更新日期: 2024-09-09

16第三章晶体管的开关特性与击穿电压

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16第三章晶体管的开关特性与击穿电压 4.5

16第三章晶体管的开关特性与击穿电压

第五章双极型晶体管开关特性

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第五章双极型晶体管开关特性

第五章双极型晶体管开关特性 (2)

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第五章双极型晶体管开关特性 (2)

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双极型静电感应晶体管的开关特性

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双极型静电感应晶体管的开关特性 4.6

根据双极型静电感应晶体管的通断特性,提出了开关特性的测试方法。测试和给出了gji2d双极型静电感应晶体管的开关参数、曲线和反偏参数。将gji2d与国外的双极型晶体管和功率场效应管进行了比较。

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锑化铟晶体管工作电压低、开关快

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多断口真空开关击穿电压增益与统计特性研究 4.7

从长间隙真空开关的击穿特性出发,理论推导得到双断口及多断口真空开关的击穿电压最大可能增益倍数kn,同时引入"击穿弱点"概念和概率统计方法,分析建立了双断口及多断口真空开关的静态击穿统计分布模型,发现无论是双断口真空开关还是n个断口串联起来,其击穿的统计概率都要比单断口的击穿统计概率要小.为了进行实验论证,建立了三断口真空开关实验模型,对单断口真空灭弧室模型和三断口真空开关实验模型进行了大量的冲击击穿特性实验.研究表明,三断口真空灭弧室相比单断口真空灭弧室具有更低的击穿概率.试验数据与理论分布曲线基本吻合,证明理论研究结果正确.

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感应电压叠加器中水介质开关脉冲自击穿特性 4.6

设计了应用于感应电压叠加器中的水介质主开关与峰化开关,主开关的电极结构为"平板-环型",峰化开关的电极结构为"环型"。研究了开关在300ns脉冲电压下的自击穿特性,给出了不同工作电压下开关的间隙距离。实验结果表明,主开关与峰化开关的结构合理、击穿特性稳定、相互配合良好,峰化开关可以有效地峰化主脉冲,降低预脉冲的幅值。主开关的实验结果同时验证了martin经验公式的适用性。

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第四章双极型晶体管功率特性

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高压开关特性测试仪说明书 4.5

武汉市华天电力自动化有限责任公司 1 高压开关特性测试仪说明书 由于输入输出端子、测试柱等均有可能带电压,在 插拔测试线、电源插座时,会产生电火花,小心电击, 避免触电危险,注意人身安全! 安全要求 请阅读下列安全注意事项,以免人身伤害,为了避免可能发生 的危险,只可在规定的范围内使用。 只有合格的技术人员才可执行维修。 —防止火灾或人身伤害 使用适当的电源线。只可使用专用并且符合规格的电源线。 正确地连接和断开。当测试导线与带电端子连接时,请勿随意连接 或断开测试导线。 注意所有终端的额定值。为了防止火灾或电击危险,请注意所有额定 值和标记。在进行连接之前,请阅读使用说明书,以便进一步了解有 关额定值的信息。 使用适当的保险丝。只可使用符合规定类型和额定值的保险丝。 避免接触裸露电路和带电金属。有电时,请勿触摸裸露的接点和 部位。 武汉市华天电力自动化有限责任公司 2

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使开关稳压IC输出电流增大到12倍的双极晶体管 4.5

图1所示电路采用最少的外部元件,就可使0.5a补偿型开关稳压集成电路的最大输出电流提高到6a以上。该电路适用于15v~60v输入电压,根据所选开关稳压集成电路的不同,可提供3.3v、5v或12v三种输出电压。图2是在高达60v的输入电压范围内绘制的三种标准输出电压的转换效率曲线。该电路适用于要求输出电流、输入电压比标准集成电路高,或

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制作了底栅极顶接触有机薄膜晶体管器件,60nm的pentacene被用作有源层,120nm热生长的sio2作为栅极绝缘层.通过采用不同自组装修饰材料对器件的有源层与栅极绝缘层之间的界面进行修饰,如octadecyltrichlorosilane(ots),phenyltrimethoxysilane(phtms),来比较界面修饰层对器件性能的影响.同时对带有phtms修饰层的otfts器件低栅极电压调制下的场效应行为及其载流子的传输机理进行研究.结果得到,当|vgs|<0.1v时,载流子在如此小的栅极电压调制下已经不能过多在半导体有源层与栅极绝缘层之间的界面处积聚,使otfts器件的输出电流保持相对的平衡.但是,器件的调制栅压在-0.001v时,器件仍然有好的输出特性,当vds为-20v时,器件的场效应迁移率为3.22×10-3cm2/vs,开关电流比为1.43×102,阈值电压为0.66v.

