Si2和SEMI宣布联手改良集成电路可制造性设计

以synopsys推出的tcad软件tsuprem-ⅳ和medici为蓝本,结合100nm栅长pmosfet的可制造性联机仿真与优化实例,阐述了超大规模集成电路dfm阶段所进行的工艺级、器件物理特性级优化及工艺参数的提取。

集成电路（ｉｃ）可制造性工程与设计是近年来发展很快的研究领域，它集ｉｃ设计、制造、封装和测试过程为一体，在统一框架（即产品制造成本和成品率驱动）下，对产品进行规划和设计。应用该技术可以大大缩短ｉｃ产品研制周期、降低制造成本、提高成品率和可靠性，本文将综述该领域的研究进展，并阐述进一步的研究方向。

本文介绍了集成电路可测性设计项目中针对cadence网表文件进行解析,提取待测元件之间管脚连线的方法和过程。首先分析网表文件结构,接着详细说明如何过滤网表文件中的无用信息,析取出与待测元件相关的网络节点定义,最后再从析取出的网络节点定义中提取待测元件的引脚连线信息并按照指定的文件格式输出。

跟随当前集成电路技术的发展,在微电子专业开设课程《集成电路测试与可测性设计》,完善了学生的专业知识结构。

根据弹性分组环专用集成电路的具体情况,提出了相应的可测性设计(designfortest-ability,dft)方案,综合运用了三种dft技术:扫描链、边界扫描测试和存储器内建自测试。介绍了三种技术的选取理由和原理,对其具体实现过程和结果进行了详细分析。dft电路的实现大大降低了专用集成电路的测试难度,提高了故障覆盖率。

集成电路工艺发展到深亚微米阶段,器件的物理尺寸日益减小,芯片的可靠性设计面临的问题越来越复杂.为缩短研制周期,节约成本,应在电路设计时就考虑可靠性问题.esd是cmos电路中最为常见的失效机理之一,严重的会造成电路自我烧毁.概述了集成电路的可靠性设计,介绍了cmos集成电路esd保护的必要性,分析了esd的失效机理,研究了在cmos电路中几类常见的esd保护方法,分析了各种保护方式的原理和特点.

随着集成电路规模的不断增大,芯片的可测性设计正变得越来越重要。研究了目前较常用的边界扫描测试技术的原理、结构,并给出了边界扫描技术的应用。重点研究了基于边界扫描的外测试方式,即电路板上芯片间连线的固定故障、开路和短路故障的测试;利用硬件描述语言verilog设计出tap控制器,得到tap状态机的仿真结果。

asic集成电路设计开发中的隐含逻辑瑕疵与电路故障是芯片实现的最大困境,针对不同特性的电路提出了内部逻辑扫描、存储器内建自测试、边界扫描链插入以及atpg自动测试向量生成的解决方案与技术方法,实现了soc设计开发中逻辑与成片电路的主动侦测与跟踪寻径,经实践证明这些方法大大提高了复杂soc研制的成功率。

集成电路可布性评估在集成电路物理设计中针对布局结果进行有效的评估,作为对布局的反馈信息,并指导后续布线阶段的工作,避免了当后续布线无法完成时再回到前面布局阶段进行重新布局的被动局面,减少了物理设计的迭代周期.提出一种快速可布性评估算法,采用新的基于概率模型的估计算法,利用边界框进行拥挤度的预估,并在概率指导下进行实际布线.文中算法可以在很短的运行时间内对拥挤情况进行较为准确、客观的分析,线长较短.

集成电路论文第1页 智能配电网中电力变压器的应用研究 摘要 为应对电力系统在新世纪面临的分布式电源并网、电网利用系数低，高可靠性，高 电能质量要求以及数字化技术应用等诸多挑战，智能电网成为未来电网的主要发展方向。 智能电网的建设离不开高级电力电子装置，因此电力电子变压器的研究对于建设绿色电 网，智能电网具有重要的意义。论文首先对智能电网的概念及功能特点进行了介绍，其 次，论文分析了电力电子变压器的基本原理和拓扑结构，最后，论文就ac／ac和ac ／dc/ac这两种典型的电力电子变压器在智能配电网上的应用进行了研究。首先提出 了应用在配电网的基于ac／ac型电力电子变压器的自动电压稳压器。其次，论文分析 了应用在智能配电网中的基于ac／dc／ac型电力电子变压器的电能质量控制方案，构 建了系统的数学模型，详细分析了电力电子变压器输入级、中间隔离级和输出级的控制 策略。

第一章 集成电路的测试 1.集成电路测试的定义 集成电路测试是对集成电路或模块进行检测，通过测量对于集成电路的输出回应和预期 输出比较，以确定或评估集成电路元器件功能和性能的过程，是验证设计、监控生产、保证 质量、分析失效以及指导应用的重要手段。 .2.集成电路测试的基本原理 输入x输出回应y 被测电路dut（deviceundertest）可作为一个已知功能的实体，测试依据原始输入x 和网络功能集f（x），确定原始输出回应y，并分析y是否表达了电路网络的实际输出。因 此，测试的基本任务是生成测试输入，而测试系统的基本任务则是将测试输人应用于被测器 件，并分析其输出的正确性。测试过程中，测试系统首先生成输入定时波形信号施加到被测 器件的原始输入管脚，第二步是从被测器件的原始输出管脚采样输出回应，最后经过分析处 理得到测试结果。 3.集成电路故障与测

