔隙率和溶失率,并在该支架上进行人脐静脉内皮细胞(huvecs)培养实验。结果表明:在丝素-明胶质量比例为70∶30、纺丝液质量分数为13%、滚轴转速为1000r/min的条件下静电纺丝,可获得纤维直径较细、纤维分布较均匀、具有较高孔隙率的丝素-明胶管状支架;随着纺丝液质量分数的提高,丝素-明胶管状支架的溶失率降低,乙醇处理后管状支架溶失率大大降低;mtt显示细胞可以在支架上生长、增殖。

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用乙二醇为还原剂制备Ag/C同轴纳米电缆

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用乙二醇为还原剂制备Ag/C同轴纳米电缆 4.5

利用一种简单的有机物乙二醇作为还原剂和碳源,采用简单温和的水热方法制备出ag/c同轴纳米电缆.用sem、tem、xrd、uv-vis和ft-ir对产物进行了表征,探索了制备ag/c同轴纳米电缆的最佳条件是温度为180℃、ch2so4=2mol·l-1,并且提出了可能的反应机制.

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壳聚糖/聚氧乙烯复合纺丝液性能对静电纺丝的影响 4.4

为了研究壳聚糖/聚氧乙烯复合纺丝液性能对静电纺丝的影响,利用质量分数为3%的壳聚糖(cs)与聚氧乙烯(peo)以不同的质量比溶解在浓度为50%的冰乙酸水溶液中制备了cs/peo复合纺丝液,采用静电纺丝技术制备了cs/peo复合纳米纤维。用扫描电子显微镜(sem)对制备出的cs/peo复合纳米纤维进行表征,并测试了cs/peo复合纺丝液的溶液性能。从复合纺丝液性能对静电纺纤维成型的影响机理角度对实验结果进行了分析。分析结果表明,在其他静电纺丝参数一定时,纺丝液黏度影响射流的稳定性,从而影响纤维的形貌和直径。只要纺丝液电导率在合适的范围内,对静电纺的影响不大。从泰勒的临界公式中得出了纺丝液临界电压与纺丝液表面张力最佳值的一一对应关系,并与本实验中的实验数据相吻合。

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Au/SnO_2异质同轴纳米电缆 Au/SnO_2异质同轴纳米电缆 Au/SnO_2异质同轴纳米电缆

Au/SnO_2异质同轴纳米电缆

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Au/SnO_2异质同轴纳米电缆 4.4

本文报道了一种新型的au/sno2金属-半导体异质同轴纳米电缆结构。通过透射电镜表征,发现其轴心为沿特定方向生长的单晶au纳米线,而壳层则为沿[100]方向生长的单晶sno2,整体看来就如同一根单晶au纳米线外套了一根单晶sno2纳米管。管的两端是封闭的,而au轴则几乎贯穿整个管,只在端部与sno2之间有一定间隙。本文讨论了纳米电缆可能的生长机制,而空隙应该是由于两者的热膨胀系数不同所致。

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辅助电极作用下双喷头静电纺丝电场及射流受力分析 辅助电极作用下双喷头静电纺丝电场及射流受力分析 辅助电极作用下双喷头静电纺丝电场及射流受力分析

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辅助电极作用下双喷头静电纺丝电场及射流受力分析 4.5

双喷头静电纺丝过程中,喷头间电场相互干扰,带有相同电荷的2条射流相互排斥,使得纺丝连续性下降且纤网分布不均匀。本文通过在喷头处加装相同形状的圆锥形辅助电极来降低电场间的干扰,结果表明,装有圆锥形辅助电极的双喷头静电纺丝射流连续性好,纤网分布均匀且纤维直径更细。最后通过ansoftmaxwell3-d电磁场分析软件对静电纺丝电场进行建模仿真,并模拟射流受力,从而进一步阐明辅助电极屏蔽电场的作用。

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静电纺MWNTs/丝素复合纳米纤维毡的结构与性能 静电纺MWNTs/丝素复合纳米纤维毡的结构与性能 静电纺MWNTs/丝素复合纳米纤维毡的结构与性能

静电纺MWNTs/丝素复合纳米纤维毡的结构与性能

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静电纺MWNTs/丝素复合纳米纤维毡的结构与性能 4.4

静电纺丝素纤维毡在水中极不稳定,力学性能较差,这些缺陷限制了其应用。将经过酸处理的多壁碳纳米管(mwnts)均匀地分散在丝素膜甲酸溶液中,以mwnts增强静电纺丝素纳米纤维。xps的测定结果显示,碳纳米管并不是仅仅以物理形式混杂在丝素纤维中,而是形成了某些有助于提高增强效果的化学键。随碳纳米管质量分数的增加,纤维直径明显下降,纤维内部结构的规整性有所提高。当纺丝液中mwnts的质量分数小于1.0%时,复合纤维毡的断裂强度和初始模量都有明显的增强,但是mwnts的质量分数太大时,力学性能反而恶化。

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同轴电缆 (2)

同轴电缆 (2)