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晶体管制造一般是用玻璃作基底材料。这有利于在多变的环境下保持稳定,从而保证用电设备所需的电流。据美国物理学家组织网报道,美国佐治亚理工大学研究人员最近开发出一种双层界面新型晶体管,性能极为稳定,还能在可控的环境中。

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设计了典型参数下的伪火花放电开关,进行了空气介质下的电压特性实验,详细研究了气体压力,电极间隙距离,电极孔径和电极材料对伪火花开关耐受电压的影响;给出了伪火花开关放电电压与气压变化的关系曲线;测量了产生伪火花放电的气压范围和单间隙伪火花开关耐受电压的最大值,测得了伪火花放电与辉光放电的转折点气压,并对实验结果进行了理论分析。研究了伪火花开关电压跌落时间与放电电压的关系,首次将开关电压跌落过程分为暂态阶段和稳态阶段,讨论了放电电路参数,气体压力,开关结构和放电电压对电压跌落时间的影响。实验表明,在气压和开关结构不变的条件下,暂态过程时间由放电电压决定,电压越高,则所需时间就越短;稳态过程时间由放电电路参数决定,而与放电电压无关。最后讨论了真空洁净程度和开关加工与装配工艺对伪火花开关耐受电压的影响。

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本文较详细地介绍了高反压晶体管玻璃钝化的生产工艺。该工艺操作简单、成本低,生产出的产品一致性好,可靠性高。

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10kV绝缘栅双极型晶体管固体开关的研制 4.3

 采用8只ixlf19n250a绝缘栅双极型晶体管串联研制成功了10kv固体开关。试验表明:该固体开关最高输出电压为14kv,最高输出脉冲电流为20a、输出脉冲宽度可在2112μs之间以1μs步长变化,脉冲重复频率范围为1hz4khz,短时间可以工作到8.6khz。

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高压开关特性测试知识操作方法

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高压开关特性测试知识操作方法 4.6

www.***.*** -1- 高压开关的开距和超程,其定义是机械结构方面的。由于开关结构的多样性及灭弧性能 的要求,开关动、静触头的两个平面重合时,电性能上还没有构成导通回路。而开关测试仪 的刚分(和)点及开距超程的判断依据是完全依赖于是否构成导电回路(或是否断开导电回 路)。由于两者定义上的不同,导致测试结果的偏差。我们认为,依赖测试仪器来测试开距 和超程是没有太大的意义的,一方面是不可能测试准确;另一方面,用常规方式测试其准确 度和可靠性更高。也比较方便。 高压开关测试仪可用于各种电压等级的真空、六氟化硫、少油、多油等电力系统高压开 关的机械特性参数测试与测量。测量数据稳定,接线方便,操作简单,是高压开关检修试验 最方便的工具。 1.仪器可自动识别断口分、合闸状态,并根据参考断口状态提示相对应的合、分操作。 2.可检测并提示6断口的连接状态,

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s波段500wrf器件2729gn~500越于碳化硅衬底氮化镓(ganonsic)技术,新器件瞄准大功率空中交通管制机场监视雷达(asr)应用,asr用于监视和控制在机场大约100英里范围的飞机。

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双极型静电感应晶体管开关时间的测量与分析 4.7

从理论和实验两方面对静电感应晶体管(bsit)的开关时间进行了分析和测量,提出了简单的分析方法,将影响bsit开关时间的各个因素归结为结构因子和材料因子,从而简化了分析影响bsit开关时间的因素,对于bsit的实际工艺、结构设计有指导意义。

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晨亮

职位:灯光设计师

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