SK1-16整流二极管

淮海工学院 课程设计报告书 课程名称：通信电子线路课程设计 题目：变容二极管调频设计 系（院）：通信工程系 学期：2011-2012-1 专业班级：通信092 姓名：王娟 学号：030912222 评语： 成绩： 签名： 日期： 2 变容二极管直接调频电路设计 1绪论 变容二极管调频的主要优点是能够产生较大的频偏，几乎不需要调制功率。 它主要用在移动通信以及自动频率微调系统中。许多小功率的调频发射机都采用 变容二极管直接调频技术,即在工作于发射载频的lc振荡回路上直接调频，采用 晶体振荡和锁相环来稳定中心频率。与中频调制倍频方法相比，这种方法的电路 简单、性能良好、维修方便，是一种较先进的频率调制方案。 2设计要求 （1）主振频率0f=20mhz （2）频率稳定度f/0f≤0.003/h （3）主振级的输出电压vvo

发光二极管(20201028143609)

发光二极管(led)失效分析 时间:2009-12-2715:17来源:unknown作者:11点击:1次 发光二极管(led)失效分析2009年06月27日星期六12： 17led(light-emitting-diode中文意思为发光二极管)是一种能够将电能转化 为可见光的半导体，它改变了白炽灯钨丝发光与节能灯三基色粉发光的原理，而 采用电场发光。据 发光二极管(led)失效分析2009年06月27日星期六12： 17led(light-emitting-diode中文意思为发光二极管)是一种能够将电能转化 为可见光的半导体，它改变了白炽灯钨丝发光与节能灯三基色粉发光的原理，而 采用电场发光。据分析。 led的特点非常明显。 寿命长、光效高、无辐射与低功耗。led的光谱几乎全部集中于可见光 频段。 其发光

1 姓名：刘玉东学号：2111403132电子与通信工程2班 led(发光二极管) 摘要 发光二极管led是一种能发光的半导体电子元件。是一种透过三价与五价元素所组成 的复合光源这种电子元件早在1962年出现，早期只能发出低光度的红光，被hp买价专利 后当作指示灯利用。之后发展出其他单色光的版本，时至今日能发出的光已遍及可见光、红 外线及紫外线，光度也提高到相当的光度。而用途也由初时作为指示灯、显示板等；随着白 光发光二极管的出现，近年续渐发展至被用作照明。 1.led图片 2.led的发展史 20世纪50年代，英国科学家发明了第一个具有现代意义的led,并于60年代面世， 但此时的led只能发出不可见的红外光。在60年代末，发明了第一个可以发出可见的 红光的led。到了七八十年代，又发明出了可以发出橙光、绿光、黄光的led。90年代 由

led发光二极管 半导体发光器件包括半导体发光二极管（简称led）、数码管、符号管、米字管及点阵式 显示屏（简称矩阵管）等。事实上，数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单 元都是一个发光二极管。 一、半导体发光二极管工作原理、特性及应用 （一）led发光原理 发光二极管是由ⅲ-ⅳ族化合物，如gaas（砷化镓）、gap（磷化镓）、gaasp（磷砷 化镓）等半导体制成的，其核心是pn结。因此它具有一般p-n结的i-n特性，即正向导 通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下， 电子由n区注入p区，空穴由p区注入n区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部 分与多数载流子（多子）复合而发光，如图1所示。 假设发光是在p区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发 光中心捕获后，再与空穴复合发光。除了这种发光

巧用发光二极管 发光二极管问世以来，在多数应用实例中，人们往往只 注意到它的发光指示用，对于发光二极管在某些场合下的特 殊用途，尚开发利用得很不够。本文针对这一问题，进行如 下的探讨。 根据发光二极管的内部结构和特性参数可知，发光二极 管的核心部分是ｐｎ结。因此它具有一般ｐ－ｎ结的ｉ－ｖ 特性，即正向导通，反向截止、击穿特性等。发光二极管的 正向压降约为１．５－３：ｏｖ，反向电压值有的还可达到 １００ｖ，正向电流值一般在１０－２０ｍａ，极限值可达 ３０－５０ｍａ，甚至大于５０ｍａ（高亮大功率）。 例１：发光二极管是一种降压元件 在日常生活和各种电子制作及电子实验中，有时我们需 要各种不同规格的电压值，利用发光二极管做降压元件，可 以弥补上述方法的不足。在小电流稳压时，常采用稳压二极 管来稳定电压，在设计电路时，还应考虑到稳压管的一些特 性。比如：稳定电流１＂是由额定功率ｐｚ和稳定电压ｖｚ

发光二极管简介

二极管的开关原理

LED发光二极管17页PPT

2.1发光二极管ppt课件

1.瞬态抑制二极管简称tvstransientvoltagesuppressor，tvs的电气特性由p-n结面积，参杂浓度及晶片阻质决定的。其耐突波电流的能力与其p-n结面积成正比。特点：反映速度快为ps级，体积

