二极管原理参数命名法则以及选型

精品文档 精品文档 led发光二极管参数 简介： led是发光二极管(lightemittingdiode,led)的简称，也被称作发光二极管，这种半 导体组件一般是作为指示灯、显示板，它不但能够高效率地直三丰光电接将电能转化为光能， 而且拥有最长达数万小时～10万小时的使用寿命，同时具备不若传统灯泡易碎，并能省电 等优点。 发光二极管简称为led。由镓（ga）与砷（as）、磷（p）的化合物制成的二极管，当 电子与空穴复合时能辐射出可见光，因而可以用来制成发光二极管，在电路及仪器中作为指 示灯，或者组成文字或数字显示。磷砷化镓二极管发红光，磷化镓二极管发绿光，碳化硅二 极管发黄光。 它是半导体二极管的一种，可以把电能转化成光能；常简写为led。发光二极管与普 通二极管一样是由一个pn结组成，也具有单向导电性。当给发光二极管加上正向电压后， 从p区

百度文库 1 常用稳压二极管技术参数 型号稳压值(v) 稳定电流 (ma) 功率(mw)型号稳压值(v) 稳定电流 (ma) 功率(mw) ma103035400ma218018201000 ma10333.35400ma220020201000 ma10363.65400ma222022101000 ma10393.95400ma224024101000 ma10434.35400ma22702751000 ma10474.75400ma23003051000 ma10515.15400ma23303351000 ma10565.65400ma23603651000 ma10626.25400ma30474.75150

发光二极管主要参数与特性 www.***.***发布日期：2007-2-517:12:17信息来源：led 发光二极管主要参数与特性 led是利用化合物材料制成pn结的光电器件。它具备pn结结型器件的电学特性：i-v特性、c -v特性和光学特性：光谱响应特性、发光光强指向特性、时间特性以及热学特性。 1、led电学特性 1.1i-v特性表征led芯片pn结制备性能主要参数。led的i-v特性具有非线性、整流性 质：单向导电性，即外加正偏压表现低接触电阻，反之为高接触电阻。 如左图： (1)正向死区：（图oa或oa′段）a点对于v0为开启电压，当v＜va，外加电场尚克服不少 因载流子扩散而形成势垒电场，此时r很大；开启电压对于不同led其值不同，gaas为1v， 红色gaasp为1.2v，gap为1.8v，ga

1 发光二极管技术参数定义 普通发光二极管的正向饱和压降为1.6v-2.1v,正向工作电流为5-20ma。 led电参数 1．极限参数的意义 （1）允许功耗pm:允许加于led两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超 过此值，led发热、损坏。 （2）最大正向直流电流ifm：允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极管。 （3）最大反向电压vrm：所允许加的最大反向电压。超过此值，发光二极管可能被击 穿损坏。 （4）工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围， 发光二极管将不能正常工作，效率大大降低。 2．电参数的意义 (1)正向工作电流if：它是指发光二极管正常发光时的正向电流值。在实际使用中应 根据需要选择if在0.6·ifm以下。 (2)正向工作电压vf：参数表中给出的工作电压是在给定的正向电流下

led发光二极管的工作原理、应用、分类及检测 发布时间：2012-05-08阅读：49次 半导体发光器件包括半导体发光二极管（简称led）、数码管、符号管、米字管及点阵式显示屏（简称矩 阵管）等。事实上，数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管。 一、半导体发光二极管工作原理、特性及应用 （一）led发光原理 -ⅳ族化合物，如gaas（砷化镓）、gap（磷化镓）、gaasp（磷砷化镓）等半导体制成 的，其核心是pn结。因此它具有一般p-n结的i-n 定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由n区注入p区，空穴由p区注入n区。进入对方区域的 少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光。 假设发光是在p区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后，再 与空穴复合发光。除了这种发光复

