氮化铝陶瓷

随着led光源向高功率、集成化方向发展,散热基板对于提高器件的发光效率、降低结温、提高器件的可靠度和寿命起着十分重要的作用。本文选择厚度为0.4mm的氮化铝(aln)作为封装基板材料,结合磁控溅射镀膜、平面丝网印刷和光刻等半导体工艺技术,在aln基板表面完成线路设计并增加反光层。通过力学性能测试、表面反光层的反射率表征和光源老化测试,结果显示在1000小时老化后,aln陶瓷基板上封装的光源在色温漂移、发光效率衰减和可靠性等方面都明显要好于直接将芯片绑定金属基板上的光源。同时,从晶格失配与热失配的角度分析了aln陶瓷基板在高功率led光源封装中的优势。

研究了以氮化铝为基板的倒扣封装的工艺。详细比较了氮化铝的各种金属化工艺。分别研究化学镀与激光诱导淀积实现金属化的方法。测量表明两种方法制备的金属层与氮化铝的粘附力均大于10mpa。同时对这两种方法的特点与适用范围进行概述

氮化铝陶瓷基板制作技术有哪些关键问题 氮化铝陶瓷基板在大功率器件领域，因其导热率而被市场受用。那么今 天天小编要分享的氮化铝陶瓷基板制作技术的关键词问题。 一，氮化铝基板简介和应用概况 1.氮化铝材料有哪些突出特性 氮化铝是氮和二元系列中唯一稳定的化合物，具有高的熔点和良好的导热 特性。 晶形：六方晶系钙钛矿型 分解温度：2500摄氏度 理论热导率：320w/m.k 导热率是氧化铝的7倍，高温导热优于氧化铍； 热膨胀系数：与硅热膨胀系数匹配 电特性：高电绝缘，低介电常数；耐腐蚀特性：对熔融金属有优良的耐腐 蚀特殊性。 无毒，高纯， 综合性能优异的电子封装材料。 2，氮化铝应用背景。 氮化铝陶瓷覆铜板满足高压igbt模块，广泛应用于高铁、电动汽车、智能 电网和新能源等“绿色经济”。氮化铝陶瓷封装基板满足大功率led芯片散热 的需求，在汽车大灯、室外照明、舞台灯等高速

本文讨论了氮化铝陶瓷基板获得高热导率的基本原理，介绍了批量生产氮化铝陶瓷基板的控制因素，包括原料选择、排胶、烧结气氛控制等。

氮化铝陶瓷直接覆铜基板是将铜箔在高温下直接键合到氮化铝陶瓷表面而制成的一种复合陶瓷基板,具有高导热性、高电绝缘性、大电流容量、高机械强度等特点,广泛应用于智能电网、动力机车、汽车电子等电力电子领域。本文从机理上分析了氮化铝覆铜基板界面空洞产生的原因,研究了影响界面空洞的主要技术参数,得出结论:氮化铝和无氧铜表面氧化层均匀性是影响界面空洞的主要因素;采用纯干氧气氛氧化氮化铝陶瓷可以在其表面形成致密氧化膜,有效减少界面空洞的产生;采用低氧含量高温氧化的方法氧化无氧铜后,有助于减少铜与氮化铝界面空洞;当氮化铝直接覆铜工艺的氧含量为5×10-4时,氮化铝覆铜基板界面空洞比例达到2%。

十年专注pcb快板，中高端中小批量生产www.***.*** 氮化铝陶瓷pcb为何比一般的陶瓷板导热性更高？ 随着电子成品更加轻薄化，导热性的要求也越发的高了，陶瓷板一般分为两大类，氧化铝陶 瓷板，氮化铝陶瓷板。氮化铝陶瓷pcb是氧化铝陶瓷板导热性的5~8倍，这其中的原因是 什么？ 同为陶瓷电路板，但是有很大的区别，氧化铝的导热率差不多在45w/(m·k)左右，氮化铝 的导热率接近其5~8倍。首先我们看看这两板子的参数： 十年专注pcb快板，中高端中小批量生产www.***.*** 氧化铝陶瓷是一种以氧化铝(al2o3)为主体的陶瓷材料，用于厚膜集成电路。氧化铝陶 瓷有较好的传导性、机械强度和耐高温性。需要注意的是需用超声波进行洗涤。氧化铝陶瓷 是一种用途广泛的陶瓷，因为其优越的性能，在现代社会的应

