锗硅合金Y分支器的研制
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本文介绍采用半导体平面工艺研制的Y 分支器。为减少分支处的幅射损耗,并考虑分支器波导耦合长度,Y 分支器的分支角度设计值为2 度。Y 分支器的波导结构依据大截面理论决定。经激光测量系统测试,分支器角度辐射损耗值为2dB。
日开发出嵌入锗量子点的硅基LED
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据有关媒体报道,近日,日本东京都市大学综合研究所研究人员成功开发出采用锗(Ge)量子点的硅发光元件。
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