§3.4发光二极管(led) 一、发光原理 1、结的形成 在一块硅材料中，一边掺杂为n型，另一边掺杂为p型，构成p-n结，交 界面上载流子浓度是突变的。由于浓度不均匀，导致空穴从p区到n区、电子 从n区到p区的扩散运动。在p区一侧，空穴离开后，留下了不可移动的带负 电荷的电离受主，因此出现一个负电荷区。在n区一侧，因电子离开，产生了 由电离施主构成的正电荷区。p-n结两侧的区域称为空间电荷区或耗尽区。 空间电荷区中的电荷形成了从n区指向p区的电场，称为内建电场。内建电 场促使载流子做漂移运动，而阻碍其扩散运动。 随扩散运动的进行，空间电荷逐渐增多，空间电荷区逐渐扩展，内建电场增 强，使漂移运动加强。最终，扩散与漂移达到平衡。如无外电场作用，空间电 荷区不再扩展，保持一定宽度，内建电场稳定，即为热平衡状态下的p-n结。 能带结构如下图。

-1- 晶闸管与二极管选型的技术及经济比较 电解整流元器件可选取二极管或晶闸管，通过与国内生产商充分 的技术交流，我们了解到各厂家对使用这两种元器件有不同的见解， 下面就这两种元器件的初期投资、技术性能、生产使用及维护情况做 一综合比较： 一、造价经济比较 整流元件占整流柜整体造价的50%-60%，以abb元器件为例，每 只晶闸管的价格比二极管大约高2500元—3000元，单台机组采用晶 闸管比二极管造价增加60—70万元左右；若采用二极管，整流变压 器需配套饱和电抗器，根据整流变压器生产厂家的参考报价，饱和电 抗器约为150万元/台。只从这一点考虑，若采用晶闸管整流，单台 机组可节省投资80-90万元，我方项目的规模采用7台整流机组，总 共节省投资约600多万元。 二、技术比较 2.1晶闸管整流装置，电流可以连续、平滑调节，稳流精度高于0.5%。 2

CL01-12高压二极管中文资料

发光二极管(20201028143728)

第1页 它是半导体二极管的一种，可以把电能转化成光能；常简写 为led。发光二极管与普通二极管一样是由一个pn结组成， 也具有单向导电性。当给发光二极管加上正向电压后，从p 区注入到n区的空穴和由n区注入到p区的电子，在pn结 附近数微米内分别与n区的电子和p区的空穴复合，产生自 发辐射的荧光。不同的半导体材料中电子和空穴所处的能量 状态不同。当电子和空穴复合时释放出的能量多少不同，释 放出的能量越多，则发出的光的波长越短。常用的是发红光、 绿光或黄光的二极管。 发光二极管的反向击穿电压约5伏。它的正向伏安特性曲线很陡，使 用时必须串联限流电阻以控制通过管子的电流。限流电阻r可用下式计算： 编辑本段公式 r＝（e－uf）／if 式中e为电源电压，uf为led的正向压降，if为led的一般工作电 流 发光二极管 编辑本段物理特性 式中e

guojingkeji（防反二极管模块)pvdiodemodule 国晶科技gjmd600 中国·杭州国晶电子科技有限公司技术咨询：0571-56862135 专业大功率二极管模块制造商 符号参数测试条件 结温 tj（℃） 参数值 单位 最小典型最大 if(av)通态平均电流 180°正弦半波，50hz单面散 热，tc=85℃ 150600a if(rms)方均根电流150940a vdrm vrrm 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 vdrm&vrrmtp=10ms vdsm&vrsm=vdrm&vrrm+200v 15060016001800v idrm irrm 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 vdm=vdrm vrm=vrrm 15010ma ifsm通态不重复浪涌电流10ms

在硅台面整流二极管的生产中,常常用点黑蜡、长时间腐蚀的办法把管芯一个个分割开,同时形成合适的台面.这种工艺对硅单晶的利用率和生产效率都很低.我们总结了高频高压硅堆的生产工艺,提出了热浸镀铅锡-机械切割法分割管芯的工艺.这大大提高了硅单晶的利用率和生产效率,降低了成本,取得了一定的经济效益.

本文将详细介绍在建设工程领域中隔离二极管的作用，包括其原理、应用场景和优势。通过对隔离二极管的深入了解，读者将能够更好地应用它来确保建设工程的安全和稳定性。

本文将详细解答在建设工程领域中使用隔离二极管时的相关问题。通过问题解答的方式，帮助读者了解隔离二极管的接线方法和相关注意事项。

LED(发光二极管)基础知识讲座01

al-ga—n系紫外led用材料由于p型层霍尔浓度低，以致存在着无法改善其决定功率效率的电子注入效率问题。为解决这一问题，日本理化学研究所在其电子阻塞层内引入了多重量子壁障（mqb），从而在250nm波长下往发光层内的电子注入效率从过去的10％～30％提高到了80％以上。由于mqb的引人而导致的紫外光输出高效率化，不仅更有效地用于医疗、