通过实验优化aln(氮化铝)瓷料配方及排胶工艺,对共烧w(钨)导体浆料性能及aln多层基板的高温共烧工艺进行了研究,并对aln多层基板的界面进行了扫描电镜分析。采用aln流延生瓷片与w高温共烧的方法,成功地制备出了高热导率的aln多层陶瓷基板,其热导率为190w/(m·k),线膨胀系数为4.6106℃1(rt~400℃),布线层数9层,w导体方阻为9.8m,翘曲度为0.01mm/50mm,完全满足高功率mcm的使用要求。

氧化铝陶瓷及相关陶瓷

从基材性能告诉你氮化铝和氧化铝陶瓷基 板工艺有什么不同 氮化铝陶瓷基板和氧化铝陶瓷基板都同属于陶瓷基板，他们的制作工艺大致是一样 的，都有都才可以采用薄膜工艺和厚膜工艺，dbc工艺、htcc工艺和ltcc工艺，那 么不同的什么呢？ 氮化铝和氧化铝陶瓷基板工艺的不同主要是因为基材的性能和结构决定了，他们 烧结温度的不同。 氮化铝陶瓷基板的结构和性能原理： 1、氮化铝陶瓷(aluminiumnitrideceramic)是以氮化铝(ain)为主晶相的陶瓷。 2、ain晶体以〔ain4〕四面体为结构单元共价键化合物，具有纤锌矿型结构，属 六方晶系。 3、化学组成ai65.81%，n34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，单晶 无色透明，常压下的升华分解温度为2450℃。 4、为一种高温耐热材料。热膨胀系数(4.0-6.0)x10(-6)

氧化铝陶瓷及相关陶瓷PPT课件

氧化铝陶瓷的低温烧结技术 氧化铝陶瓷是一种以ａｌ２ｏ３为主要原料，以刚玉（α—ａｌ ２ｏ３）为主晶相的陶瓷材料。因其具有机械强度高、硬度大、高频 介电损耗小、高温绝缘电阻高、耐化学腐蚀性和导热性良好等优良综 合技术性能，以及原料来源广、价格相对便宜、加工制造技术较为成 熟等优势，氧化铝陶瓷已被广泛应用于电子、电器、机械、化工、纺 织、汽车、冶金和航空航天等行业，成为目前世界上用量最大的氧化 物陶瓷材料。然而，由于氧化铝熔点高达２０５０℃，导致氧化铝陶 瓷的烧结温度普遍较高（参见表一中标准烧结温度），从而使得氧化 铝陶瓷的制造需要使用高温发热体或高质量的燃料以及高级耐火材 料作窑炉和窑具，这在一定程度上限制了它的生产和更广泛的应用。 因此，降低氧化铝陶瓷的烧结温度，降低能耗，缩短烧成周期，减少 窑炉和窑具损耗，从而降低生产成本，一直是企业所关心和急需解决 的重要课题。 目前，对氧化铝

氧化铝泡沫陶瓷的制备

本文主要介绍了流延法生产氧化铝陶瓷基板的工艺。研究了原料粒度分布对基板微观结构的影响,用流延法制备了96％氧化铝陶瓷基板,并对基板表面被釉,试验了基板的性能,研究了基板生产过程中一些关键的因素。