led发光二极管参数 简介： led是发光二极管(lightemittingdiode,led)的简称，也被称作发光二极管，这种半 导体组件一般是作为指示灯、显示板，它不但能够高效率地直三丰光电接将电能转化为光能， 而且拥有最长达数万小时～10万小时的使用寿命，同时具备不若传统灯泡易碎，并能省电 等优点。 发光二极管简称为led。由镓（ga）与砷（as）、磷（p）的化合物制成的二极管，当 电子与空穴复合时能辐射出可见光，因而可以用来制成发光二极管，在电路及仪器中作为指 示灯，或者组成文字或数字显示。磷砷化镓二极管发红光，磷化镓二极管发绿光，碳化硅二 极管发黄光。 它是半导体二极管的一种，可以把电能转化成光能；常简写为led。发光二极管与普 通二极管一样是由一个pn结组成，也具有单向导电性。当给发光二极管加上正向电压后， 从p区注入到n区的空穴

led发光二极管技术参数常识 半导体发光器件包括半导体发光二极管(简称led)、数码管、符号管、米字管及点阵式显示屏(简称矩阵 管)等。事实上，数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管。 一、半导体发光二极管工作原理、特性及应用 (一)、led发光原理 发光二极管是由ⅲ-ⅳ族化合物，如gaas(砷化镓)、gap(磷化镓)、gaasp(磷砷化镓)等半导体制成的， 其核心是pn结。因此它具有一般p-n结的i-n特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定 条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由n区注入p区，空穴由p区注入n区。进入对方区域 的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发光。 假设发光是在p区中发生的,那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光,或者先被发光中心捕获后，再

二极管参数 普通发光二极管的正向饱和压降为１．６ｖ～２．１ｖ,正向工作电流为 ５～２０ｍａ led的特性 1．极限参数的意义 （1）允许功耗pm:允许加于led两端正向直流电压与流过它的电流之 积的最大值。超过此值，led发热、损坏。 （2）最大正向直流电流ifm：允许加的最大的正向直流电流。超过此 值可损坏二极管。 （3）最大反向电压vrm：所允许加的最大反向电压。超过此值，发光 二极管可能被击穿损坏。 （4）工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境温度范围。低于 或高于此温度范围，发光二极管将不能正常工作，效率大大降低。 2．电参数的意义 (1)正向工作电流if：它是指发光二极管正常发光时的正向电流值。 在实际使用中应根据需要选择if在0.6·ifm以下。 (2)正向工作电压vf：参数表中给出的工作电压是在给定的正向电流 下得到的。一般是在if=

1/8 led发光二极管参数 简介： led是发光二极管(lightemittingdiode,led)的简称，也被称作发光二极 管，这种半导体组件一般是作为指示灯、显示板，它不但能够高效率地直三丰 光电接将电能转化为光能，而且拥有最长达数万小时～10万小时的使用寿命， 同时具备不若传统灯泡易碎，并能省电等优点。 发光二极管简称为led。由镓（ga）与砷（as）、磷（p）的化合物制成的 二极管，当电子与空穴复合时能辐射出可见光，因而可以用来制成发光二极 管，在电路及仪器中作为指示灯，或者组成文字或数字显示。磷砷化镓二极管 发红光，磷化镓二极管发绿光，碳化硅二极管发黄光。 它是半导体二极管的一种，可以把电能转化成光能；常简写为led。发光二 极管与普通二极管一样是由一个pn结组成，也具有单向导电性。当给发光二极 管加上正向电压后，从p区注入到n区的空穴和由n

1．开关二极管的作用开关二极管的作用是利用其单向导电特性使其成为一个较理想的电子开关。 图4-10是开关二极管的应用电路。 开关二极管除能满足普通二极管和性能指标要求外，还具有良好的高频开关特性（反向恢复时间较短），被广 泛应用于家电电脑、电视机、通信设备、家用音响、影碟机、仪器仪表、控制电路及各类高频电路中。 开关二极管分为普通开关二极管、高速开关二极管、超高速开关二极管、低功耗开关二极管、高反压开关二极 管、硅电压开关二极管等多种。 开关二极管的封装形式有塑料封装和表面封装等。如图4-11所示。 2．普通开关二极管常用的国产普通开关二极管有2ak系列锗开关二极管，表4-8为2ak系开关二极管的主 要参数。 3．高速开关二极管高速开关二极管较普通开关二极管的反向恢复时间更短，开、关频率更快。 常用的国产高速开关二极管有2ck系列，见表4-9。 进口高速开关