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同轴电缆 (2) 4.6

同轴电缆 同轴电缆是有线电视系统中用来传输射频信号的主要媒质,它是由芯线和屏蔽网筒构成的两 根导体,因为这两根导体的轴心是重合的,故称同轴电缆或同轴线。目前,在不能完全实现光纤 到户的情况下,同轴电缆的使用量相当大,多方位了解同轴电缆的特性,对于有线电视工作者特 别是刚刚从事有线电视工作的同志更是大有益处。 1同轴电缆的结构 射频同轴电缆由内导体、绝缘介质、外导体(屏蔽层)和护套4部分组成。 1.1内导体 内导体通常由一根实心导体构成,利用高频信号的集肤效应,可采用空铜管,也可用镀铜铝 棒,对不需供电的用户网采用铜包钢线,对于需要供电的分配网或主干线建议采用铜包铝线,这 样既能保证电缆的传输性能,又可以满足供电及机械性能的要求,减轻了电缆的重量,也降低了 电缆的造价。 1.2绝缘介质 绝缘介质可以采用聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯(pvc)和氟塑料等,常用的绝

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静电纺纳米纤维的研究进展

静电纺纳米纤维的研究进展

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静电纺纳米纤维的研究进展 4.4

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HINOC同轴电缆接入系统技术方案 HINOC同轴电缆接入系统技术方案 HINOC同轴电缆接入系统技术方案

HINOC同轴电缆接入系统技术方案

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HINOC同轴电缆接入系统技术方案 4.6

本文介绍了面向下一代广播电视网(ngb)的同轴电缆接入技术hinoc(highperformancenetworkovercoax),该技术利用已经敷设到户的有线电视传输电缆为每个家庭构建宽带数据接入网络。系统设计指标为112mbps的每户独享物理层接入速率,可以满足高清电视、高速上网业务的要求。文中对hinoc系统整体技术方案、关键技术、组网方式进行了探讨,并对技术的进展情况做了介绍。

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射频同轴电缆 (2)

射频同轴电缆 (2)

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射频同轴电缆 (2) 4.4

射频同轴电缆 (2)

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同轴电缆标准 (2)

同轴电缆标准 (2)

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同轴电缆标准 (2) 4.5

文档来源为:从网络收集整理.word版本可编辑.欢迎下载支持. 电缆 50欧姆漏泄同轴电缆 1应用及分类 漏泄电缆用于一般通讯天线难以发挥作用的领域,特别是在移动通信系统分立天线无法提供足够的通 讯覆盖的区域。漏泄电缆既具有信号传输作用,又有天线接收功能。汉胜50欧姆漏泄同轴电缆主要 应用范围如下; ◆建筑物内、矿井、地铁及隧道内信号分布与传输 ◆列车的信息传输及高速公路上无线电通讯 ◆电波静区内信号覆盖 根据外导体漏泄结构不同,汉胜50欧姆漏泄同轴电缆分为以下两个系列: ◆皱纹外导体削峰系列(a)漏泄同轴电缆 ◆外导体纵包带开槽或冲孔系列(b)漏泄同轴电缆 前者适用于更宽的频率范围,在整个宽频带内具有很好的电气性能;后者适用较窄的频率范围,可在 该窄频范围内对使用频率电气性能进行最佳设计。 2结构性能参数 *注:外护套可根据用户要求采用低烟、无卤阻燃

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同轴电缆的详细介绍 (2)

同轴电缆的详细介绍 (2)

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同轴电缆的详细介绍 (2) 4.6

同轴电缆的详细介绍 http://www.***.***(2009/4/1416:35) 123下一页 一、概述 1、基带同轴电缆 同轴电缆以硬铜线为芯,外包一层绝缘材料。这层绝缘材料用密织的网状导体环绕,网外又覆盖 一层保护性材料。有两种广泛使用的同轴电缆。一种是50欧姆电缆,用于数字传输,由于多用于基 带传输,也叫基带同轴电缆;另一种是75欧姆电缆,用于模拟传输,即下一节要讲的宽带同轴电缆。 这种区别是由历史原因造成的,而不是由于技术原因或生产厂家。 同轴电缆的这种结构,使它具有高带宽和极好的噪声抑制特性。同轴电缆的带宽取决于电缆长度。 1km的电缆可以达到1gb/s~2gb/s的数据传输速率。还可以使用更长的电缆,但是传输率要降低 或使用中间放大器。目前,同轴电缆大量被光纤取代,但仍广泛应用于有线电视和某些局域网。 2、宽带同轴电缆 使用有限电

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李静

职位:驻场项目资料员

擅长专业:土建 安装 装饰 市政 园林

同轴静电纺丝技术制备ZnOCeO2纳米电缆文辑: 是李静根据数聚超市为大家精心整理的相关同轴静电纺丝技术制备ZnOCeO2纳米电缆资料、文献、知识、教程及精品数据等,方便大家下载及在线阅读。同时,造价通平台还为您提供材价查询、测算、询价、云造价、私有云高端定制等建设领域优质服务。手机版访问: 同轴静电纺丝技术制备ZnOCeO2纳米电缆