更新日期: 2025-02-18

252kV真空灭弧室纵磁触头磁场分析及优化

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252kV真空灭弧室纵磁触头磁场分析及优化 4.4

真空灭弧室的触头对真空断路器短路电流开断能力和额定电流导通能力有重要的影响。该文采用三维有限元方法对用于252kV真空灭弧室的单匝线圈纵磁触头的磁场特性进行了单因素分析和正交回归分析,包括电流峰值时纵向磁感应强度、电流过零时纵向磁感应强度和导体电阻值,得到了磁场特性和触头设计参数之间的回归方程,并且找出了影响磁场特性的显著因素。理想的纵向磁场特性应当是电流峰值时纵向磁感应强度强,电流过零时纵向磁感应强度弱,以及导体电阻值小。将基于实验设计的优化、有限元分析和统计分析结合在一起,可以达到这种理想的纵向磁场特性。采用这种方法,得到了一种252kV纵向磁场触头的优化设计参数。

126kV真空灭弧室1/2线圈纵磁触头三维磁场仿真 126kV真空灭弧室1/2线圈纵磁触头三维磁场仿真 126kV真空灭弧室1/2线圈纵磁触头三维磁场仿真

126kV真空灭弧室1/2线圈纵磁触头三维磁场仿真

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建立了126kv、1/2线圈纵磁触头三维电极结构模型,并利用有限元法对考虑了电弧影响的有限元模型进行了三维静磁场和涡流场仿真。结果表明静磁场下纵向磁场在触头片开槽处发生畸变,在触头间隙中心平面分布呈“平顶帐篷”形状。在涡流场下,当电流处于峰值时,纵向磁场在触头片上的分布和触头间隙中心平面上的分布与静磁场作用下相似:在电流过零时,纵向磁场在触头片中心形成一个最高峰,在最高峰周围形成6个次高峰;而在触头间隙中心平面分布呈“尖顶帐篷”形;沿路径(0,-60,110)~(0,60,110)纵向磁场的分布为开口向上的抛物线型,最大滞后时间0.36ms。

126kV真空灭弧室1/3线圈纵磁触头三维涡流场仿真 126kV真空灭弧室1/3线圈纵磁触头三维涡流场仿真 126kV真空灭弧室1/3线圈纵磁触头三维涡流场仿真

126kV真空灭弧室1/3线圈纵磁触头三维涡流场仿真

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建立了126kv、1/3线圈纵磁触头三维电极结构模型,并利用有限元法对考虑了电弧影响的模型进行了三维涡流场仿真.在电流分别处于峰值和过零时,得到了纵向磁场分别在触头片表面和触头间隙中心平面上的分布,以及纵向磁场滞后时间沿径向路径的分布规律.

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一种测量真空开关灭弧室真空度的新方法 4.6

提出了一种无需施加磁场、利用发射电流衰减速度测量真空开关灭弧室真空度的新方法。首先利用500μa发射电流对触头表面轰击,除去触头表面上多余的分子吸附层。然后利用35μa发射电流与触头间残余气体分子的碰撞电离,形成离子流。离子流又撞击触头表面,被表面捕获,形成新增吸附层。这些新增吸附层的存在会增大触头材料逸出功,导致发射电流的衰减。真空度不同,发射电流的衰减速度就不同,故在发射电流衰减量一定的条件下,通过检测发射电流衰减时间就可以测量灭弧室内的真空度。文中通过理论分析,给出了发射电流衰减时间与真空度的关系并进行了实验验证。

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李影

职位:岩土工程师现场负责人

擅长专业:土建 安装 装饰 市政 园林

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