氧化铝陶瓷制作工艺简介 氧化铝陶瓷目前分为高纯型与普通型两种。高纯型氧化铝陶瓷系ａｌ２ｏ３ 含量在９９．９％以上的陶瓷材料，由于其烧结温度高达１６５０—１９９０℃， 透射波长为１～６μｍ，一般制成熔融玻璃以取代铂坩埚：利用其透光性及可耐 碱金属腐蚀性用作钠灯管；在电子工业中可用作集成电路基板与高频绝缘材料。 普通型氧化铝陶瓷系按ａｌ２ｏ３含量不同分为９９瓷、９５瓷、９０瓷、８５ 瓷等品种，有时ａｌ２ｏ３含量在８０％或７５％者也划为普通氧化铝陶瓷系 列。其中９９氧化铝瓷材料用于制作高温坩埚、耐火炉管及特殊耐磨材料，如陶 瓷轴承、陶瓷密封件及水阀片等；９５氧化铝瓷主要用作耐腐蚀、耐磨部件；８ ５瓷中由于常掺入部分滑石，提高了电性能与机械强度，可与钼、铌、钽等金属 封接，有的用作电真空装置器件。其制作工艺如下： 一粉体制备： 将入厂的氧化铝粉按照不同的产品要求与不同成型工艺制

浅析氧化铝陶瓷制作工艺

低温烧结氧化铝陶瓷

随着大功率模块与电力电子器件的发展,陶瓷表面金属化已得到广泛应用。直接敷铝技术是基于氧化铝陶瓷基板发展起来的一种陶瓷表面金属化技术。在介绍直接敷铝基板的制备方法和性能特点的基础上,重点讨论影响al-al2o3润湿性能的因素以及这些因素对氧化铝陶瓷基板敷铝过程的影响,同时展望了dab基板在功率电子系统、汽车工业等方面的应用前景。

本文简述了陶瓷金卤灯的特征特性,分析了灯对陶瓷材料的要求,对比了某些陶瓷材料的结构成分及对陶瓷灯的影响,对国产陶瓷材料及泡壳进行了分析研究并给出了部分分析结果。

1 氧化铝陶瓷片的散热原理是什么 氧化铝陶瓷片制品是目前应用较广泛的一种新型精密陶瓷、电子工业陶瓷 片、功能陶瓷产品。由于氧化铝陶瓷片原料昂贵和形成工艺的特殊性，目前氧化 铝陶瓷片主要用于高技术，如冶金、化工、电子、国防、航天及核技术等高科技 领域。 氧化铝陶瓷片属于特种陶瓷，具有高强度、高硬度、抗磨损、耐腐蚀、耐高 温、绝缘等优异特性，备受多种行业关注，在集成电路芯片和航空光元器件等方 面拥有其他导热绝缘材料无法比拟的优势。 目前，市场对氧化铝陶瓷散热片的需求日益增大，在暖气片散热原理大受追 捧的同时，也催生了散热片原理公司的快速发展。散热片的原理等一系列相关经 营的公司应运而生，并得到了迅猛的发展。 接下来就让小编带你来看看导热绝缘材料的相关情况吧~带你了解导热绝缘 材料~ 氧化铝陶瓷在整个陶瓷行业中的应用较为广泛，在性能上也属于非常优越。 其导热、绝缘、散热已是基本

氧化铝陶瓷及其金属化技术

以商业α-al_2o_3粉体为原料,mgo为烧结助剂,采用放电等离子烧结技术(sps)制备亚微米晶氧化铝陶瓷.系统研究了烧结温度、烧结助剂含量对亚微米晶氧化铝陶瓷的致密化过程及显微结构的影响.分析结果表明,1250℃以及0.05wt%分别是最佳的烧结温度和烧结助剂含量;在此条件下获得的亚微米晶氧化铝陶瓷,其相对密度达到99.8%td(theoreticaldensity),平均晶粒尺寸约0.68μm,显微硬度(hv5)达到20.75gpa,在3～5μm中红外范围内直线透过率超过83%.当mgo掺杂量超过0.1wt%时,第二相mgal_2o_4形成,引起光散射,降低红外透过率.

通过采用一种具有三维网状结构和联通气孔的聚氨酯有机泡沫为模板制备氧化铝多孔陶瓷。主要研究了烧成温度,保温时间以及球磨时间对氧化铝泡沫陶瓷性能的影响。实验结果表明:当浆料配方组成为氧化铝75.8%、龙岩高岭17.8%、膨润土2.6%、滑石粉3.6%,在1600℃,保温2h和球磨2h,烧后样品的强度最好,其主要晶相组成是α-al2o3和莫来石。