使开关稳压IC输出电流增大到12倍的双极晶体管
图1所示电路采用最少的外部元件,就可使0.5A补偿型开关稳压集成电路的最大输出电流提高到6A以上。该电路适用于15V~60V输入电压,根据所选开关稳压集成电路的不同,可提供3.3V、5V或12V三种输出电压。图2是在高达60V的输入电压范围内绘制的三种标准输出电压的转换效率曲线。该电路适用于要求输出电流、输入电压比标准集成电路高,或
绝缘栅双极晶体管的设计要点
介绍了绝缘栅双极晶体管(igbt)的基本结构和工作原理;讨论了igbt各关键参数和结构设计中需要考虑的主要问题;分析了igbt设计中需要协调的几对矛盾参数的关系以及影响igbt可靠性的关键因素。
电子辐照对开关电源中功率双极晶体管损耗的影响
功率双极晶体管的损耗是开关电源总损耗中的最多的器件之一,采用10mev电子辐照来降低功率双极晶体管的下降延时,以此来降低功率双极晶体管的关断损耗。在一个典型的充电器开关电源中,85v交流输入电压下,功率双极晶体管总损耗最多降低了42%,系统效率提高了2.1%。
互补绝缘门极双极晶体管(CIGBT)—一种新型功率开关器件
互补绝缘门极双极晶体管(CIGBT)—一种新型功率开关器件
第五章双极型晶体管开关特性
第五章双极型晶体管开关特性
第五章双极型晶体管开关特性 (2)
第五章双极型晶体管开关特性 (2)
双极型功率开关晶体管的新结构
双极型功率开关晶体管的新结构
动态控制开关稳压器的输出电压
动态控制开关稳压器的输出电压
双极型静电感应晶体管的开关特性
根据双极型静电感应晶体管的通断特性,提出了开关特性的测试方法。测试和给出了gji2d双极型静电感应晶体管的开关参数、曲线和反偏参数。将gji2d与国外的双极型晶体管和功率场效应管进行了比较。
10kV绝缘栅双极型晶体管固体开关的研制
采用8只ixlf19n250a绝缘栅双极型晶体管串联研制成功了10kv固体开关。试验表明:该固体开关最高输出电压为14kv,最高输出脉冲电流为20a、输出脉冲宽度可在2112μs之间以1μs步长变化,脉冲重复频率范围为1hz4khz,短时间可以工作到8.6khz。
第四章双极型晶体管功率特性
第四章双极型晶体管功率特性
双极型静电感应晶体管开关时间的测量与分析
从理论和实验两方面对静电感应晶体管(bsit)的开关时间进行了分析和测量,提出了简单的分析方法,将影响bsit开关时间的各个因素归结为结构因子和材料因子,从而简化了分析影响bsit开关时间的因素,对于bsit的实际工艺、结构设计有指导意义。
16第三章晶体管的开关特性与击穿电压
16第三章晶体管的开关特性与击穿电压
选用恰当的超低静态电流低压降稳压器
静态电流相同或极接近的超低静态电流ldo的动态性能可能差异很大。有两项主要因素决定了这些器件的动态性能。一是使用的半导体工艺,大多数当今ldo使用先进的cmos或bicmos技术制造;二是ldo设计中应用的技术。有几种不同类型的超低静态电流
在复合式晶体开关中晶体管IGBT的并联
在复合式晶体开关中晶体管IGBT的并联
正稳压输出的电荷泵集成电路
过去,电荷泵电路主要应用于电压反转(v_(out)≈v_(in))或倍压电路(v_(out)≈2v_(in))中,它们的输出都不稳压,如icl7660、icl7662、max660等。近年来,利用电荷泵电路可进行升压和降压,并集成了新型稳压电路(电压调节电路),开发出无电感器的dc/dc变换器,它就是正稳压输出的电荷泵集成电路。本文介绍其主要特点、结构与工作原理及典型应用电路。
锑化铟晶体管工作电压低、开关快
**资讯http://www.***.***
基于双极工艺的LDO线性稳压器的设计
基于双极工艺的LDO线性稳压器的设计
多路输出直流稳压电源
中南民族大学 课程设计 题目多路输出直流稳压电源 学院计算机科学学院 专业自动化 班级一班 姓名 指导教师 2010年6月20日 电子技术课程设计 任务书 设计题目:多路输出直流稳压电源 学生姓名:专业班级:自动化一班学号: 指导教师签名:2010年6月20日 一、设计条件 1.可选元件(或自备元件): 变压器(±15v/15w):一只 整流二极管或整流桥:若干 电阻、电容、电位器:若干 三端集成稳压器:若干 2.可用仪器:万用表,示波器,毫伏表,信号发生器,直流稳压源 二、设计任务及要求 1.设计任务 根据技术要求和已知条件,完成对多路输出直流稳压电源的设计、装配与调试。 2.设计要求 (1)将220v/50hz交流电源转换为五路直流稳压电源输出:±12v
电压输出与电流成比例的改进型电流监控器
本设计实例是对以往设计实例的扩展(参考文献1)。原版采用一个电流变压器,它的次级绕组构成一个振荡器振荡回路的一部分。正常条件下,流经电流变压器单匝初级绕组的直流电流不会使电路保持振荡,直到初级电流停止流动。虽然这个电路起到一个断电检测器的作用,
场板抑制GaN高电子迁移率晶体管电流崩塌的机理研究
通过实验和数值器件仿真研究了钝化gan高电子迁移率晶体管(hemts)、栅场板ganhemts和栅源双层场板ganhemts电流崩塌现象的物理机理,建立了电流崩塌强度与帽层中载流子浓度、陷阱电离率和电场的内在联系.研究结果表明,场板可以有效调制帽层中横向和纵向电场的强度分布,并可有效调制纵向电场的方向,减弱栅极附近电场强度,增加场板下方电场强度,这会减弱栅极附近自由电子的横向运动,增强场板下方自由电子的纵向运动,进而可以有效调制帽层中自由电子浓度的分布,提高陷阱的电离率,减小器件的电流崩塌.
一种低压大电流直流电源的输出电压补偿设计
文中基于一种采用vicordc-dc转换器设计的低压大电流直流电源,通过采样负载点电压,外加反馈电路来调节转换器输出电压,以补偿在大电流传输时负载线上的电压降,从而达到稳定负载点电压的目的。本文详细分析了电压补偿电路的原理,介绍了元器件选择方法,并通过电压补偿电路的设计和测试验证了该电路的可行性。
美国研究者推出具有p型掩埋层电流阻断的垂直氮化镓晶体管
加利福利亚圣芭芭拉大学和亚利桑那州立大学近期研制出一种氮化镓电流孔径垂直电子晶体管(cavet),该产品拥有p型掩埋层,能产生反向偏置pn结。cavet将二维电子气和垂直结构相结合,在铝镓氮/氮化镓界面处的二维电子气能提供较高的导电性能,而垂直结构能使得产品在较低峰值的条件下具有较好的电场分布。
大电流5V直流稳压电源的设计
主要介绍以单相桥式整流电路及三端集成稳压器为主的直流稳压电源的设计.从确定总体方案,到明确稳压电源的技术指标及对稳压电源的要求,最后进行参数的估算及元器件的选择,利用visio软件完成原理图的绘制,实现将输入220v,50hz的电网电压转换为输出5v,2a的稳定直流电.
文辑推荐
知识推荐
百科推荐
职位:市政给排水工程师
擅长专业:土建 安装 装饰 市政 园林