JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-02C Plastic-Encapsulate Diodes ESDB V5V0F1 ESD Protection Diode (1.0*0.6*0.5) unit:mm DESCRIPTION The ESDB V5V0 F1 is designed to protect voltage sensitive components from ESD. Excellent clamping capability, low leakage, and fast response time provide best in class protection on designs that are exposed to ESD. Because of its small s
文章基于LED芯片和LED单灯的工作原理和制程工艺,探讨了LED芯片封装以后正向电压VF升高和降低的常见原因,并提出了改善措施。对于GaN基双电极芯片,由于芯片工艺制程或后续封装工艺因素,造成芯片表面镀层(ITO或Ni/Au)与P-GaN外延层之间的结合被破坏,欧姆接触电阻变大。对于GaAs基单电极芯片,由于封装材料和工艺因素,导致芯片背金(N-electrode)与银胶,或银胶与支架之间的接触电阻变大,从而LED正向电压VF升高。LED正向电压VF降低最常见的原因为芯片PN结被ESD或外界大电流损伤或软击穿,反向漏电过大,失去了二极管固有的I-V特性。
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