尽信书不如无书-------#16---504 1、封装工艺属于集成电路制造工艺的（）工序。 2、按照器件与电路板连接方式，封装可分为引脚插入型（pth）和（）两大类。 3、芯片封装所使用的材料有许多，其中金属主要为（）材料。 4、（）技术的出现解决了芯片小而封装大的矛盾。 5、在芯片贴装工艺中要求：已切割下来的芯片要贴装到引脚架的中间焊盘上，焊盘的尺寸 要与芯片的大小要（）。 6、在倒装焊接后的芯片下填充，由于毛细管虹吸作用，填料被吸入并向芯片基板的中心流 动，一个12.7mm见方的芯片，（）分钟可完全充满缝隙，用料大约0.031ml。 7、用溶剂来去飞边毛刺通常只适用于（）的毛刺。 8、如果厚膜浆料的有效物质是一种绝缘材料，则烧结后的膜是一种介电体，通常可用于制 作（）。 9、能级之间电位差越大，噪声越（）。 10、薄膜电路的顶层材料一般是（）。

从电路设计到芯片完成离不开集成电路的制备工艺，本章主要介绍硅衬底上的 cmos集成电路制造的工艺过程。有些cmos集成电路涉及到高压mos器件 （例如平板显示驱动芯片、智能功率cmos集成电路等），因此高低压电路的兼 容性就显得十分重要，在本章最后将重点说明高低压兼 容的cmos工艺流程。 1.1基本的制备工艺过程 cmos集成电路的制备工艺是一个非常复杂而又精密的过程，它由若干单项 制备工艺组合而成。下面将分别简要介绍这些单项制备工艺。 1.1.1衬底材料的制备 任何集成电路的制造都离不开衬底材料——单晶硅。制备单晶硅有两种方法： 悬浮区熔法和直拉法，这两种方法制成的单晶硅具有不同的性质和不同的集成电路 用途。 1悬浮区熔法 悬浮区熔法是在20世纪50年代提出并很快被应用到晶体制备技术中。在悬浮 区熔法中，使圆柱形硅棒固定于垂直方向，用高频感应线圈在氩气气

http://www.***.*** 报告用途：发改委立项、政府申请资金、政府申请土地、银行贷款、境内外融资等1 集成电路项目 可行性研究报告 编制单位：北京智博睿信息咨询有限公司 http://www.***.*** 报告用途：发改委立项、政府申请资金、政府申请土地、银行贷款、境内外融资等2 本报告是针对行业投资可行性研究咨询服务的专项研究报告，此 报告为个性化定制服务报告，我们将根据不同类型及不同行业的项目 提出的具体要求，修订报告目录，并在此目录的基础上重新完善行业 数据及分析内容，为企业项目立项、上马、融资提供全程指引服务。 可行性研究报告是在制定某一建设或科研项目之前，对该项目 实施的可能性、有效性、技术方案及技术政策进行具体、深入、细致 的技术论证和经济评价，以求确定一个在技术上合理、经济上合算的 最优方案和最佳时机而写的书面报

第十届中国科协年会将于2008年9月17日-19日在郑州举行。中国电子学会承担中国科协年会\"集成电路设计与制造技术研讨会\"的工作。现在重点围绕\"集成电路设计与制造技术\"等

第十届中国科协年会将于2008年9月17日-19日在郑州举行。中国电子学会承担中国科协年会\"集成电路设计与制造技术研讨会\"的工作。现在重点围绕\"集成电路设计与制造技术\"等

集成电路产业“十二五”发展规划 i 目录 前言................................................................................................................................1 一、“十一五”回顾....................................................................................................1 （一）产业规模持续扩大.....................................................................................2 （二）创新能力显著提升..................

双极型集成电路

时基集成电路的种类和特性及应用技巧

讨论了3种常用的cmos集成电路电源和地之间的esd保护电路,分别介绍了它们的电路结构以及设计考虑,并用hspice对其中利用晶体管延时的电源和地的保护电路在esd脉冲和正常工作两种情况下的工作进行了模拟验证。结论证明:在esd脉冲下,该保护电路的导通时间为380ns;在正常工作时,该保护电路不会导通,因此这种利用晶体管延时的保护电路完全可以作为cmos集成电路电源和地之间的esd保护电路。

集成电路基础知识 集成电路基础知识 自本世纪初，真空电子管发明后，至今电子器件至今已经历了五代的 发展过程。集成电路(ic)的诞生，使电子技术出现了划时代的革命， 它是现代电子技术和计算机发展的基础，也是微电子技术发展的标 志。 集成电路规模的划分，目前在国际上尚无严格。确切的定义。在 发展过程中，人们逐渐形成一种似乎比较一致的划分意见，按芯片上 所含逻辑门电路或晶体管的个数作为划分标志。一般人们将单块芯片 上包含100个元件或10个逻辑门以下的集成电路称为小规模集成电 路；而将元件数在100个以上。1000个以下，或逻辑门在10个以上。 100个以下的称为中规模集成电路；门数有100─100000个元件的称 大规模集成电路(lsi),门数超过5000个，或元件数高于10万个的则 称超大规模集成电路(vlsi)。电路集成化的最初设想是在晶体管兴起 不久的1

随着电子产品技术含量的不断升级,对于厚膜混合集成电路的制造工艺提出了更高的要求,从而产生了孔金属化的制造工艺。文章主要阐述了孔金属化的原理和制造工艺,并结合多年的生产经验,对影响孔金属化制造的因素进行探讨和总结。