型号 最大耗散功 率(w) 额定电压(v) 最大工作 电流(ma) 可代换型号 1n7080.255.640bwa54、2cw28-5.6v 1n7090.256.2402cw55/b、bwa55/e 1n7100.256.8362cw55a、2cw105-6.8v 1n7110.257.5302cw56a、2cw28-7.5v、2cw106-7.5v 1n7120.258.2302cw57/b、2cw106-8.2v 1n7130.259.1272cw58a/b、2cw74 1n7140.2510252cw18、2cw59/a/b 1n7150.2511202cw76、2dw12f.bs31-12 1n7160.2512202cw61/a、2cw77/a 1n7170.2513182cw62/a、2dw

二极管参数 普通发光二极管的正向饱和压降为１．６ｖ～２．１ｖ,正向工作电流为 ５～２０ｍａ led的特性 1．极限参数的意义 （1）允许功耗pm:允许加于led两端正向直流电压与流过它 的电流之积的最大值。超过此值，led发热、损坏。 （2）最大正向直流电流ifm：允许加的最大的正向直流电流。 超过此值可损坏二极管。 （3）最大反向电压vrm：所允许加的最大反向电压。超过此 值，发光二极管可能被击穿损坏。 （4）工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境温度范 围。低于或高于此温度范围，发光二极管将不能正常工作，效率大大降低。 2．电参数的意义 (1)正向工作电流if：它是指发光二极管正常发光时的正 向电流值。在实际使用中应根据需要选择if在0.6·ifm以下。 (2)正向工作电压vf：参数表中给出的工作电压是在给定 的正向电流下得到的。一般是在

发光二极管(led)失效分析 时间:2009-12-2715:17来源:unknown作者:11点击:1次 发光二极管(led)失效分析2009年06月27日星期六12： 17led(light-emitting-diode中文意思为发光二极管)是一种能够将电能转化 为可见光的半导体，它改变了白炽灯钨丝发光与节能灯三基色粉发光的原理，而 采用电场发光。据 发光二极管(led)失效分析2009年06月27日星期六12： 17led(light-emitting-diode中文意思为发光二极管)是一种能够将电能转化 为可见光的半导体，它改变了白炽灯钨丝发光与节能灯三基色粉发光的原理，而 采用电场发光。据分析。 led的特点非常明显。 寿命长、光效高、无辐射与低功耗。led的光谱几乎全部集中于可见光 频段。 其发光

1 姓名：刘玉东学号：2111403132电子与通信工程2班 led(发光二极管) 摘要 发光二极管led是一种能发光的半导体电子元件。是一种透过三价与五价元素所组成 的复合光源这种电子元件早在1962年出现，早期只能发出低光度的红光，被hp买价专利 后当作指示灯利用。之后发展出其他单色光的版本，时至今日能发出的光已遍及可见光、红 外线及紫外线，光度也提高到相当的光度。而用途也由初时作为指示灯、显示板等；随着白 光发光二极管的出现，近年续渐发展至被用作照明。 1.led图片 2.led的发展史 20世纪50年代，英国科学家发明了第一个具有现代意义的led,并于60年代面世， 但此时的led只能发出不可见的红外光。在60年代末，发明了第一个可以发出可见的 红光的led。到了七八十年代，又发明出了可以发出橙光、绿光、黄光的led。90年代 由

led发光二极管 半导体发光器件包括半导体发光二极管（简称led）、数码管、符号管、米字管及点阵式 显示屏（简称矩阵管）等。事实上，数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单 元都是一个发光二极管。 一、半导体发光二极管工作原理、特性及应用 （一）led发光原理 发光二极管是由ⅲ-ⅳ族化合物，如gaas（砷化镓）、gap（磷化镓）、gaasp（磷砷 化镓）等半导体制成的，其核心是pn结。因此它具有一般p-n结的i-n特性，即正向导 通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下， 电子由n区注入p区，空穴由p区注入n区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部 分与多数载流子（多子）复合而发光，如图1所示。 假设发光是在p区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发 光中心捕获后，再与空穴复合发光。除了这种发光

巧用发光二极管 发光二极管问世以来，在多数应用实例中，人们往往只 注意到它的发光指示用，对于发光二极管在某些场合下的特 殊用途，尚开发利用得很不够。本文针对这一问题，进行如 下的探讨。 根据发光二极管的内部结构和特性参数可知，发光二极 管的核心部分是ｐｎ结。因此它具有一般ｐ－ｎ结的ｉ－ｖ 特性，即正向导通，反向截止、击穿特性等。发光二极管的 正向压降约为１．５－３：ｏｖ，反向电压值有的还可达到 １００ｖ，正向电流值一般在１０－２０ｍａ，极限值可达 ３０－５０ｍａ，甚至大于５０ｍａ（高亮大功率）。 例１：发光二极管是一种降压元件 在日常生活和各种电子制作及电子实验中，有时我们需 要各种不同规格的电压值，利用发光二极管做降压元件，可 以弥补上述方法的不足。在小电流稳压时，常采用稳压二极 管来稳定电压，在设计电路时，还应考虑到稳压管的一些特 性。比如：稳定电流１＂是由额定功率ｐｚ和稳定电压ｖｚ

发光二极管简介

本文将详细介绍在建设工程领域中隔离二极管的作用，包括其原理、应用场景和优势。通过对隔离二极管的深入了解，读者将能够更好地应用它来确保建设工程的安全和稳定性。

本文将详细解答在建设工程领域中使用隔离二极管时的相关问题。通过问题解答的方式，帮助读者了解隔离二极管的接线方法和相关注意事项。

东芝tb1238机心采用负极性二极管调制型水平枕校方式，其电路见图1所示。在ta8859内部，锯齿波形成电路产生场锯齿波电压，送入东西校正电路后得到场频抛物波信号。场频抛物波信号在ta8859内部受到i^2c总线的约束，它经过高压补偿、放大电路后，从②脚输出东西校正控制信号。校正信号被v401放大后．一路经过r417反馈到ta8859的④脚，进一步稳定内部放大器的工作状态：另一路经过vd404、vd405、vd407加到v402的基极。v402、v403组成复合功率放大电路，东西校正控制信号经v402、v403功率放大后。通过r429送进枕校电容c422、枕校电感i402组成的低通滤波电路．

发光二极管参数的测量 一发光二极管的结构和基本原理 1发光二极管的结构 发光二极管（lightemissiondiodeled）图1显示了led的结构截面图。要使led发 光，有源层的半导体材料必须是直接带隙材料，越过带隙的电子和空穴能够直接复合发射出 光子。为了使器件有好的光和载流子限制，大多采用双异质结（dh）结构。 2led的基本工作原理 led是一种直接注入电流的发光器件，是半导体晶体内部受激电子从高能级回复到低能 级时，发射出光子的结果，这就是通常所说的自发发射跃迁。当led的pn结加上正向偏 压，注入的少数载流子和多数载流子（电子和空穴）复合而发光。值得注意的是，对于大量 处于高能级的粒子各自分别自发发射一列一列角频率为ν＝eg/h的光波，但各列光波之间 没有固定的相位关系，可以有不同的偏振方向，并且每个粒子所发射的光沿所

三洋la76810机心彩电的枕校电路如图1所示，称为“正极性二极管调制型水平枕校电路”。这种电路应用很广．具有一定的代表性。